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      標(biāo)簽　>　dram

      dram

      dram

      +關(guān)注40人關(guān)注

      DRAM（Dynamic Random Access Memory），即動態(tài)隨機存取存儲器，最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲，所以必須隔一段時間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的信息就會丟失。 （關(guān)機就會丟失數(shù)據(jù)）

      文章：2245個 瀏覽：183600次 帖子：82個

      dram資訊

      半導(dǎo)體芯片研究：中國存儲芯片行業(yè)概覽

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      DRAM、NAND Flash、NOR Flash合計約占整體存儲器芯片市場的97%;自2022年初起，下游需求市場的萎縮以及宏觀環(huán)境進一步惡化導(dǎo)致存儲...

      2024-01-14 標(biāo)簽：DRAM存儲器半導(dǎo)體芯片 2565 0

      SK海力士2024年第一季度將調(diào)整DRAM減產(chǎn)計劃

      盡管在2023年面臨存儲芯片市場下滑和價格下跌，SK海力士因應(yīng)人工智能芯片需求的增長，尤其是高帶寬內(nèi)存（HBM）的激增，于去年12月成功超越競爭對手三星...

      2024-01-12 標(biāo)簽：DRAM三星電子Nand flash 778 0

      三星正在研發(fā)新型LLW DRAM存儲器

      近日，三星宣布正在研發(fā)一種新型的LLW DRAM存儲器，這一創(chuàng)新技術(shù)具有高帶寬和低功耗的特性，有望引領(lǐng)未來內(nèi)存技術(shù)的發(fā)展。

      2024-01-12 標(biāo)簽：DRAM存儲器三星 757 0

      三星電子轉(zhuǎn)型之路：應(yīng)對挑戰(zhàn)，聚焦超級差距技術(shù)

      三星電子現(xiàn)在的目標(biāo)是在新興的高密度存儲芯片領(lǐng)域趕上競爭對手，計劃到2024年將容量提高2.5倍。HBM是一種能夠更快地處理數(shù)據(jù)的先進芯片，可與硬件配合使...

      2024-01-12 標(biāo)簽：DRAM三星電子人工智能 392 0

      半導(dǎo)體行業(yè)產(chǎn)業(yè)趨勢詳細(xì)報告

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      2023年上半年全球半導(dǎo)體處于下行周期，但AIGC帶來的新一輪技術(shù)創(chuàng)新引發(fā)需求大幅提升，行業(yè)有望在2024年迎來上行周期。

      2024-01-12 標(biāo)簽：DRAMNAND閃存芯片 1741 0

      南亞科存儲芯片營收連續(xù)虧損，第四季度DRAM平均售價環(huán)比增長

      2024年，南亞科預(yù)披露將啟動資本開銷約200億元，有待董事會批準(zhǔn)。同時進一步釋放消息，計劃2024年使用10nm第二代制程技術(shù)（1B）來生產(chǎn)8Gb D...

      2024-01-11 標(biāo)簽：DRAM南亞科DDR5 639 0

      電子市場低迷！三星營利暴跌85%?

      1月9日消息，據(jù)外媒報道，三星電子發(fā)布的財報指引顯示，該公司營業(yè)利潤連續(xù)第六個季度下滑，全年營利同比暴跌84.92%！這一現(xiàn)象反映出全球消費電子產(chǎn)品需求...

      2024-01-10 標(biāo)簽：芯片DRAM三星 731 0

      SK海力士CEO：AI芯片助推市值三年內(nèi)翻番

      郭魯正深信，生成式AI技術(shù)的廣泛應(yīng)用將使內(nèi)存的重要性日益凸顯，而消費者對存儲設(shè)備的需求亦將更為多元化。據(jù)其闡述，SK海力士正致力于研發(fā)新平臺，以便能滿足...

