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標(biāo)簽 > dram
DRAM(Dynamic Random Access Memory),即動態(tài)隨機(jī)存取存儲器,最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù),DRAM使用電容存儲,所以必須隔一段時間刷新(refresh)一次,如果存儲單元沒有被刷新,存儲的信息就會丟失。 (關(guān)機(jī)就會丟失數(shù)據(jù))
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三星電子在硅谷設(shè)立新實驗室,開發(fā)下一代3D DRAM芯片
三星電子近日宣布,已在美國硅谷開設(shè)一個新的研發(fā)(R&D)實驗室,專注于下一代3D DRAM芯片的開發(fā)。這一新實驗室將由三星的Device Sol...
三星將展示16Gb GDDR7技術(shù),重點關(guān)注PAM3優(yōu)化TRX均衡和ZQ校準(zhǔn)
該款高性能的 DRAM 采用 PAM3 編碼技術(shù),兼具 PAM4 和 NRZ 的優(yōu)點,相較于 NRZ,它能夠以更高的數(shù)據(jù)傳輸率運(yùn)行,且無需過高的內(nèi)存總線...
三星電子新設(shè)內(nèi)存研發(fā)機(jī)構(gòu),專攻下一代3D DRAM技術(shù)研發(fā)
原有的DRAM采用2D結(jié)構(gòu),即大量元件密集排布在同一平面。然而,為了提升性能,儲存行業(yè)正致力于開發(fā)高密度的3D DRAM。這項技術(shù)包括水平堆積和垂直堆積...
SK海力士第四季轉(zhuǎn)虧為盈 HBM3營收增長5倍
韓國存儲芯片巨頭SK海力士在2023年12月31日公布的第四季度財報中,展現(xiàn)出強(qiáng)大的增長勢頭。數(shù)據(jù)顯示,公司的主力產(chǎn)品DDR5 DRAM和HBM3的營收...
泛林集團(tuán)業(yè)績創(chuàng)新高,中國市場占比48%
Yahoo Finance網(wǎng)站顯示,分析師預(yù)期泛林集團(tuán)第二季營收、Non-GAAP每股稀釋盈余各為37.1億美元、7.1美元。
DRAM漲價潮:廠商減產(chǎn)引發(fā)需求激增,持續(xù)尋求利潤改善
報導(dǎo)指出,因各家內(nèi)存廠商減產(chǎn)、市場過剩情況緩解,2023年11月DRAM批發(fā)價約2年半來首度呈現(xiàn)揚(yáng)升。各家內(nèi)存廠商為了改善獲利,今后將持續(xù)要求漲價。
2024-01-25 標(biāo)簽:DRAM存儲芯片Nand flash 364 0
存儲模組大廠威剛發(fā)布2023年財報數(shù)據(jù),2023年全年合并營收達(dá)337億新臺幣,同比下降3.9%。
2024年DRAM、NAND Flash合約價將如何演繹呢?
存儲作為半導(dǎo)體領(lǐng)域最大的一個細(xì)分之一,一直以來,它是行情晴雨表。2024年電子存儲行情如何呢?
DRAM稼動率緩步改善,業(yè)界認(rèn)為,整體DRAM投片量從2024年第1季將逐季提升,較2023年第4季小幅提升約5%左右,下半年投片量回升速度將明顯加快。
2024-01-23 標(biāo)簽:DRAM存儲芯片Nand flash 436 0
美光發(fā)布基于LPDDR5X的LPCAMM2內(nèi)存模塊
Micron Technology, Inc.(美光科技股份有限公司,納斯達(dá)克股票代碼:MU)近日宣布推出業(yè)界首款標(biāo)準(zhǔn)低功耗壓縮附加內(nèi)存模塊(LPCAM...
由于全球存儲芯片需求銳減,拖累了2023年全球半導(dǎo)體營收萎縮11%至5330億美元。其中,2023年全球存儲芯片營收暴跌37%,DRAM暴跌38.5%至...
2024-01-19 標(biāo)簽:英特爾DRAMNand flash 356 0
力積電2024年營收預(yù)期較去年增長,產(chǎn)能利用率有望提升至70%-75%?
力積電近期宣布了銅鑼新廠的進(jìn)展情況,截至目前已有80%的設(shè)備進(jìn)入并進(jìn)行調(diào)試,主要涉及55nm及40nm邏輯產(chǎn)品。同時,公司對2023年資本投入計劃進(jìn)行了...
2024年半導(dǎo)體行業(yè)有望回暖,資本支出與產(chǎn)能利用率提升
TechInsights進(jìn)一步揭示,盡管2024年初的半導(dǎo)體機(jī)件訂單活動和平靜無常,但由于存儲晶片銷售額的增加得以中和全線產(chǎn)品DAO銷售量的下滑,故存儲...
2024-01-18 標(biāo)簽:半導(dǎo)體DRAM存儲產(chǎn)業(yè) 788 0
LLW DRAM作為一種低功耗內(nèi)存,擁有寬I/O、低延遲、每個模塊/堆棧提供了128GB/s的帶寬,與一個128位DDR5-8000內(nèi)存子系統(tǒng)的帶寬相同。
2024-01-17 標(biāo)簽:智能手機(jī)DRAM片上系統(tǒng) 501 0
蘋果手表被曝將移除血氧傳感器技術(shù)以規(guī)避美國銷售禁令,消息稱SK海力士無錫工廠升級第四代DRAM
? 【華中科技大學(xué):研發(fā)自粘附壓力傳感器,用于水下目標(biāo)探測】 水下目標(biāo)探測是海洋技術(shù)領(lǐng)域的一個重要課題,涵蓋科學(xué)研究(例如海洋生物學(xué)和環(huán)境監(jiān)測)、工業(yè)(...
SK海力士:挑戰(zhàn)美國限制,推進(jìn)中國半導(dǎo)體技術(shù)升級
無錫工廠是SK海力士的核心生產(chǎn)基地,其產(chǎn)量約占公司DRAM總產(chǎn)量的40%。目前,無錫工廠正在生產(chǎn)兩款較舊的10納米DRAM。
2024-01-16 標(biāo)簽:DRAM半導(dǎo)體制造SK海力士 389 0
SK海力士計劃提升中國無錫工廠技術(shù)水平,推動半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展
隨著全球半導(dǎo)體市場的復(fù)蘇,SK海力士認(rèn)識到,為了保持市場地位,推出更高性能的DRAM產(chǎn)品是必要的。
2024-01-15 標(biāo)簽:DRAMSK海力士EUV光刻機(jī) 1265 0
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