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DRAM（Dynamic Random Access Memory），即動態(tài)隨機存取存儲器，最為常見的系統內存。DRAM 只能將數據保持很短的時間。為了保持數據，DRAM使用電容存儲，所以必須隔一段時間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的信息就會丟失。（關機就會丟失數據）

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三星半導體欲扭虧為盈，營業(yè)利潤預計達11.5萬億韓元

當前，人工智能熱潮助推了三星存儲芯片銷售。盡管2023年因DRAM、NAND供應異常充足，導致價格大跌，使其陷入嚴重虧損，但得益于減產政策的成效，近期此...

2024-01-04 標簽：DRAM NAND 人工智能 578 0

DRAM價格飆升，三星和美光計劃Q1漲幅高達20%

根據最新的存儲器模組行業(yè)消息，隨著自2023年下半年以來NAND Flash價格一路攀升，三星電子和美光等主要存儲器制造商計劃在Q1上調DRAM價格，漲...

2024-01-03 標簽：DRAM NAND 美光 1262 0

存儲市場動態(tài)：DRAM價格大幅上漲在即

隨著上游原廠醞釀提價，多家存儲器模塊業(yè)者已經開始備貨，以應對潛在的市場變化。預計供應給OEM廠商的合約價將在二季度起全面反映DRAM的漲價趨勢。

2024-01-03 標簽：DRAM 存儲器 DDR4 1130 0

傳三星與美光第一季DRAM價格漲幅15%~20%

近期，全球DRAM市場風云再起。兩大巨頭三星和SK海力士紛紛宣布增加設備投資和產能，這一舉動無疑將對整個市場帶來深遠的影響。而現在，最新消息表明，DRA...

2024-01-03 標簽：DRAM FlaSh 美光 976 0

DRAM價格上漲因存儲巨頭減產，供需緊張料持續(xù)至年底

據報道，近期三星宣布自明年第一季度起，DRAM價格將上漲至少15%；盡管NAND閃存漲價跡象尚不明顯，但預測同樣存在跟進上漲的可能。據IT之家引用集邦觀...

2024-01-03 標簽：DRAM NAND閃存三星 865 0

三星與美光擬提DRAM價格，以求盈利回暖

部分存儲模組廠已接到三星通知，要求明年年初至少將DRAM價格上調15%以上，且該通知并未涉及NAND閃存定價，故預計后者將會持續(xù)上漲。DRAM價格在去年...

2024-01-03 標簽：DRAM NAND 存儲模組 1044 0

NAND芯片價格或將上漲40%以上

根據Omdia調查數據，全球儲存型快閃記憶體（NAND Flash）市場中，韓國三星占據34.3%的份額領跑，日本鎧俠緊隨其后（占比19.5%），美國威...

2024-01-03 標簽：芯片 DRAM NAND 551 0

三星目標：營收增至11.5萬億韓元！

三星 DS 部門在 2023 年的營業(yè)利潤預估虧損 13 萬億韓元（當前約 712.4 億元人民幣），而今年的目標是 11.5 萬億韓元，意味著增加接近...

2024-01-02 標簽：半導體 DRAM 三星電子 708 0

華邦電子朱迪：AI和汽車半導體需求持續(xù)抬升，看好DRAM市場增長

2023年，盡管面臨宏觀環(huán)境疲弱所致的存儲行業(yè)整體景氣不佳，華邦依然依靠對行業(yè)和客戶的深度耕耘和優(yōu)質產品及服務取得不錯成績，業(yè)績表現較友商相對為佳。20...

2024-01-02 標簽：DRAM AI 華邦電子 1806 0

三星半導體立志達成高額營業(yè)利潤

證券分析人士預計，2023年，三星電子整體營業(yè)利潤將達33.81萬億韓元，這使得該公司DS部門的營業(yè)利潤有望翻倍。然而需要注意的是，盡管這樣的預期表現積...

2024-01-02 標簽：DRAM Nand 三星電子 478 0

日本擴大投資補貼，挑戰(zhàn)韓國半導體行業(yè)主導地位

韓國新聞網站《東亞日報》對此發(fā)表評論指出，面臨強大的競爭環(huán)境，東京政府毅然推出了高達50％的半導體補貼計劃，這對于吸引當地及國際上的商業(yè)巨頭發(fā)揮著重要作...

2023-12-29 標簽：半導體 DRAM 產業(yè)鏈 557 0

海太半導體擬將7800萬美元應收賬款轉給建行無錫分行

參與這項交易有助于加快海太半導體的資金回籠速度，降低公司的應收賬款余額，推動其資產負債結構及經營現金流的優(yōu)化，最終助力海太半導體維持穩(wěn)健的生產運營以及支...

2023-12-28 標簽：半導體 DRAM 模組 492 0

日本巨額補貼半導體，引發(fā)韓國擔憂

據報道，美光公司正在日本廣島興建DRAM工廠，已得到來自日本政府約39%的投資額補貼，其預期的成本競爭力由提升5%-7%。在半導體設備投入大量資金的情況...

2023-12-28 標簽：半導體 DRAM 臺積電 566 0

三星及Naver展示能效比英偉達芯片高8倍的AI芯片

韓國政府計劃到2030年分三個階段增強韓國產AI半導體。

2023-12-28 標簽：DRAM 人工智能 NPU 842 0

兆易創(chuàng)新：NOR Flash和SLC Nand Flash價格已趨于平穩(wěn)

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2023-12-27 標簽：mcu DRAM DDR4 694 0

佰維公司成功推出支持CXL 2.0規(guī)范的CXL DRAM內存擴展模塊

　　近日，國內知名存儲器制造企業(yè)佰維科技股份有限公司(以下簡稱“佰維”)欣然宣告，其在DRAM技術領域取得了重要突破——成功研發(fā)并量產了符合CXL 2....

2023-12-27 標簽：DRAM 存儲器內存 749 0

佰維發(fā)布CXL 2.0 DRAM，賦能高性能計算

導語： CXL是一種開放式全新互聯技術標準，可在主機處理器與加速器、內存緩沖區(qū)、智能I/O設備等設備之間提供高帶寬、低延遲連接，從而滿足高性能異構計算的...

2023-12-27 標簽：DRAM SSD 高性能計算 646 1

NOR Flash行業(yè)將迎來拐點明年可能供不應求

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DRAM、NAND閃存漲價意愿非常強烈

NAND產品中，同樣代表市場行情的256Gb TLC，第四季度單價為1.85美元左右，相比三季度上漲12％。

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