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DDR4內存是新一代的內存規格。2011年1月4日，三星電子完成史上第一條DDR4內存。

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　　DDR4內存是新一代的內存規格。2011年1月4日，三星電子完成史上第一條DDR4內存。

　　DDR4相比DDR3最大的區別有三點：16bit預取機制（DDR3為8bit），同樣內核頻率下理論速度是DDR3的兩倍；更可靠的傳輸規范，數據可靠性進一步提升；工作電壓降為1.2V，更節能。

DDR4百科

　　DDR4內存是新一代的內存規格。2011年1月4日，三星電子完成史上第一條DDR4內存。

　　數據規格

　　DDR4內存的標準規范仍未最終定奪。三星這條樣品屬于UDIMM類型，容量為2GB，運行電壓只有1.2V，工作頻率為2133MHz，而且憑借新的電路架構最高可以達到3200MHz。相比之下，DDR3內存的標準頻率最高僅為1600MHz，運行電壓一般為1.5V，節能版也有1.35V。僅此一點，DDR4內存就可以節能最多40%。

　　根據此前的規劃，DDR4內存頻率最高有可能高達4266MHz，電壓則有可能降至1.1V乃至1.05V。

　　三星表示，這條DDR4內存使用了曾出現在高端顯存顆粒上的“PseudoOpenDrain”（虛擬開漏極）技術，在讀取、寫入數據的時候漏電率只有DDR3內存的一半。

　　三星稱，2010年12月底已經向一家控制器制造商提供了這種DDR4內存條的樣品進行測試，并計劃與多家內存廠商密切合作，幫助JEDEC組織在2011年下半年完成DDR4標準規范的制定工作，預計2012年開始投入商用。

　　DDR3和DDR4性能差距有多大

　　DDR3傳輸速度最高到2133MHz不等；而DDR4的傳輸速度從2133MHz起，最高可達4266MHz。

　　儲存方面同一單位的的DDR4芯片擁有比DDR3多一倍的儲存空間，同時DDR4能夠搭載最多8個模塊。比DDR3多一倍。這樣算下來同樣的空間DDR4模塊的最大容量比DDR3多4倍。DDR3所需的標準電源供應是1.5V而DDR4降至1.2V，移動設備設計的低功耗DDR4更降至1.1V。

　　DDR4最重要的使命當然是提高頻率和帶寬。DDR4內存的每個針腳都可以提供2Gbps（256MB/s）的帶寬，DDR4-3200那就是51.2GB/s，比之DDR3-1866高出了超過70％。

　　默認頻率DDR4 2133 CL15

　　DDR4 2133頻率下帶寬測試：48.4GB/s

　　DDR4在使用了3DS堆疊封裝技術后，單條內存的容量最大可以達到目前產品的8倍之多。舉例來說，目前常見的大容量內存單條容量為8GB（單顆芯片512MB，共16顆），而DDR4則完全可以達到64GB，甚至128GB。而電壓方面，DDR4將會使用20nm以下的工藝來制造，電壓從DDR3的1.5V降低至DDR4的1.2V，移動版的SO-DIMMD DR4的電壓還會降得更低。

　　總結：

　　1：DDR4內存條外觀變化明顯，金手指變成彎曲狀2：DDR4內存頻率提升明顯，可達4266MHz3：DDR4內存容量提升明顯，可達128GB4：DDR4功耗明顯降低，電壓達到1.2V、甚至更低

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