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國產(chǎn)CVD設(shè)備在4H-SiC襯底上的同質(zhì)外延實(shí)驗(yàn)
SiC薄膜生長方法有多種,其中化學(xué)氣相沉積(chemical vapor deposition, CVD)法具有可以精確控制外延膜厚度和摻雜濃度、缺陷較...
石墨烯的制備方法有哪些 石墨烯膜提升智能手機(jī)散熱性能的方法
石墨烯內(nèi)部碳原子的排列方式與石墨單原子層一樣以sp2雜化軌道成鍵,并有如下的特點(diǎn):碳原子有4個價(jià)電子,其中3個電子生成sp2鍵,即每個碳原子都貢獻(xiàn)一個位...
首先,沉積四乙基原硅酸鹽氧化物(即使用正硅酸乙酯TEOS前驅(qū)的CVD氧化物,簡稱TEOS-ox)和氮化硅的復(fù)合層,并對TEOS-ox和氮化硅進(jìn)行等離子體...
其中,AB是分子,而A和B是由分解碰撞產(chǎn)生的自由基,自由基至少帶有一個不成對的電子, 因此并不穩(wěn)定。自由基在化學(xué)上非常活躍,能奪取其他原子或分子的電子形...
CVD因具有可控、高質(zhì)量生長石墨烯的優(yōu)點(diǎn)而引起國內(nèi)外關(guān)注,據(jù)報(bào)道石墨烯薄膜可在多個襯底上生長,如Fe、Cu和Ni、 Pt等。研究表明,采用CVD工藝生長...
CVD金剛石在機(jī)械密封領(lǐng)域中的應(yīng)用
隨著科技的不斷發(fā)展,金剛石在許多領(lǐng)域中都展現(xiàn)出了巨大的應(yīng)用潛力。其中,化學(xué)氣相沉積(CVD)金剛石由于其獨(dú)特的物理和化學(xué)性質(zhì),尤其在機(jī)械密封領(lǐng)域中有著廣...
中國科學(xué)院大學(xué)集成電路學(xué)院是國家首批支持建設(shè)的示范性微電子學(xué)院。為了提高學(xué)生對先進(jìn)光刻技術(shù)的理解,本學(xué)期集成電路學(xué)院開設(shè)了《集成電路先進(jìn)光刻技術(shù)與版圖設(shè)...
Hello,大家好,今天來分享下半導(dǎo)體FAB中常見的五種CVD工藝。 化學(xué)氣相沉積(CVD)主要是通過利用氣體混合的化學(xué)反應(yīng)在硅片表面沉積一層固體膜的工...
開發(fā)高穩(wěn)定性儲能系統(tǒng)是解決未來能源問題的重要方法。傳統(tǒng)鋰離子電池由于其使用易燃有機(jī)液體電解質(zhì),安全問題嚴(yán)峻,而使用固態(tài)電解質(zhì)(SSEs)代替液態(tài)有機(jī)電解...
在實(shí)驗(yàn)方面,我們在VDW數(shù)據(jù)集,以及公開的Sintel和NYUDV2數(shù)據(jù)集上,均取得了SOTA的空間精度和時(shí)域一致性。其中VDW和Sintel為自然場景...
2023-08-09 標(biāo)簽:網(wǎng)絡(luò)視頻數(shù)據(jù)傳輸CVD 641 0
金剛石具有低密度、高彈性模量、高強(qiáng)度、高熱導(dǎo)率、化學(xué)惰性和生物相容性等優(yōu)異特性,在聲學(xué)領(lǐng)域主要應(yīng)用于高保真喇叭、聲表面波器件、聲傳感器等。
Aston Impact 高靈敏度質(zhì)譜分析儀 CVD 清洗終點(diǎn)優(yōu)化
上海伯東日本 Atonarp Aston Impact 高靈敏度質(zhì)譜分析儀, 基于四級桿的質(zhì)量分離, Aston 質(zhì)譜分析儀設(shè)計(jì)緊湊, 適用于氣體分析和...
用于半導(dǎo)體外延片生長的CVD石墨托盤結(jié)構(gòu)
一、引言 在半導(dǎo)體制造業(yè)中,外延生長技術(shù)扮演著至關(guān)重要的角色?;瘜W(xué)氣相沉積(CVD)作為一種主流的外延生長方法,被廣泛應(yīng)用于制備高質(zhì)量的外延片。而在CV...
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