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DRAM（Dynamic Random Access Memory），即動態(tài)隨機存取存儲器，最為常見的系統(tǒng)內存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持數(shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲，所以必須隔一段時間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的信息就會丟失。（關機就會丟失數(shù)據(jù)）

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dram技術

DRAM、NAND FLASH、NOR FLASH三大存儲器分析

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DRAM、SDRAM及DDR SDRAM之間的概念詳解

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2018-06-07 標簽：DRAM SDRAM DDR SDRAM 9.3萬 0

DRAM與NAND的有什么樣的區(qū)別

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3D XPoint的原理解析 NAND和DRAM為什么拼不過它

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DRAM存儲器的工作原理詳細介紹

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2020-10-31 標簽：電容器 DRAM 存儲器 4.5萬 0

PSRAM完全解讀

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2023-06-08 標簽：DRAM 存儲單元 sram 3.9萬 0

內存中1X納米、1Y納米、1Z納米是什么意思

大體上1Xnm工藝相當于16-19nm級別、1Ynm相當于14-16nm，1Znm工藝相當于12-14nm級別。

2020-03-22 標簽：DRAM 臺積電美光 2.5萬 0

DRAM與NAND的區(qū)別及工作原理

本文就DRAM與NAND在工作原理上做比較，弄清兩者的區(qū)別

2016-12-27 標簽：DRAM NAND RAM 2.2萬 0

一文詳解SRAM特點和原理

SRAM不需要刷新電路即能保存它內部存儲的數(shù)據(jù)。而DRAM（Dynamic Random Access Memory）每隔一段時間，要刷新充電一次，否則...

2018-05-30 標簽：DRAM CPU sram 2.2萬 0

一文解析鐵電存儲器使用及工作原理

FRAM存儲器操作經(jīng)過設計，以使在開關電容器中感應出的電荷至少是未開關電容器可用電荷的兩倍。

2021-01-21 標簽：DRAM 存儲器 fram 2.0萬 0

硬盤和內存到底有什么差別？

DRAM就是我們一般在用的內存，而NAND Flash 閃存，它在做的事情其實是硬盤。

2018-07-17 標簽：DRAM 存儲器 nandflash 1.9萬 0

什么是 DDR5？SDRAM 技術發(fā)展歷程

英特爾和 AMD 的核戰(zhàn)爭越演愈烈，現(xiàn)在的臺式機開始 6 核起跳，可以預見，馬上內存的性能又將成為新的瓶頸。

2020-03-08 標簽：英特爾 DRAM SDRAM 1.6萬 0

什么是DRAM_DRAM結構的框架圖

最近幾年，電子產(chǎn)品的價格走勢不斷降低，大家也覺得日后的電子產(chǎn)品會越來越便宜，但事實是從去年開始，手機、電腦、家電等產(chǎn)品價格一直在持續(xù)漲價，而這其中的主要...

2020-08-24 標簽：DRAM 存儲單元 1.6萬 0

一文解析HBM技術原理及優(yōu)勢

HBM技術是一種基于3D堆疊工藝的高性能DRAM，它可以為高性能計算、人工智能、數(shù)據(jù)中心等領域提供高帶寬、高容量、低延遲和低功耗的存儲解決方案。本文將介...

2023-11-09 標簽：DRAM 數(shù)據(jù)傳輸 HBM 1.5萬 0

DRAM/NAND都是啥？科普內存和硬盤的區(qū)別

現(xiàn)如今隨著手機的不斷推廣和普及，已掩蓋電腦時代的輝煌，很多新生代的用戶都與手機的存儲就陷入了茫然。

2016-04-21 標簽：DRAM NAND 存儲器 1.5萬 0

NVDIMM的幾種實現(xiàn)方式, NVDIMM-P的性能所做的硬件上的優(yōu)化和支持

這是一個目前還沒有發(fā)布的標準 (Under Development)。預計將與DDR5 標準一同發(fā)布。按照計劃，DDR5將比DDR4提供雙倍的帶寬，并提...

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存儲芯片的原理_分類及應用

存儲芯片是指集成電路中用來存儲數(shù)據(jù)的芯片，它可以存儲數(shù)字信號，包括二進制碼、字符、圖像、聲音等信息。存儲芯片廣泛應用于電子產(chǎn)品中，如計算機、手機、數(shù)碼相...

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四種汽車駕駛系統(tǒng)的四種不同存儲需求

關于自主駕駛及其存儲需求的討論有很多，但很少有人談及汽車中其他需要使用存儲的系統(tǒng)。汽車中有四個主要系統(tǒng)會使用存儲，且每個系統(tǒng)的存儲需求各不相同。

2017-11-01 標簽：nor閃存 dram 汽車電子 1.4萬 0

什么是DRAM？DRAM存儲單元電路讀寫原理

內存芯片中每個單元都有以字節(jié)線和比特線組合的獨立地址。以2016年主流4GB單面8芯片內存條為例，每粒內存芯片有4G個獨立地址。

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