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標簽 > DDR3
DDR3是一種計算機內存規格。它屬于SDRAM家族的內存產品,提供了相較于DDR2 SDRAM更高的運行效能與更低的電壓,是DDR2 SDRAM(同步動態動態隨機存取內存)的后繼者(增加至八倍),也是現時流行的內存產品規格。
DDR3是一種計算機內存規格。它屬于SDRAM家族的內存產品,提供了相較于DDR2 SDRAM更高的運行效能與更低的電壓,是DDR2 SDRAM(同步動態動態隨機存取內存)的后繼者(增加至八倍),也是現時流行的內存產品規格。
技術概論
CWD是作為寫入延遲之用,Reset提供了超省電功能的命令,可以讓DDR3 SDRAM內存顆粒電路停止運作、進入超省電待命模式,ZQ則是一個新增的終端電阻校準功能,新增這個線路腳位提供了ODCE(On Die Calibration Engine)用來校準ODT(On Die Termination)內部終端電阻,新增了SRT(Self-Reflash Temperature)可編程化溫度控制內存時脈功能,SRT的加入讓內存顆粒在溫度、時脈和電源管理上進行優化,可以說在內存內,就做了電源管理的功能,同時讓內存顆粒的穩定度也大為提升,確保內存顆粒不致于工作時脈過高導致燒毀的狀況,同時DDR3 SDRAM還加入PASR(Partial Array Self-Refresh)局部Bank刷新的功能,可以說針對整個內存Bank做更有效的資料讀寫以達到省電功效。
DDR3是一種計算機內存規格。它屬于SDRAM家族的內存產品,提供了相較于DDR2 SDRAM更高的運行效能與更低的電壓,是DDR2 SDRAM(同步動態動態隨機存取內存)的后繼者(增加至八倍),也是現時流行的內存產品規格。
技術概論
CWD是作為寫入延遲之用,Reset提供了超省電功能的命令,可以讓DDR3 SDRAM內存顆粒電路停止運作、進入超省電待命模式,ZQ則是一個新增的終端電阻校準功能,新增這個線路腳位提供了ODCE(On Die Calibration Engine)用來校準ODT(On Die Termination)內部終端電阻,新增了SRT(Self-Reflash Temperature)可編程化溫度控制內存時脈功能,SRT的加入讓內存顆粒在溫度、時脈和電源管理上進行優化,可以說在內存內,就做了電源管理的功能,同時讓內存顆粒的穩定度也大為提升,確保內存顆粒不致于工作時脈過高導致燒毀的狀況,同時DDR3 SDRAM還加入PASR(Partial Array Self-Refresh)局部Bank刷新的功能,可以說針對整個內存Bank做更有效的資料讀寫以達到省電功效。
對于看英文手冊,大家肯定都很苦惱,尤其是那種幾百上千頁的手冊,真是看著就頭大, 不得不說,找個國產DDR的手冊是真難。 雖然比不上協議原文,但對于理解概...
2024-12-12 標簽:DDR3 183 0
AXI總線由一些核心組成,包括AXI主處理器接口(AXI4)、AXI處理器到協處理器接口(AXI4-Lite)、AXI主外設接口(AXI4)、AXI外設...
DDR3、DDR4、DDR5是計算機內存類型的不同階段,分別代表第三代、第四代和第五代雙倍數據速率同步動態隨機存取存儲器(SDRAM)。以下是它們之間的...
近日,三星和SK海力士宣布,將于下半年停止生產并供應DDR3內存,轉向利潤更高的DDR5內存和HBM系列高帶寬內存。此舉標志著內存行業的一次重要轉型。
雖然 DDR3 逐漸淪為邊緣化產品,但其在電視機頂盒、無線路由器、交換機以及顯示器等設備中的應用仍然廣泛。值得關注的是,全球第四大內存商美光雖尚未明確決...
DDR雙倍數據速率技術是在每個時鐘信號周期內傳輸兩次數據,可以實現以往同步DRAM設備傳輸速率的兩倍。
2024年3月28日,上海 - 國產高性能微控制器廠商上海先楫半導體科技有限公司(先楫半導體,HPMicro)攜手生態合作伙伴芯原、立功科技、順微電子和...
DDR5內存相對于DDR4有更高的內部時鐘速度和數據傳輸速率,從而提供更高的帶寬。DDR5的傳輸速率可以達到6400MT/s以上,比DDR4的最高傳輸速...
先楫半導體攜手芯原打造新一代數字儀表顯示及人機界面系統應用平臺
2024年3月4日,上海 - 國產高性能微控制器廠商上海先楫半導體科技有限公司(先楫半導體,HPMicro)在其豐富的高性能微處理器產品組合的基礎上,推...
值得關注的是,三星已不再從事 NOR flash、DDR3 等工藝成熟的存儲芯片加工,轉而轉向使用華邦生產的產品。近期,隨著 NOR flash 和 D...
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