dram

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DRAM（Dynamic Random Access Memory），即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，最為常見(jiàn)的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲(chǔ)，所以必須隔一段時(shí)間刷新（refresh）一次，如果存儲(chǔ)單元沒(méi)有被刷新，存儲(chǔ)的信息就會(huì)丟失。（關(guān)機(jī)就會(huì)丟失數(shù)據(jù)）

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dram技術(shù)

動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器簡(jiǎn)介

內(nèi)存是計(jì)算機(jī)運(yùn)行的基礎(chǔ)。當(dāng)與CPU結(jié)合使用時(shí)，可以運(yùn)行指令集（程序）和存儲(chǔ)工作數(shù)據(jù)

2020-07-22 標(biāo)簽：DRAM 內(nèi)存 5567 0

基于DDRAM控制IP的I/O設(shè)計(jì)方案

為了兼具可擴(kuò)展性和數(shù)據(jù)處理速度，對(duì)于各種應(yīng)用，如圖像數(shù)據(jù)偵錯(cuò)、視頻數(shù)據(jù)壓縮、音頻數(shù)據(jù)增益、馬達(dá)控制等，可編程數(shù)據(jù)處理模塊（Programmable Da...

2020-07-02 標(biāo)簽：輸入輸出 DRAM 數(shù)據(jù)處理 876 0

借助虛擬工藝加速工藝優(yōu)化

二維（2D）設(shè)計(jì)規(guī)則檢查（DRC）已不足以用來(lái)規(guī)范設(shè)計(jì)以達(dá)成特定性能和良率目標(biāo)的要求。同時(shí)完全依賴實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì) （DOE）來(lái)進(jìn)行工藝表征和優(yōu)化也變...

2020-07-03 標(biāo)簽：電容器 DRAM 3d 1416 0

基于DDR DRAM控制器實(shí)現(xiàn)MPMA存取輸入/輸出端口的設(shè)計(jì)

2020-05-19 標(biāo)簽：控制器 dram fifo 1027 0

內(nèi)存中1X納米、1Y納米、1Z納米是什么意思

大體上1Xnm工藝相當(dāng)于16-19nm級(jí)別、1Ynm相當(dāng)于14-16nm，1Znm工藝相當(dāng)于12-14nm級(jí)別。

2020-03-22 標(biāo)簽：DRAM 臺(tái)積電美光 2.5萬(wàn) 0

關(guān)于DDR5你知道多少 DDR5的新挑戰(zhàn)

驅(qū)動(dòng)DRAM內(nèi)存市場(chǎng)向DDR5升級(jí)的動(dòng)力應(yīng)該是來(lái)自對(duì)帶寬有強(qiáng)烈需求的專業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域，比如云服務(wù)器、邊緣計(jì)算等等，由于系統(tǒng)內(nèi)存帶寬跟不上服務(wù)器CPU核心數(shù)量...

2020-03-22 標(biāo)簽：DRAM 穩(wěn)壓器臺(tái)積電 9714 0

什么是 DDR5？SDRAM 技術(shù)發(fā)展歷程

英特爾和 AMD 的核戰(zhàn)爭(zhēng)越演愈烈，現(xiàn)在的臺(tái)式機(jī)開(kāi)始 6 核起跳，可以預(yù)見(jiàn)，馬上內(nèi)存的性能又將成為新的瓶頸。

2020-03-08 標(biāo)簽：英特爾 DRAM SDRAM 1.6萬(wàn) 0

DRAMless并非永遠(yuǎn)代表低預(yù)算還有這些設(shè)計(jì)須知

除了設(shè)計(jì)沒(méi)有DRAM的SSD或USB磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器的成本外，還有其他原因。閃存控制器的設(shè)計(jì)要么具有外部DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存）接口，要么就沒(méi)有具備。一...

