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DRAM（Dynamic Random Access Memory），即動態(tài)隨機存取存儲器，最為常見的系統(tǒng)內存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持數(shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲，所以必須隔一段時間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的信息就會丟失。（關機就會丟失數(shù)據(jù)）

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dram技術

DRAM和SRAM元器件原理

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為什么需要HBM？

在數(shù)據(jù)中心和邊緣運行的技術，如 AI 和視覺，具有與之相關的巨大內存和計算要求

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SPARC：用于先進邏輯和 DRAM 的全新沉積技術

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半導體存儲芯片分類淺述

全球每年的存儲芯片的市場規(guī)模在1600億美元左右，而且隨著高性能計算機，服務器，邊緣計算，智能穿戴市場，物聯(lián)網(wǎng)和車聯(lián)網(wǎng)全球市場規(guī)模的不斷做大，存儲器市場...

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ZNS SSD設計架構及性能優(yōu)化

ZNS使基于閃存的固態(tài)硬盤具有更高的性能和更低的每字節(jié)成本。通過將管理擦除塊內數(shù)據(jù)組織的責任從FTL轉移到主機軟件，ZNS消除了設備內LBA到頁的映射、...

2023-06-29 標簽：閃存 DRAM 存儲介質 1118 0

半導體存儲器簡介

半導體存儲器一般可分為易失性(Volatile Memory)和非易失性存儲器(Non Volatile Memory)。易失性存儲器是指數(shù)據(jù)信息只有在...

2023-06-25 標簽：半導體 DRAM FlaSh 3924 0

離子注入技術在MOSFET單元陣列之間和連接方面的應用

在DRAM生產(chǎn)中，離子注入技術被應用于減少多晶硅和硅襯底之間的接觸電阻，這種工藝是利用高流量的P型離子將接觸孔的硅或多晶硅進行重摻雜。

2023-06-19 標簽：CMOS MOSFET 驅動器 796 0

基于Chiplet方式的集成3D DRAM存儲方案

新能源汽車、5G、可穿戴設備等領域的不斷發(fā)展，對芯片性能的需求越來越高，采用先進封裝技術的 Chiplet 成為了芯片微縮化進程的“續(xù)命良藥”。

2023-06-14 標簽：DRAM DDR3 可穿戴設備 676 0

ST在新品MCU上做了哪些改進

數(shù)字化趨勢正在驅動著整個設備的增長，未來會有更多安全鏈接到云端，在設備端更加智能的處理。與此同時，數(shù)字化也會帶來更大的32位MCU的增長。已經(jīng)連續(xù)好幾年...

2023-06-12 標簽：mcu DRAM ST 1121 0

PSRAM完全解讀

PSRAM的時序比較簡單,主要根據(jù)各個時序圖理解每個時序階段,及其參數(shù)。重點要理解DQS/DM是誰驅動的,代表什么意思, 數(shù)據(jù)采樣的時間即DQS上升沿延...

2023-06-08 標簽：DRAM 存儲單元 sram 3.9萬 0

存儲芯片的原理_分類及應用

存儲芯片是指集成電路中用來存儲數(shù)據(jù)的芯片，它可以存儲數(shù)字信號，包括二進制碼、字符、圖像、聲音等信息。存儲芯片廣泛應用于電子產(chǎn)品中，如計算機、手機、數(shù)碼相...

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DRAM錯誤數(shù)據(jù)主要通過Linux檢錯糾錯驅動程序采集。同時獲取每個CE的微觀地址信息，即channel、rank、bank、row和column。

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DRAM產(chǎn)品低功耗設計與演化

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數(shù)據(jù)中心場景下的內存交換技術TMO應用研究

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