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DDR4內(nèi)存是新一代的內(nèi)存規(guī)格。2011年1月4日，三星電子完成史上第一條DDR4內(nèi)存。

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ddr4技術(shù)

ddr3及ddr4的差異對(duì)比

DDR4提供比DDR3/ DDR2更低的供電電壓1.2V以及更高的帶寬，DDR4的傳輸速率目前可達(dá)2133～3200MT/s。DDR4 新增了4 個(gè)Ba...

2017-11-07 標(biāo)簽：ddr3 ddr4 dbi 5.4萬(wàn) 0

ddr4 3200和3600差別大嗎 ddr4 3200和3600可以混用嗎

DDR4 3200和DDR4 3600是兩種常見(jiàn)的內(nèi)存頻率規(guī)格，它們?cè)谛阅苌蠒?huì)有一定的差別，但差別大小取決于具體的應(yīng)用場(chǎng)景和系統(tǒng)配置。

2023-08-22 標(biāo)簽：cpu 內(nèi)存 DDR4 5.3萬(wàn) 0

扒一扒DDR4的新功能和PCB設(shè)計(jì)上的一些注意事項(xiàng)

VTT上拉電阻放置在相應(yīng)網(wǎng)絡(luò)的末端，即靠近最后一個(gè)DDR4顆粒的位置放置；注意VTT上拉電阻到DDR4顆粒的走線越短越好，走線長(zhǎng)度小于500mil；每個(gè)...

2019-04-16 標(biāo)簽：pcb 濾波電容 DDR4 3.9萬(wàn) 0

內(nèi)存容量和硬盤容量的有什么區(qū)別？如何選擇合適的內(nèi)存

今天碰到一件扎心的事，朋友帶一妹子咨詢筆記本的配置。需求是日常辦公，偶爾PS一下，4K到5K的價(jià)格，我建議CPU最好要i5-8265、內(nèi)存8G、硬盤要，...

2019-09-14 標(biāo)簽：硬盤內(nèi)存 DDR4 3.4萬(wàn) 0

ddr4 3200和3600差別大嗎

　DDR4 3200和3600是內(nèi)存模塊的頻率標(biāo)準(zhǔn)，表示其頻率值，具有以下差異

2023-09-26 標(biāo)簽：處理器電壓 DDR4 2.7萬(wàn) 0

DDR4技術(shù)有什么特點(diǎn)？如何采用ANSYS進(jìn)行DDR4仿真？

本文介紹了DDR4技術(shù)的特點(diǎn)，并簡(jiǎn)單介紹了ANSYS工具用來(lái)仿真DDR4的過(guò)程。文章中主要介紹的對(duì)象為DDR4 3200MHz內(nèi)存，因?yàn)橛布O客對(duì)DDR...

2018-10-14 標(biāo)簽：SDRAM DDR4 ANSYS 2.6萬(wàn) 0

ddr5的主板可以用ddr4內(nèi)存嗎幾代CPU才能上DDR5

DDR5的主板不支持使用DDR4內(nèi)存。DDR5（第五代雙倍數(shù)據(jù)率）和DDR4（第四代雙倍數(shù)據(jù)率）是兩種不同規(guī)格的內(nèi)存技術(shù)，它們?cè)陔姎馓匦院鸵_布局上存在...

2023-08-09 標(biāo)簽：數(shù)據(jù)傳輸主板內(nèi)存 2.5萬(wàn) 0

DDR5內(nèi)存和DDR4有啥不同

第十一代酷睿桌面版不斷泄露消息，所以正式產(chǎn)品還沒(méi)上市就讓人沒(méi)了新鮮感，也許正是這個(gè)原因，很多小伙伴的好奇的目光開(kāi)始轉(zhuǎn)向了更下一代平臺(tái)，特別是DDR5內(nèi)存...

2021-02-27 標(biāo)簽：DDR4 DDR5 1.9萬(wàn) 0

DDR4、LPDDR4和LPDDR4x的區(qū)別

此外，速度也從3200MT / s增加到了4266MT / s（無(wú)OC）。這是由于I / O總線時(shí)鐘（1600MHz至2134MHz）和內(nèi)存陣列（200...

2023-09-19 標(biāo)簽：接口時(shí)鐘 DDR4 1.9萬(wàn) 0

DDR5內(nèi)存和DDR4內(nèi)存差異總結(jié)

DDR5的主要特性是芯片容量，不僅僅是更高的性能和更低的功耗，DDR5將具有改進(jìn)的命令總線效率，更好的刷新方案以及增加的存儲(chǔ)體組以獲得額外的性能。

2020-09-17 標(biāo)簽：內(nèi)存條 DDR4 DDR5 1.7萬(wàn) 0

如何使DDR4降低系統(tǒng)功耗？要借助POD電平

DDR4主要是針對(duì)需要高帶寬低功耗的場(chǎng)合。這些需求導(dǎo)致了DDR4芯片引入了一些新的特點(diǎn)：它摒棄了上幾代內(nèi)存產(chǎn)品的SSTL電平接口，引用了新的I/O架構(gòu)P...