2020-02-12 標(biāo)簽：閃存 DRAM 3328 0

福建晉華隨機(jī)動(dòng)態(tài)處理存儲(chǔ)器元件的形成方法專利

福建晉華目前只專注于DRAM 的制造，雖然相對(duì)于國(guó)外半導(dǎo)體存儲(chǔ)三巨頭而言，技術(shù)在某些方面會(huì)有不足，但是從16年成立至今，短短三年內(nèi)，就已經(jīng)達(dá)到DRAM技...

2020-01-02 標(biāo)簽：dram 福建晉華 3263 0

基于NOR Flash的數(shù)據(jù)運(yùn)算方法專利揭秘

Computing in Memroy是在DRAM中嵌入邏輯電路，打造“存算一體”架構(gòu)，存算一體架構(gòu)會(huì)大幅降低資料在存儲(chǔ)器與處理器之間往返的負(fù)擔(dān)，降低芯...

2019-12-25 標(biāo)簽：閃存 dram ai 3255 0

NVMe閃存已成為主流企業(yè)存儲(chǔ)技術(shù)

四級(jí)單元（QLC）NAND正在進(jìn)入企業(yè)領(lǐng)域，它可幫助降低價(jià)格，低于目前領(lǐng)先的三級(jí)單元（TLC）NAND。四級(jí)單元應(yīng)該會(huì)讓NAND閃存在未來(lái)幾年保持主流地...

2020-03-06 標(biāo)簽：閃存 DRAM 存儲(chǔ)技術(shù) 3637 0

如果固態(tài)硬盤(pán)沒(méi)有了DRAM緩存還能不能工作

在討論固態(tài)硬盤(pán)時(shí)經(jīng)常會(huì)聽(tīng)到“無(wú)緩存方案”一詞，缺少了DRAM緩存的固態(tài)硬盤(pán)還能正常工作嗎？會(huì)不會(huì)因?yàn)樯倭司彺娑堂?/p>

2020-01-31 標(biāo)簽：閃存 DRAM 固態(tài)硬盤(pán) 5890 0

長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)正在加速?gòu)腄RAM的技術(shù)追趕者向技術(shù)引領(lǐng)者轉(zhuǎn)變

在今日舉辦的中國(guó)閃存技術(shù)峰會(huì)（CFMS）上，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)副總裁、未來(lái)技術(shù)評(píng)估實(shí)驗(yàn)室負(fù)責(zé)人平爾萱博士做了題為《DRAM技術(shù)趨勢(shì)與行業(yè)應(yīng)用》的演講，披露了DRA...

2019-09-26 標(biāo)簽：DRAM 長(zhǎng)鑫 3822 0

DRAM公司告訴英特爾他們?cè)诔兄ZRambus之前需要有約束力的訂單

SAN JOSE - 參加英特爾公司匆忙召集的Direct Rambus承諾會(huì)議的DRAM制造商告訴MPU據(jù)芯片公司官員在會(huì)議上透露，只有當(dāng)PC OEM...

2019-08-13 標(biāo)簽：DRAM PCB打樣華強(qiáng)PCB 2809 0

基于個(gè)人經(jīng)驗(yàn)對(duì) Arduino 入門(mén)套件作了相關(guān)介紹，開(kāi)啟創(chuàng)客世界大門(mén)

ATmega328P 處理器是一款低功耗 8 位微控制器，采用增強(qiáng)型精簡(jiǎn)指令集計(jì)算機(jī) (RISC) 架構(gòu)

2019-08-02 標(biāo)簽：DRAM Arduino 創(chuàng)客 8945 0

存算一體化芯片簡(jiǎn)史介紹在DRAM上的各種嘗試

借著大數(shù)據(jù)和深度學(xué)習(xí)的東風(fēng)，PIM一下子流行起來(lái)。其實(shí)，PIM并不是一個(gè)新概念，每一個(gè)很靠譜的PIM的綜述文章都會(huì)講那個(gè)開(kāi)始-The Berkeley...

