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標(biāo)簽 > ddr
DDR=Double Data Rate雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。嚴(yán)格的說DDR應(yīng)該叫DDR SDRAM,人們習(xí)慣稱為DDR,其中,SDRAM 是Synchronous Dynamic Random Access Memory的縮寫,即同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。
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S參數(shù):信號(hào)完整性的風(fēng)象標(biāo)
隨著速率的不斷提高,信號(hào)能夠在鏈路中傳輸?shù)碾y度越來越大,信號(hào)質(zhì)量會(huì)不斷下降,我們把高速信號(hào)在傳輸中遇到各種問題統(tǒng)稱為信號(hào...
2023-06-21 標(biāo)簽:正弦波DDRPCB設(shè)計(jì) 2469 0
高速數(shù)字電路模塊通常以 同步 (synchronous)電路的形式實(shí)現(xiàn),它們由一個(gè)或者多個(gè)時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)(觸發(fā))。對(...
和AMD的確無緣,在拿到Day1 的大禮包之后,我就上交了筆記本,只是在AMD connection中看了一些內(nèi)網(wǎng)的信息,但是因?yàn)閷?shí)在對(duì)AMD的CPU...
為什么DDR電源設(shè)計(jì)時(shí)需要VTT電源呢?
編者注:DDR總線的設(shè)計(jì)相對(duì)而言是非常復(fù)雜的,比如電源系統(tǒng)中就包含了很多中電源的設(shè)計(jì),只是某些工程師在設(shè)計(jì)的時(sh...
2023-06-16 標(biāo)簽:控制器DDRPCB設(shè)計(jì) 5996 0
使用OSERDES發(fā)送高速串行數(shù)據(jù)
OSERDES實(shí)現(xiàn)并串轉(zhuǎn)換,只需要管發(fā)送并不需要管接收到的數(shù)據(jù)如何,所以它的操作相對(duì)于ISERDES來說簡(jiǎn)單;
2023-06-16 標(biāo)簽:FPGA設(shè)計(jì)DDRSDR 1479 0
高速信號(hào)傳輸過程中,并行傳輸因?yàn)榫€路同步難,抗干擾性差等缺點(diǎn)逐漸被串行技術(shù)取代;通過提高傳輸速率的方法,串行傳輸也可以實(shí)現(xiàn)很高的傳輸速度...
2023-06-16 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器FPGA設(shè)計(jì)DDR 2750 0
信號(hào)完整性實(shí)際設(shè)計(jì)中最常用的源端匹配方式
信號(hào)在驅(qū)動(dòng)器和接收器之間傳輸時(shí),由于源端和末端反射的存在就會(huì)導(dǎo)致多次反射,反射的結(jié)果就是導(dǎo)致接收端的波形產(chǎn)生...
2023-06-16 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器接收器DDR 2455 0
對(duì)于點(diǎn)到點(diǎn)拓?fù)湮覀冎恍枰⒁膺x擇合適的匹配方式,并優(yōu)化好整個(gè)channel的阻抗即可,但是當(dāng)一個(gè)網(wǎng)絡(luò...
2023-06-15 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器DDRPCB設(shè)計(jì) 2.0萬 0
RGMII接口轉(zhuǎn)GMII接口的實(shí)現(xiàn)思路
RGMII接口是雙沿采樣時(shí)鐘,數(shù)據(jù)位寬為4bit,而GMII接口是單沿采樣時(shí)鐘,數(shù)據(jù)位寬是8bit。
2023-06-09 標(biāo)簽:寄存器DDRCRC校驗(yàn) 2740 0
DDR跑不到速率后續(xù)來了,相鄰層串?dāng)_深度分析!
就在剛剛,雷豹把他對(duì)疊層的調(diào)整方式和改善后的仿真結(jié)果給師傅Chris看完后,Chris給雷豹點(diǎn)了個(gè)大大的贊,因?yàn)閮?yōu)化的方式其實(s...
保留Linux內(nèi)存的初始化原理及應(yīng)用實(shí)戰(zhàn)
在linux啟動(dòng)過程中會(huì)打印出如下信息,這些信息為我們呈現(xiàn)出系統(tǒng)下的保留內(nèi)存空間情況。
2023-06-05 標(biāo)簽:處理器DDRLinux系統(tǒng) 2682 0
關(guān)于DDR的案例,高速先生已經(jīng)分享過很多期的文章了,有通過修改主控芯片的驅(qū)動(dòng)解決問題的,有通過修改PCB走線的拓?fù)鋪斫鉀Q問題的,也有通過調(diào...
電源電壓的要求一般在±5%以內(nèi)。電流需要根據(jù)使用的不同芯片,及芯片個(gè)數(shù)等進(jìn)行計(jì)算。由于DDR的電流一般都比較大,所以PCB設(shè)計(jì)時...
LPDDR5X:重要性與日俱增的移動(dòng)存儲(chǔ)器
自 2000 年代中期獲得正式批準(zhǔn)以來,低功耗 DDR(LPDDR)一直是驅(qū)動(dòng)對(duì)面積和功率敏感的移動(dòng)設(shè)備上更復(fù)雜用例的基石。畢竟...
DDR 驗(yàn)證是任何 SoC 中最關(guān)鍵和最復(fù)雜的任務(wù)之一,因?yàn)樗婕拔挥?DUT 內(nèi)部的控制器和位于板載 DUT 外部的外部 DDR 存儲(chǔ...
使用高級(jí)驗(yàn)證與內(nèi)存技術(shù)保持同步
在存儲(chǔ)器密度低、性能緩慢且需要昂貴的硅空間的時(shí)代。然后我快進(jìn)到未來,當(dāng)內(nèi)存技術(shù)已經(jīng)發(fā)展到支持巨大的密度,超快的速度,同...
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