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DRAM（Dynamic Random Access Memory），即動態(tài)隨機存取存儲器，最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持數(shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲，所以必須隔一段時間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的信息就會丟失。（關(guān)機就會丟失數(shù)據(jù)）

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受困于良率？三星否認HBM芯片生產(chǎn)采用MR-MUF工藝

? 電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/黃晶晶）據(jù)報道，三星電子在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域再次邁出重要步伐，計劃增加“MUF”芯片制造技術(shù)，用于生產(chǎn)HBM（高帶寬內(nèi)存）芯片。但...

2024-03-14 標簽：DRAM HBM 三星 3985 0

全球晶圓代工營收TOP10：臺積電獨占61.2%，三星居第二

“前十大晶圓代工營收年減約13.6%，來到1115.4億美元。”

2024-03-13 標簽：DRAM 臺積電晶圓 1503 0

2023年半導(dǎo)體行業(yè)收益超出預(yù)期，2024年預(yù)期增長24%

12日，知名分析機構(gòu)TechInsights公布最新數(shù)據(jù)顯示，2023年第四季度半導(dǎo)體業(yè)務(wù)表現(xiàn)超出預(yù)期，收入較之前預(yù)估增加13%。同時，2023年全年半...

2024-03-13 標簽：半導(dǎo)體 DRAM 生成式AI 698 0

從兩會看AI產(chǎn)業(yè)飛躍，HBM需求預(yù)示存儲芯片新機遇

高端AI服務(wù)器GPU搭載HBM芯片已成為主流趨勢。這表明，HBM芯片的需求在未來一段時間內(nèi)繼續(xù)保持旺盛，也將為相關(guān)企業(yè)提供了重要的機遇。

2024-03-12 標簽：DRAM AI 存儲芯片 702 0

大漲221%！全球DRAM市場六大廠商全面實現(xiàn)營收正增長

內(nèi)存（DRAM）市場正在迎來一波上漲潮。

2024-03-08 標簽：處理器 DRAM HBM 1130 0

三星電子推出首款36GB HBM3E 12H DRAM

三星電子近期研發(fā)的這款36GB HBM3E 12H DRAM確實在業(yè)界引起了廣泛關(guān)注。其宣稱的帶寬新紀錄，不僅展現(xiàn)了三星在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的持續(xù)創(chuàng)新能力，...

2024-03-08 標簽：半導(dǎo)體 DRAM 三星電子 835 0

AI引領(lǐng)存儲市場變革 HBM與DDR5需求暴增

AI成了存儲市場的最大增量。開源證券表示，搭載容量方面，隨著AI在各類領(lǐng)域的應(yīng)用延伸，手機、服務(wù)器、PC中DRAM和NAND單機平均搭載容量均有增長，其...

2024-03-06 標簽：DRAM NAND AI 450 0

AI需求激增，三星與SK海力士計劃增產(chǎn)高價值DRAM

隨著人工智能（AI）技術(shù)的飛速發(fā)展，對高性能內(nèi)存的需求也日益增長。特別是高帶寬內(nèi)存（HBM）和第五代雙倍數(shù)據(jù)速率同步動態(tài)隨機存取內(nèi)存（DDR5）等高端D...

2024-03-06 標簽：半導(dǎo)體 DRAM 人工智能 745 0

華工科技今年將新增5家海外工廠，臺積電前研發(fā)副總示警臺積電恐被美“芯片法案”榨干

? 傳感新品【青島大學(xué)：研發(fā)的超靈敏觸摸傳感器能"感知"4英寸外的事物】研究人員利用一種對電場敏感的3D打印材料制造出了一種新型傳感器，它能準確識別...

2024-03-06 標簽：傳感器 DRAM 臺積電 1127 0

美光科技: 納米印刷助降DRAM成本

近期的演示會上，美光詳細闡述了其針對納米印刷與DRAM制造之間的具體工作模式。他們提出，DRAM工藝的每一個節(jié)點以及浸入式光刻的精度要求使得物理流程變得...

2024-03-05 標簽：DRAM 美光光刻技術(shù) 735 0

全球DRAM產(chǎn)業(yè)量價雙升，三大原廠獲益

三星作為行業(yè)領(lǐng)軍者，在本季度DRAM營收達到79.5億美元，環(huán)比增長近50％，主要受益于1αnm DDR5的出貨提速，服務(wù)器DRAM出貨量躍增逾60％。

2024-03-05 標簽：DRAM 服務(wù)器三星 634 0

SK海力士正探索與與鎧俠合作在日本生產(chǎn)HBM

HBM的競爭才剛剛開始。

2024-03-05 標簽：DRAM 存儲器人工智能 622 0

端接電阻沒選對，DDR顆粒白費？

端接可以解決很多反射問題，如果還有問題，有沒有一種可能是端接電阻阻值沒選對？

2024-03-04 標簽：電阻 DRAM DDR 636 0

AI時代勢不可擋，HBM價格飆升突顯其核心價值

與傳統(tǒng)的DRAM相比，HBM擁有更高的數(shù)據(jù)容量和更低的功耗，使其成為需要高性能和高效率的人工智能應(yīng)用程序的理想選擇。一位業(yè)內(nèi)人士表示，在人工智能計算...

2024-03-01 標簽：amd DRAM 人工智能 366 0

美光Micron的優(yōu)勢產(chǎn)品及應(yīng)用

美光科技宣布將投資10億美元在新加坡建設(shè)一家新的先進封裝和測試工廠

2024-02-27 標簽：DRAM NAND 內(nèi)存 1140 0

三星電子成功發(fā)布其首款12層堆疊HBM3E DRAM—HBM3E 12H

2024年2月27日 - 三星電子今日宣布，公司成功發(fā)布其首款12層堆疊HBM3E DRAM——HBM3E 12H，這是三星目前為止容量最大的HBM產(chǎn)品。

2024-02-27 標簽：DRAM 三星電子存儲器 790 0

美光科技批量生產(chǎn)HBM3E，推動人工智能發(fā)展

美光執(zhí)行副總裁兼首席商務(wù)官薩達納（Sumit Sadana）稱，公司已實現(xiàn)HBM3E的市場首發(fā)和卓越性能，同時能耗具有顯著優(yōu)勢，使公司在AI加速領(lǐng)域穩(wěn)占...

2024-02-27 標簽：DRAM 美光 HBM 413 0

戴爾科技宣布推出全新全閃存存儲PowerScale F210和PowerScale F710

下一代工作負載和AI帶來的巨大數(shù)據(jù)引力，客戶需要更快且更具成本效益的解決方案。

2024-02-26 標簽：驅(qū)動器 DRAM SSD 920 0

誰是DRAM的替代者？下一代DRAM，關(guān)注什么？

長期以來，人們一直期望持久內(nèi)存會帶來計算范式的轉(zhuǎn)變，但這不太可能很快發(fā)生。

2024-02-25 標簽：CMOS DRAM 人工智能 992 0

東京電子市值躍升至日本第三，人工智能與半導(dǎo)體設(shè)備推動公司增長

作為日本最大的半導(dǎo)體制造設(shè)備供應(yīng)商，東京電子的銷售額在全球半導(dǎo)體設(shè)備制造商中排名第四。根據(jù)2月21日數(shù)據(jù)，以美元衡量，其市值在全球半導(dǎo)體相關(guān)公司中占據(jù)第12位。

2024-02-25 標簽：半導(dǎo)體 DRAM 供應(yīng)商 1475 0

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