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DRAM(Dynamic Random Access Memory),即動態(tài)隨機(jī)存取存儲器,最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù),DRAM使用電容存儲,所以必須隔一段時間刷新(refresh)一次,如果存儲單元沒有被刷新,存儲的信息就會丟失。 (關(guān)機(jī)就會丟失數(shù)據(jù))

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dram資訊

三星電子在硅谷設(shè)立新實驗室,開發(fā)下一代3D DRAM芯片

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2024-01-29 標(biāo)簽:芯片DRAM三星電子 902 0

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該款高性能的 DRAM 采用 PAM3 編碼技術(shù),兼具 PAM4 和 NRZ 的優(yōu)點,相較于 NRZ,它能夠以更高的數(shù)據(jù)傳輸率運(yùn)行,且無需過高的內(nèi)存總線...

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三星電子新設(shè)內(nèi)存研發(fā)機(jī)構(gòu),專攻下一代3D DRAM技術(shù)研發(fā)

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2024-01-29 標(biāo)簽:芯片半導(dǎo)體DRAM 609 0

SK海力士第四季轉(zhuǎn)虧為盈 HBM3營收增長5倍

韓國存儲芯片巨頭SK海力士在2023年12月31日公布的第四季度財報中,展現(xiàn)出強(qiáng)大的增長勢頭。數(shù)據(jù)顯示,公司的主力產(chǎn)品DDR5 DRAM和HBM3的營收...

2024-01-26 標(biāo)簽:DRAM存儲芯片SK海力士 1250 0

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存儲芯片市場升溫,DRAM價格連續(xù)兩個月上漲

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LLW DRAM:AI智能手機(jī)時代的財富密碼

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SK海力士:挑戰(zhàn)美國限制,推進(jìn)中國半導(dǎo)體技術(shù)升級

無錫工廠是SK海力士的核心生產(chǎn)基地,其產(chǎn)量約占公司DRAM總產(chǎn)量的40%。目前,無錫工廠正在生產(chǎn)兩款較舊的10納米DRAM。

2024-01-16 標(biāo)簽:DRAM半導(dǎo)體制造SK海力士 389 0

SK海力士計劃提升中國無錫工廠技術(shù)水平,推動半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展

隨著全球半導(dǎo)體市場的復(fù)蘇,SK海力士認(rèn)識到,為了保持市場地位,推出更高性能的DRAM產(chǎn)品是必要的。

2024-01-15 標(biāo)簽:DRAMSK海力士EUV光刻機(jī) 1265 0

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