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標(biāo)簽 > dram
DRAM(Dynamic Random Access Memory),即動態(tài)隨機(jī)存取存儲器,最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù),DRAM使用電容存儲,所以必須隔一段時間刷新(refresh)一次,如果存儲單元沒有被刷新,存儲的信息就會丟失。 (關(guān)機(jī)就會丟失數(shù)據(jù))
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?CXL與JEDEC攜手將給內(nèi)存行業(yè)帶來新的轉(zhuǎn)機(jī)
CXL是英特爾推出的標(biāo)準(zhǔn)。在2019年,英特爾推出了CXL。CXL是高度中央處理器到設(shè)備和CPU到內(nèi)存鏈接的開放標(biāo)準(zhǔn)。其推出的目的在于簡化加速器和內(nèi)存擴(kuò)...
2022-09-05 標(biāo)簽:DRAM內(nèi)存控制器DDR5 430 0
DRAM進(jìn)入到下一個發(fā)展階段,其未來技術(shù)路線如何呢?
在半導(dǎo)體存儲器中,按照電源關(guān)斷后數(shù)據(jù)能否被保存可分為ROM(Read Only Memory只讀存儲器,關(guān)閉電源仍可保留數(shù)據(jù))和RAM(Random A...
EUV 光刻技術(shù)被視為先進(jìn)半導(dǎo)體制造的最大瓶頸,但這些價值超過 1.5 億美元的工具是沒有光掩模的paperweights。一個恰當(dāng)?shù)谋扔魇牵庋谀?梢?..
芯片庫存問題浮現(xiàn)?中國半導(dǎo)體2022年展望,新增長動力在哪里?SEMI馮莉最新分析
2022年,全球半導(dǎo)體市場進(jìn)展如何?芯片的庫存問題不是第一次出現(xiàn),今年的狀況為何突然加劇?全球12英寸晶圓廠產(chǎn)能最新進(jìn)展如何?哪些終端市場的應(yīng)用能帶動半...
突破存儲器帶寬和容量限制三星CXL存儲器擴(kuò)展設(shè)備
CXL是CXL聯(lián)盟開發(fā)的一項(xiàng)開放式互聯(lián)新標(biāo)準(zhǔn),基于PCIe物理層的高速、低延遲CPU到設(shè)備互連技術(shù)。CXL可在主機(jī)CPU和互聯(lián)設(shè)備(例如加速器和存儲器擴(kuò)...
以“互聯(lián)互通互融·共進(jìn)共享共贏”為主題的第六屆絲綢之路國際博覽會暨中國東西部合作與投資貿(mào)易洽談會(簡稱“絲博會”)在西安國際會展中心開幕。西安紫光國芯半...
評估云和數(shù)據(jù)中心應(yīng)用程序的ReRAM技術(shù)選擇
ReRAM 技術(shù)通過能夠滿足不斷增長的數(shù)據(jù)需求的更快、更密集和超低延遲的解決方案實(shí)現(xiàn)下一代企業(yè)存儲。隨著能源使用和壽命成為云和數(shù)據(jù)中心環(huán)境中的關(guān)鍵總...
解決功率損耗問題的另一種方法是消除問題的根源。無 DRAM 固態(tài)硬盤從等式中去除了易失性 DRAM 數(shù)據(jù)緩沖區(qū),使斷電保護(hù)更簡單,因?yàn)殛P(guān)鍵數(shù)據(jù)永遠(yuǎn)不...
熱概念增強(qiáng)DRAM內(nèi)存子系統(tǒng)設(shè)計
熱管理問題隨著內(nèi)存技術(shù)的發(fā)展而發(fā)展,并成為嵌入式系統(tǒng)、可靠性和性能的關(guān)鍵。系統(tǒng)設(shè)計師和內(nèi)存子系統(tǒng)設(shè)計師之間的設(shè)計動態(tài)也在不斷發(fā)展,并可能影響為耐用性...
在芯片成品制造環(huán)節(jié)中,市場對于傳統(tǒng)打線封裝的依賴仍居高不下。市場對于使用多芯片堆疊技術(shù)、來實(shí)現(xiàn)同尺寸器件中的高存儲密度的需求也日益增長。這類需求給半導(dǎo)體...
在提高內(nèi)存速度的情況下如何降低傳輸慢對系統(tǒng)性能帶來負(fù)面影響
緩存又有分為一級緩存、二級緩存等等。他們的速度也有所不同,從一級緩存以后讀取速度依次降低。為什么呢?雖然都是采用的SRAM存儲器,但是數(shù)據(jù)檢索需要時間,...
長鑫存儲入選“2021—2022年度半導(dǎo)體與集成電路最具投資價值公司”
日前,甲子光年舉辦的“2022科技產(chǎn)業(yè)投資峰會”長鑫存儲入選“2021—2022年度半導(dǎo)體與集成電路最具投資價值公司”。長鑫存儲作為國內(nèi)專業(yè)從事DRAM...
盡管業(yè)界對包括摩爾定律、內(nèi)存墻差異等傳統(tǒng)原則的有效性爭議不斷,但半導(dǎo)體領(lǐng)域仍普遍認(rèn)為,多年來內(nèi)存行業(yè)的價值主張?jiān)诤艽蟪潭壬鲜冀K以系統(tǒng)級需求為導(dǎo)向,已經(jīng)突...
CXL 3.0標(biāo)準(zhǔn)發(fā)布,下一個完整版本CXL 3.0
這是一個雄心勃勃但得到廣泛支持的路線圖,在短短三年內(nèi)使,CXL 便成為事實(shí)上的先進(jìn)設(shè)備互連標(biāo)準(zhǔn),這就導(dǎo)致競爭對手標(biāo)準(zhǔn) Gen-Z、CCIX 以及截至昨天...
瑞薩半導(dǎo)體副總裁兼總經(jīng)理拉米·塞西對此表示同意。“人們普遍承認(rèn)DDR總線在支持多時隙配置方面的能力將隨著時間的推移而變得越來越困難。當(dāng)你以每秒6、7、8...
海力士表示,第二季度用于設(shè)備和服務(wù)器的DRAM芯片出貨量較第一季度增長約10%,NAND閃存芯片的出貨量以高個位數(shù)的百分比增長。第二季度銷售額創(chuàng)下2...
存儲設(shè)備制造商瞄準(zhǔn) ASIL 合規(guī)性
多倫多 — DDR5 在 DRAM 市場上占據(jù)主導(dǎo)地位還需要一段時間,但在汽車應(yīng)用方面,搶占先機(jī)以使存儲設(shè)備符合最新、最出色的汽車系統(tǒng)的可靠性和功能安全...
該路線圖已演變?yōu)閲H設(shè)備和系統(tǒng)路線圖或IRDS路線圖,與ITRS路線圖的不同的是,它更多地是由上而下,而不是由下而上推導(dǎo)出來的。換句話說,它不是由芯片制...
英特爾傲騰持久內(nèi)存助力移動云應(yīng)對嚴(yán)苛內(nèi)存挑戰(zhàn)
在數(shù)字化創(chuàng)新快速發(fā)展的今天,海量數(shù)據(jù)加速處理與分析需求激增,以高性能、低時延為特征的 Redis 等內(nèi)存數(shù)據(jù)庫開始在各行業(yè)得到廣泛應(yīng)用。 Redis 作...
FinFET確切的說,是一個技術(shù)的代稱。世界上第一個3D三維晶體管是由英特爾在2011年5月宣布研制成功,當(dāng)時英特爾稱其為 “Tri-Gate”(三柵極...
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