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標(biāo)簽 > dram
DRAM(Dynamic Random Access Memory),即動態(tài)隨機(jī)存取存儲器,最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù),DRAM使用電容存儲,所以必須隔一段時間刷新(refresh)一次,如果存儲單元沒有被刷新,存儲的信息就會丟失。 (關(guān)機(jī)就會丟失數(shù)據(jù))
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熱概念增強(qiáng)DRAM內(nèi)存子系統(tǒng)設(shè)計
熱管理問題隨著內(nèi)存技術(shù)的發(fā)展而發(fā)展,并成為嵌入式系統(tǒng)、可靠性和性能的關(guān)鍵。系統(tǒng)設(shè)計師和內(nèi)存子系統(tǒng)設(shè)計師之間的設(shè)計動態(tài)也在不斷發(fā)展,并可能影響為耐用性...
由于HANA一體機(jī)的特點,使用最新的NVM內(nèi)存需要的是整個軟硬件業(yè)界的共同努力。目前SAP HANA數(shù)據(jù)庫(HANA2 SPS03)已經(jīng)實現(xiàn)了對NVM的...
SAP HANA 也對介質(zhì)的特點做了仔細(xì)的考量,結(jié)合 Main 內(nèi)存的訪問特點(例如 容量大、讀多寫少等),很自然的,先把 DCPMM 當(dāng)做字節(jié)尋址的持...
雖然 PCRAM、MRAM、ReRAM 和 NRAM 等各種 NVM 技術(shù)具有相似的高級特征,但它們的物理渲染卻大相徑庭。這為每個人提供了自己的一系列...
半導(dǎo)體存儲器的發(fā)展歷程與當(dāng)前挑戰(zhàn)
計算機(jī)內(nèi)存主要是DRAM和SRAM。二者相比,DRAM的存儲密度更高,而SRAM則具有最快的片上緩存。這兩類半導(dǎo)體存儲器都已經(jīng)歷了數(shù)十年的發(fā)展。
2021-10-13 標(biāo)簽:DRAMsram半導(dǎo)體存儲器 3912 0
一、基本概念 最熟悉的兩個詞語應(yīng)該是RAM與ROM,RAM(Random Access Memory)的全名為隨機(jī)存取記憶體,它相當(dāng)于PC機(jī)上的移動存儲...
DDR PHY是DRAM和內(nèi)存控制器通信的橋梁,它負(fù)責(zé)把內(nèi)存控制器發(fā)過來的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成符合DDR協(xié)議的信號,并發(fā)送到DRAM。
深入解析泛林集團(tuán)Striker ICEFill電介質(zhì)填充技術(shù)
沉積技術(shù)是推進(jìn)存儲器件進(jìn)步的關(guān)鍵要素。但隨著3D NAND堆棧的出現(xiàn),現(xiàn)有填充方法的局限性已開始凸顯。
DRAM的架構(gòu)/標(biāo)準(zhǔn)/特點/未來展望
這些年來,記憶體領(lǐng)域出現(xiàn)了各種動態(tài)隨機(jī)存取記憶體(DRAM)標(biāo)準(zhǔn),這些標(biāo)準(zhǔn)也都各自進(jìn)一步發(fā)展出不同世代的版本。本文將回顧不同DRAM架構(gòu)的特色,點出這些...
隨著系統(tǒng)對內(nèi)存容量、帶寬、性能等方面的需求提高,系統(tǒng)會接入多個 DRAM Devices。而多個 DRAM Devices 不同的組織方式,會帶來不同的...
對于存儲器,大家都有所了解,比如我們每天使用的手機(jī)內(nèi)就具備存儲器。為增進(jìn)大家對存儲器的認(rèn)識,本文將對只讀存儲器的種類予以介紹,并對相變存儲器、存儲器生命...
NVDIMM-P內(nèi)存最新技術(shù),能夠在意外斷電時保留原有數(shù)據(jù)
隨著 DRAM 內(nèi)存容量和頻率的持續(xù)增長,現(xiàn)有電腦內(nèi)存的安全性也一直沒有得到提升。近日,JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會宣布的最新第一代協(xié)議是由對DRAM容量和帶...
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