2019-07-04 標(biāo)簽：DRAM 深度學(xué)習(xí)RISC-V 8123 0

SF-EP1C學(xué)習(xí)板：基于SDRAM讀寫(xiě)的串口調(diào)試實(shí)驗(yàn)

通常DRAM是有一個(gè)異步接口的，這樣它可以隨時(shí)響應(yīng)控制輸入的變化。而SDRAM有一個(gè)同步接口，在響應(yīng)控制輸入前會(huì)等待一個(gè)時(shí)鐘信號(hào)，這樣就能和計(jì)算機(jī)的系統(tǒng)...

2019-12-25 標(biāo)簽：dram sdram 計(jì)算機(jī) 1856 0

NVDIMM的幾種實(shí)現(xiàn)方式, NVDIMM-P的性能所做的硬件上的優(yōu)化和支持

這是一個(gè)目前還沒(méi)有發(fā)布的標(biāo)準(zhǔn) (Under Development)。預(yù)計(jì)將與DDR5 標(biāo)準(zhǔn)一同發(fā)布。按照計(jì)劃，DDR5將比DDR4提供雙倍的帶寬，并提...

2019-03-18 標(biāo)簽：DRAM 存儲(chǔ)技術(shù)內(nèi)存 1.5萬(wàn) 0

如何將Flash中的程序轉(zhuǎn)移到RAM中運(yùn)行

對(duì)于獨(dú)立的嵌入式系統(tǒng)，需要把程序存入non-volitale存儲(chǔ)單元中，常用的也就是flash。但是程序在flash中運(yùn)行相對(duì)在RAM中行，速度會(huì)變慢很...

2019-02-22 標(biāo)簽：DRAM FlaSh 7866 0

非易失性存儲(chǔ)器和易失性存儲(chǔ)器有什么全部詳細(xì)資料對(duì)比

非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)是在關(guān)閉計(jì)算機(jī)或者突然性、意外性關(guān)閉計(jì)算機(jī)的時(shí)候數(shù)據(jù)不會(huì)丟失的技術(shù)。非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)得到了快速發(fā)展，非易失性存儲(chǔ)器主要分為塊尋址和字...

2019-04-07 標(biāo)簽：DRAM 存儲(chǔ)器 RRAM 8885 0

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Haswell是英特爾第四代CPU架構(gòu)，Haswell的最高端核芯顯卡GT3系列在移動(dòng)版Core i7使用，而中端的GT2則分配給桌面版的Core i系列處理器，而最低端的奔騰、賽揚(yáng)搭載GT1。此外，Haswell將會(huì)使用LGA1150插座，無(wú)法和LGA1155替換。制程方面，Haswell繼續(xù)使用IVB的22nm制程。
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iBeacon是蘋(píng)果公司2013年9月發(fā)布的移動(dòng)設(shè)備用OS（iOS7）上配備的新功能。其工作方式是，配備有低功耗藍(lán)牙（BLE）通信功能的設(shè)備使用BLE技術(shù)向周圍發(fā)送自己特有的ID，接收到該ID的應(yīng)用軟件會(huì)根據(jù)該ID采取一些行動(dòng)。
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東軟集團(tuán)是中國(guó)領(lǐng)先的IT解決方案與服務(wù)供應(yīng)商，是上市企業(yè)，股票代碼600718。公司成立于1991年，前身為東北大學(xué)下屬的沈陽(yáng)東大開(kāi)發(fā)軟件系統(tǒng)股份有限公司和沈陽(yáng)東大阿爾派軟件有限公司。
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OLED（Organic Light-Emitting Diode），全稱“有機(jī)發(fā)光二極管”，是一種顯示屏幕技術(shù)。采用OLED技術(shù)制造的OLED電視，已經(jīng)不再需要LCD液晶面板，RGB色彩信號(hào)直接由OLED二極管顯示，幾乎已經(jīng)不存在液晶的可視角度問(wèn)題。

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