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DDR4內存是新一代的內存規格。2011年1月4日,三星電子完成史上第一條DDR4內存。
DDR4內存是新一代的內存規格。2011年1月4日,三星電子完成史上第一條DDR4內存。
DDR4相比DDR3最大的區別有三點:16bit預取機制(DDR3為8bit),同樣內核頻率下理論速度是DDR3的兩倍;更可靠的傳輸規范,數據可靠性進一步提升;工作電壓降為1.2V,更節能。
DDR4內存是新一代的內存規格。2011年1月4日,三星電子完成史上第一條DDR4內存。
DDR4相比DDR3最大的區別有三點:16bit預取機制(DDR3為8bit),同樣內核頻率下理論速度是DDR3的兩倍;更可靠的傳輸規范,數據可靠性進一步提升;工作電壓降為1.2V,更節能。
數據規格
DDR4內存的標準規范仍未最終定奪。三星這條樣品屬于UDIMM類型,容量為2GB,運行電壓只有1.2V,工作頻率為2133MHz,而且憑借新的電路架構最高可以達到3200MHz。相比之下,DDR3內存的標準頻率最高僅為1600MHz,運行電壓一般為1.5V,節能版也有1.35V。僅此一點,DDR4內存就可以節能最多40%。
根據此前的規劃,DDR4內存頻率最高有可能高達4266MHz,電壓則有可能降至1.1V乃至1.05V。
三星表示,這條DDR4內存使用了曾出現在高端顯存顆粒上的“PseudoOpenDrain”(虛擬開漏極)技術,在讀取、寫入數據的時候漏電率只有DDR3內存的一半。
三星稱,2010年12月底已經向一家控制器制造商提供了這種DDR4內存條的樣品進行測試,并計劃與多家內存廠商密切合作,幫助JEDEC組織在2011年下半年完成DDR4標準規范的制定工作,預計2012年開始投入商用。
DDR3和DDR4性能差距有多大
DDR3傳輸速度最高到2133MHz不等;而DDR4的傳輸速度從2133MHz起,最高可達4266MHz。
儲存方面同一單位的的DDR4芯片擁有比DDR3多一倍的儲存空間,同時DDR4能夠搭載最多8個模塊。比DDR3多一倍。這樣算下來同樣的空間DDR4模塊的最大容量比DDR3多4倍。DDR3所需的標準電源供應是1.5V而DDR4降至1.2V,移動設備設計的低功耗DDR4更降至1.1V。
DDR4最重要的使命當然是提高頻率和帶寬。DDR4內存的每個針腳都可以提供2Gbps(256MB/s)的帶寬,DDR4-3200那就是51.2GB/s,比之DDR3-1866高出了超過70%。
默認頻率DDR4 2133 CL15
DDR4 2133頻率下帶寬測試:48.4GB/s
DDR4在使用了3DS堆疊封裝技術后,單條內存的容量最大可以達到目前產品的8倍之多。舉例來說,目前常見的大容量內存單條容量為8GB(單顆芯片512MB,共16顆),而DDR4則完全可以達到64GB,甚至128GB。而電壓方面,DDR4將會使用20nm以下的工藝來制造,電壓從DDR3的1.5V降低至DDR4的1.2V,移動版的SO-DIMMD DR4的電壓還會降得更低。
總結:
1:DDR4內存條外觀變化明顯,金手指變成彎曲狀2:DDR4內存頻率提升明顯,可達4266MHz3:DDR4內存容量提升明顯,可達128GB4:DDR4功耗明顯降低,電壓達到1.2V、甚至更低
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