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硅氧負極的工藝流程 CVD法的核心優勢

從本質上分析硅氧負極循環壽命更好的原理是：硅氧負極技術路線多用氧化亞硅，相較于單質硅顆粒，氧化亞硅（SiOx）在鋰嵌入過程中發生的體積膨脹較小，其循環穩...

2022-09-29 標簽：CVD 1.3萬 0

集成電路芯片制造中的3種硅化物工藝介紹

為了降低接觸電阻和串聯電阻，在集成電路制造中引入了硅化物工藝，業界先后采用了可規模生產的 WSi2 、TiSi2、CoSi2、NiSi 等工藝。

2022-11-21 標簽：串聯電阻 CVD 集成電路芯片 9482 0

各種CVD材料介紹

Producer Black Diamond 3 系統設計為可與應用材料公司的 Producer Nanocure 3 UV 固化系統配合使用。Nan...

2023-05-25 標簽：晶圓邏輯器件 CVD 7970 0

刻蝕工藝基礎知識簡析

刻蝕速率是測量刻蝕物質被移除的速率。由于刻蝕速率直接影響刻蝕的產量，因此刻蝕速率是一個重要參數。

2023-02-06 標簽：晶圓 SEM 電子顯微鏡 6525 0

模擬硅基片上的UHV/CVD及硅生長

化學氣相沉積 (CVD) 能夠生產出兼具高質量、高純度及高強度等優點的材料，因此在半導體行業非常受歡迎。超高真空化學氣相沉積涉及相當復雜的設備和極高的溫...

2018-06-02 標簽：CVD 硅基片 5190 0

淺析芯片沉積工藝

在了解芯片沉積工藝之前，先要闡述下薄膜（thin film）的概念。薄膜材料是厚度介于單原子到幾毫米間的薄金屬或有機物層。

2023-06-08 標簽：邏輯電路 PVD 儲存器 3722 0

原子層ALD沉積介紹

原子層沉積（Atomic layer deposition，ALD）是一種可以沉積單分子層薄膜的特殊的化學氣相沉積技術。

2023-06-15 標簽：半導體 PVD CVD 3587 0

磁場中的帶電粒子介紹

低頻功率時，離子所獲得的能量比在高頻功率獲得的能量稍高。低頻使離子有較多的反應時間，所以能把離子加速到具有較高的能量，也因此能夠提供更多的能量在離子轟擊上。

2022-12-07 標簽：電容耦合電磁場 CVD 3529 0

三種碳化硅外延生長爐的差異

碳化硅襯底有諸多缺陷無法直接加工，需要在其上經過外延工藝生長出特定單晶薄膜才能制作芯片晶圓，這層薄膜便是外延層。幾乎所有的碳化硅器件均在外延材料上實現，...

2023-12-15 標簽：芯片半導體碳化硅 3343 0

等離子第一個電子是從哪里及如何產生的？

當兩個電極通過射頻高電壓時，它們之間就產生一個交流電場。如果射頻功率足夠高，自由電子受到交流電場的影響被加速，直到獲得足夠的能量和反應室中的原子或分子碰...

2022-11-21 標簽：ICP CVD 3006 0

CVD 步進電機驅動器說明

2023-03-13 標簽：驅動器步進電機 CVD 2787 0

CVD過程中的等離子工藝

CVD過程中，不僅在晶圓表面出現沉積，工藝室的零件和反應室的墻壁上也都會有沉積。

2022-12-27 標簽：HDP CVD 2566 0

金剛石晶體的不同類型及應用梳理

金剛石是我們都非常熟悉的超硬材料，人造金剛石晶體有多種不同的類型，大致可分為單形和聚形，每種類型都具有不同的特性和應用。本文梳理了金剛石晶體的不同類型及應用。

2024-01-02 標簽：金剛石 CVD 2439 0

等離子體刻蝕工藝簡介

鋁刻蝕可以使用多種不同的酸，其中最普遍的混合液是以磷酸(H3P04,80%)、醋酸(CH3COOH,5%)、硝酸(HN03,5%)和水(H20,10%)...

2023-02-17 標簽：PVD ICP CVD 2402 0

ALD在高深寬比器件制造上不可替代的應用

在集成電路領域中，深寬比被定義為刻蝕深度與刻蝕圖形CD（Criticlal Dimension）的比值。CD是IC制造中的一個重要指標，通常與刻蝕的特征...

2023-07-14 標簽：集成電路晶體管 PVD 2400 0

CVD中的硅烷詳解

硅烷（SiH4），是CVD里很常見的一種氣體，在CVD中通常用來提供硅的來源，用途很廣泛，我們來詳細了解一下。

2023-11-24 標簽：CVD 氮化硅 2368 0

自下而上設計，精細合成硬碳微結構—高效堿金屬負極！

堿金屬離子電池（AMIBs）的電化學特性在很大程度上取決于負極材料。作為最有前途的負極材料之一，碳質材料具有成本低、資源豐富和環境友好等優點，在鋰、鈉和...

2023-08-07 標簽：鋰離子電池熱處理電池充放電 2263 0

什么是無定形碳膜？為什么選碳作為3D NAND的硬掩模？

無定形碳膜（Amorphous Carbon Film），即非晶碳膜，指的是一種由碳原子構成但沒有長程有序結構的薄膜材料。

2024-03-22 標簽：NAND PVD CVD 2225 0

進行MEMS制造的沉積方法

進行MEMS制造的最基本需求是能夠沉積1到100微米之間的材料薄膜。NEMS的制造過程是基本一致的，膜沉積的測量范圍從幾納米到一微米。

2022-10-11 標簽：mems NEMS PVD 1870 0

90%的模具人都搞不懂模具爆裂是什么？模具爆裂原因分析

模具材質不好在后續加工中容易碎裂

2023-11-25 標簽：PVD 壓力機 HRC 1497 0

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