      2024-01-10 標(biāo)簽：DRAMSK海力士生成式AI 782 0

      2024年第一季度NAND Flash合同價格預(yù)計將上漲15%-20%

      2024年第一季度NAND Flash合同價格預(yù)計將上漲15%-20%

      供應(yīng)商為了盡量減少損失，正在推高NAND Flash價格。

      2024-01-10 標(biāo)簽：智能手機DRAM晶圓 758 0

      三星電子業(yè)績下滑：存儲芯片市場復(fù)蘇速度低于預(yù)期

      　　三星電子報告2023年第四季度營業(yè)利潤下降35%至2.8萬億韓元（約合21.3億美元），而分析師平均預(yù)期為3.7萬億韓元；營業(yè)收入同比下降4.9%至...

      2024-01-09 標(biāo)簽：DRAMNAND三星電子 1068 0

      三星今年或?qū)⒋罅ν七M先進DRAM生產(chǎn)

      消息透露，自2023年末起，存儲芯片價格逐漸上漲；盡管整個行業(yè)陷入衰退期，受服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心應(yīng)用拉動，先進DRAM芯片需求依然穩(wěn)健。而在另一方面，NAN...

      2024-01-09 標(biāo)簽：DRAM數(shù)據(jù)中心NAND閃存 954 0

      工業(yè)商數(shù)為基于AI的工業(yè)自動化提供關(guān)鍵支持

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      如今，全球物聯(lián)網(wǎng) (IoT) 設(shè)備已超過 150 億臺，預(yù)計到 2030 年，這一數(shù)字將超過 290 億。這些能處理海量數(shù)據(jù)的大型機器正在改變工業(yè)市場，...

      2024-01-09 標(biāo)簽：傳感器DRAM物聯(lián)網(wǎng) 761 0

      DRAM漲價啟動！Q1漲幅高達20%

      有存儲模組廠收到三星2024年第一季度將DRAM價格提高至少15%的通知。但三星并未提及NAND閃存定價，但預(yù)計NAND價格將繼續(xù)上漲。2023年12月...

      2024-01-08 標(biāo)簽：DRAMNAND閃存DDR5 881 0

      DRAM合約價一季度漲幅預(yù)計13~18%，移動設(shè)備DRAM引領(lǐng)市場

      據(jù)DRAM產(chǎn)品分類顯示，PC DRAM方面，DDR5訂單需求未得到充分滿足，買方預(yù)期DDR4價格將進一步上漲，這激發(fā)了備貨需求。盡管新一代設(shè)備向DDR5...

      2024-01-08 標(biāo)簽：智能手機DRAMDDR5 566 0

      傳三星/SK海力士已開始訂購DRAM機群工藝和HBM相關(guān)設(shè)備

      數(shù)據(jù)顯示，首爾半導(dǎo)體操作 DRAM晶圓及HBM相關(guān)設(shè)備的定單數(shù)量有所上升。其中三星電子已開始擴大其HBM生產(chǎn)能力，并啟動大規(guī)模HBM設(shè)備采購；此外，三星...

      2024-01-08 標(biāo)簽：DRAMSK海力士HBM 1026 0

      2024首季NAND漲勢持續(xù) SSD價格也將上揚

      據(jù)TrendForce估計，2024年第一季度DRAM及NAND閃存（eMMC/UFS）平均季度漲幅將達18%-23%，壟斷市場或品牌廠商爭奪下，漲幅甚...

      2024-01-08 標(biāo)簽：DRAMSSDNAND閃存 1717 0

      南亞科12月營收創(chuàng)新高，預(yù)期2024年存儲市況好轉(zhuǎn)

      據(jù)南亞科預(yù)測，他們將于 1 月 10 日在線舉辦法說會以公布2023年經(jīng)營情況以及對2024年的展望。取決于市場需求和供應(yīng)商減產(chǎn)的影響，業(yè)內(nèi)人士估計，2...