2018-07-27 標(biāo)簽：電平功耗 ddr4 1.7萬(wàn) 1

支持DDR4的技嘉B760M小雕WIFI主板深度評(píng)測(cè)

其處理器與核顯供電電路每一相都搭配了一顆可支持60A電流負(fù)載的Dr.MOS。同時(shí)主板還采用了在105℃環(huán)境溫度下?lián)碛?000小時(shí)工作壽命的5K固態(tài)電容，...

2023-03-22 標(biāo)簽：處理器主板 DDR4 1.4萬(wàn) 0

Intel至強(qiáng)W9-3495X和AMD銳龍線程撕裂者PRO 5000WX對(duì)比介紹

AMD這邊的杠把子則是銳龍線程撕裂者PRO 5995WX，7nm工藝，Zen3架構(gòu)，64核心128線程，32MB二級(jí)緩存，256MB三級(jí)緩存，基準(zhǔn)頻率2...

2023-02-27 標(biāo)簽：intel PCIe DDR4 1.2萬(wàn) 0

利用Sigrity SystemSI來(lái)生成DDR5 AMI模型

過(guò)去幾年來(lái)，許多系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員一直在使用DDR4 RAM元器件，并將其用于系統(tǒng)設(shè)計(jì)。隨著產(chǎn)品性能的不斷提高、電源預(yù)算的不斷降低，對(duì)更快速存儲(chǔ)器件的期望從未...

2018-01-27 標(biāo)簽：ram ddr4 ddr5 1.1萬(wàn) 0

DDR、DDR2、DDR3、DDR4、LPDDR區(qū)別

DDR是Double Data Rate的縮寫(xiě)，即“雙比特翻轉(zhuǎn)”。DDR是一種技術(shù)，中國(guó)大陸工程師習(xí)慣用DDR稱呼用了DDR技術(shù)的SDRAM，而在中國(guó)臺(tái)...

2022-11-28 標(biāo)簽：DDR3 DDR DDR2 1.0萬(wàn) 0

基于長(zhǎng)鑫國(guó)產(chǎn)顆粒的DDR4內(nèi)存的測(cè)試報(bào)告

從2018年開(kāi)始，世界的局勢(shì)越來(lái)越緊張，米國(guó)尤其在以芯片為代表的高科技行業(yè)對(duì)我們?nèi)矫娴膹棄海员ＷC芯片的自立自主呼聲越來(lái)越高。之前我們也測(cè)試過(guò)一對(duì)紫...

2020-07-29 標(biāo)簽：DDR4 紫光長(zhǎng)鑫存儲(chǔ) 8877 0

基于ZU+的外掛8顆DDR4的設(shè)計(jì)案例分析

本篇主要針對(duì)Zynq UltraScale + MPSoC的DDR接口，從硬件設(shè)計(jì)的角度進(jìn)行詳細(xì)介紹，最后展示一下小編之前自己設(shè)計(jì)的基于ZU+的外掛8顆...

2020-12-21 標(biāo)簽：pcb DDR DDR4 8853 0

硬件電路設(shè)計(jì)之DDR電路設(shè)計(jì)(4)

DDR4(第四代雙倍數(shù)據(jù)速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)是一種高帶寬的存儲(chǔ)器，今天主要講述一下DDR4在Layout過(guò)程中的一些細(xì)節(jié)。在DDR的設(shè)計(jì)過(guò)程中，...

2023-11-29 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器電路設(shè)計(jì)DDR 8833 0

DDR4接口引腳定義及功能

DDR4（Double Data Rate 4）接口引腳的具體定義和功能是一個(gè)復(fù)雜且詳細(xì)的話題，涉及到電源、地、控制信號(hào)、時(shí)鐘信號(hào)、地址信號(hào)以及數(shù)據(jù)信號(hào)...

2024-09-04 標(biāo)簽：接口引腳 DDR4 8645 0

淺析DDR4信號(hào)完整性測(cè)試完整內(nèi)容

通過(guò)單次觸發(fā)得到一個(gè)讀或者寫(xiě)的波形，讀的波形是DQS和DQ的相位是基本相同的。寫(xiě)的波形是DQS和DQ的相位基本上是90度。

2023-10-17 標(biāo)簽：內(nèi)存信號(hào)完整性 DDR4 8411 0

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