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標(biāo)簽 > dram
DRAM(Dynamic Random Access Memory),即動態(tài)隨機(jī)存取存儲器,最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù),DRAM使用電容存儲,所以必須隔一段時(shí)間刷新(refresh)一次,如果存儲單元沒有被刷新,存儲的信息就會丟失。 (關(guān)機(jī)就會丟失數(shù)據(jù))
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BBCube3D以混合3D方法實(shí)現(xiàn)異構(gòu)集成
日本東京工業(yè)大學(xué)(Tokyo Tech)的研究人員開發(fā)了一種用于處理單元(processing units)和內(nèi)存堆疊的創(chuàng)新三維集成技術(shù),可以實(shí)現(xiàn)目前“...
單芯片超過 100Gb,三星表示將挑戰(zhàn)業(yè)界最高密度 DRAM 芯片
三星電子在此次會議上表示:“從2023年5月開始批量生產(chǎn)了12納米級dram,目前正在開發(fā)的11納米級dram將提供業(yè)界最高密度。”另外,三星正在準(zhǔn)備1...
第四季度DRAM和NAND全面漲價(jià),成本上漲約30%
從2024年第四季度開始,DRAM和NAND閃存的價(jià)格將全面上漲,這已經(jīng)導(dǎo)致國內(nèi)存儲器下游企業(yè)的閃存采購成本上漲了近20%,而內(nèi)存采購成本上漲了約30%。
野村APAC技術(shù)研究所主管David Wong也說,半導(dǎo)體業(yè)這波庫存調(diào)整周期從去年中開始,現(xiàn)在可能已經(jīng)進(jìn)入尾聲,晶片景氣循環(huán)可能轉(zhuǎn)為上行,時(shí)間點(diǎn)在明年初...
內(nèi)存、閃存全面漲價(jià)!1TB、12/16GB大內(nèi)存手機(jī)且買且珍惜
隨之而來的影響,即從今年四季度開始,存儲元器件成本上漲所帶來的影響將逐漸傳導(dǎo)至消費(fèi)端,筆記本電腦、手機(jī)等終端產(chǎn)品可能面臨漲價(jià)局面。
據(jù)韓國貿(mào)易部16日公布的資料顯示,韓國9月份的nand閃存出口額比去年同期增加了5.6%,但8月份減少了8.9%。存儲器半導(dǎo)體業(yè)界的另一個(gè)支柱——3.3...
據(jù)TrendForce的研究顯示,第4季DRAM與NAND Flash均價(jià)將開始全面上漲。特別是DRAM,預(yù)計(jì)第4季的合約價(jià)將季漲幅約在3%到8%之間。...
美光利用1β工藝技術(shù)提供高速7,200 MT/s DDR5內(nèi)存
隨著數(shù)據(jù)中心工作負(fù)載所需cpu核心數(shù)量的增加,對更高內(nèi)存帶寬和容量的要求增加,克服了“內(nèi)存墻”問題,優(yōu)化了總擁有費(fèi)用。美光公司的 1β DDR5 DRA...
從單片SoC向異構(gòu)芯片和小芯片封裝的轉(zhuǎn)變正在加速
關(guān)于異構(gòu)集成和高級封裝的任何討論的一個(gè)良好起點(diǎn)是商定的術(shù)語。異構(gòu)集成一詞最常見的用途可能是高帶寬內(nèi)存 (HBM) 與某種 GPU/NPU/CPU 或所有...
這一逆轉(zhuǎn)是因?yàn)椋趦?nèi)存芯片價(jià)格跌至谷底并沒有像一些人預(yù)測的那樣快回升后,傳統(tǒng)上最大的盈利部門——芯片部門可能報(bào)告季度虧損 3 萬億至 4 萬億韓元。
面向電信和邊緣應(yīng)用的新一代EPYC處理器Siena
Hot Chips 2023大會上,AMD展示了一系列新產(chǎn)品,包括備受期待的AMD EPYC Genoa、Genoa-X和Bergamo CPU。
NAND Flash四季度漲幅預(yù)計(jì)10%以上
三星內(nèi)部認(rèn)為當(dāng)前NAND Flash供應(yīng)價(jià)格過低,計(jì)劃從今年四季度開始調(diào)漲NAND Flash產(chǎn)品的合約價(jià)格,漲幅預(yù)計(jì)在10%以上。
此時(shí)先進(jìn)封裝開始嶄露頭角,以蘋果和臺積電為代表,開啟了一場新的革命,其主要分為兩大類,一種是基于XY平面延伸的先進(jìn)封裝技術(shù),主要通過RDL進(jìn)行信號的延伸...
10月9日,韓國半導(dǎo)體業(yè)傳來好消息,美國將無限期豁免三星電子和SK海力士向其在我國的工廠提供半導(dǎo)體設(shè)備,而且無需其它許可;美方的這一決定即日起生效。 三...
HBM3E明年商業(yè)出貨,兼具高速和低成本優(yōu)點(diǎn)
? ? 據(jù)了解,HBM(High Bandwidth Memory)是指垂直連接多個(gè)DRAM,能夠提升數(shù)據(jù)處理速度,HBM DRAM產(chǎn)品以 HBM(第一...
在芯片供應(yīng)過剩、需求低迷的情況下,DRAM芯片現(xiàn)貨價(jià)格自2022年2月以來一直處于下跌狀態(tài)。三星和SK海力士自去年底開始大幅削減芯片產(chǎn)量,導(dǎo)致芯片庫存資...
同時(shí)取代閃存和DRAM,ULTRARAM真有這個(gè)潛力嗎?
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/周凱揚(yáng))在近期的閃存峰會上,一家由英國蘭卡斯特大學(xué)孵化的初創(chuàng)公司Quinas Technology獲得了創(chuàng)新大獎。他們展示了ULT...
平澤p3 晶圓廠是三星最大的生產(chǎn)基地之一。據(jù)報(bào)道,三星原計(jì)劃將p3工廠的生產(chǎn)能力增加到8萬個(gè)dram和3萬個(gè)nand芯片,但目前已將生產(chǎn)能力減少到5萬...
用于個(gè)人電腦(PC)和智能手機(jī)的半導(dǎo)體存儲芯片DRAM的價(jià)格已經(jīng)停止下跌。根據(jù)存儲芯片制造商和設(shè)備制造商參考8月份的交易價(jià)格確定,作為指標(biāo)的8GB DD...
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