      2024-01-04 標(biāo)簽：DRAM存儲器南亞科 589 0

      瀾起科技推RCD04 DDR5寄存時鐘驅(qū)動器芯片

      RCD 組件用于緩存內(nèi)存控制器傳來的指令信號等數(shù)據(jù)，DB 則負(fù)責(zé)緩存來自內(nèi)存設(shè)備或 DRAM 的數(shù)據(jù)信號。它們結(jié)合使用可實現(xiàn)全部信號的緩存功能。單用 R...

      2024-01-04 標(biāo)簽：控制器DRAMRCD 830 0

      半導(dǎo)體暴增20%，哪些賽道市場會開始回暖呢？

      半導(dǎo)體暴增20%，哪些賽道市場會開始回暖呢？

      今年的半導(dǎo)體可謂寒風(fēng)瑟瑟，市場下滑的消息從年頭傳到年尾，半導(dǎo)體企業(yè)也疲于應(yīng)對蕭瑟的市場環(huán)境，不斷傳出減產(chǎn)、虧損的消息。

      2024-01-04 標(biāo)簽：半導(dǎo)體DRAM晶圓 716 0

      半導(dǎo)體核心技術(shù)外流中國 韓研議提高相關(guān)刑責(zé)

      近期，韓國主要的半導(dǎo)體制造商三星電子曝出重大泄密案，員工和供應(yīng)商泄露了公司的重大技術(shù)信息，引發(fā)巨大經(jīng)濟損失。據(jù)悉，兩名涉事員工金某和方某已被當(dāng)?shù)貦z方起訴...

      2024-01-04 標(biāo)簽：DRAM三星電子半導(dǎo)體設(shè)備 766 0

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      • 貿(mào)澤電子
        貿(mào)澤電子
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        貿(mào)澤電子是一家全球知名的半導(dǎo)體和電子元器件授權(quán)分銷商，分銷1100多家品牌制造商的產(chǎn)品。貿(mào)澤電子專注于快速引入新產(chǎn)品和新技術(shù)，為設(shè)計工程師和采購人員提供引領(lǐng)潮流的選擇。
      • 寒武紀(jì)
        寒武紀(jì)
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        寒武紀(jì)是目前國際上少數(shù)幾家全面系統(tǒng)掌握了通用型智能芯片及其基礎(chǔ)系統(tǒng)軟件研發(fā)和產(chǎn)品化核心技術(shù)的企業(yè)之一，能提供云邊端一體、軟硬件協(xié)同、訓(xùn)練推理融合、具備統(tǒng)一生態(tài)的系列化智能芯片產(chǎn)品和平臺化基礎(chǔ)系統(tǒng)軟件。
      • 半導(dǎo)體芯片
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        半導(dǎo)體芯片：在半導(dǎo)體片材上進行浸蝕，布線，制成的能實現(xiàn)某種功能的半導(dǎo)體器件。不只是硅芯片，常見的還包括砷化鎵（砷化鎵有毒，所以一些劣質(zhì)電路板不要好奇分解它），鍺等半導(dǎo)體材料。半導(dǎo)體也像汽車有潮流。二十世紀(jì)七十年代，因特爾等美國企業(yè)在動態(tài)隨機存取內(nèi)存（D-RAM）市場占上風(fēng)。
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        德國易能森有限公司(EnOcean GmbH)是無線能量采集技術(shù)的開創(chuàng)者。2012年3月，國際電工技術(shù)委員會將EnOcean無線通信標(biāo)準(zhǔn)采納為國際標(biāo)準(zhǔn)“ISO/IEC 14543-3-10”，這也是世界上唯一使用能量采集技術(shù)的無線國際標(biāo)準(zhǔn)。
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        Heilind為電子行業(yè)各細(xì)分市場的原始設(shè)備制造商和合約制造商提供支持，供應(yīng)來自業(yè)界頂尖制造商的產(chǎn)品，涵蓋25個不同元器件類別，并特別專注于互連與機電產(chǎn)品。其主要分銷產(chǎn)品包括互連器件、繼電器、風(fēng)扇、開關(guān)和傳感器、電路保護與熱管理、套管和線束產(chǎn)品、晶體與振蕩器。
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