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DRAM(Dynamic Random Access Memory),即動態隨機存取存儲器,最為常見的系統內存。DRAM 只能將數據保持很短的時間。為了保持數據,DRAM使用電容存儲,所以必須隔一段時間刷新(refresh)一次,如果存儲單元沒有被刷新,存儲的信息就會丟失。 (關機就會丟失數據)
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SK海力士將在1c DRAM生產中采用新型Inpria MOR光刻膠
據 TheElec報道,SK Hynix 已決定在其第 6 帶(即 1c 工藝,約為 10nm)DRAM 生產過程中采用 Inpria 下一代金屬氧化物...
四川云海芯科完成A輪融資,致力于國產化存儲芯片及解決方案研發
這家成立于2022年8月的初創企業致力于研發與銷售國產化存儲芯片以及相應解決方案,主營業務包括SSD存儲方案及DRAM方案設計。公司總部設在成都,并在北...
據日媒報道,美光科技計劃投入6000億-8000億日圓(約合人民幣277-369億元)在日本廣島縣興建新廠,用于生產DRAM芯片。這座新廠房將于2026...
在近日舉行的IEEE IMW 2024活動上,三星DRAM部門的執行副總裁Siwoo Lee宣布了一個重要里程碑:三星已與其他公司合作,成功研發出16層...
廣穎電通亮相2024臺北國際電腦展,展示DRAM-less無外置緩存解決方案
其中最令人矚目的是其采用DRAM-less無外部緩存方案的PCIe Gen5固態硬盤US85,此款固態硬盤具備PCIe Gen5x4高速傳輸接口,順序讀...
全球領先的半導體制造商美光科技近日宣布,將在日本廣島縣興建一座新的DRAM芯片生產工廠。該項目的總投資預計高達6000億至8000億日元,預計于2026...
近日,美國芯片巨頭美光科技宣布了一項重大投資計劃。據悉,該公司將在日本廣島縣建設一家全新的DRAM芯片工廠,預計總投資將達到6000至8000億日元。
據悉,新廠將采用EUV光刻機技術,并計劃在2025年量產的下一代1-gamma(nm)節點引入EUV光刻技術。鑒于DRAM行業的代際周期,新廠有望具備生...
美光近期發布的內存和存儲產品組合創新備受矚目,這些成就加速了 AI 的發展。美光 8 層堆疊和 12 層堆疊 HBM3E 解決方案提供業界前沿性能,功耗...
SK海力士:HBM3E量產時間縮短50%,達到大約80%范圍的目標良率
據報道,SK海力士宣布第五代高帶寬存儲(HBM)—HBM3E的良率已接近80%。
5月23日,美國得克薩斯州東區地方法院裁判小組判定美光生產的DRAM芯片侵犯了Netlist關于優化檔案調用性能的兩項專利,并認定美光有意侵權。
在今年的IEEE IMW 2024活動中,三星DRAM業務的資深副總裁Lee指出,已有多家科技巨頭如三星成功制造出16層3D DRAM,其中美光更是發展...
在DRAM和NAND芯片的生產上,三星和SK海力士兩大巨頭依然保持謹慎態度。盡管四月份8Gb DDR4 DRAM通用內存的合約價環比上漲,這一上漲主要歸...
根據行業預估,三星和SK海力士有望在今年擴展產量以應對逐步好轉的半導體市場環境。然而,他們在今年一季度財政報告會上均表示,DRAM產量可能會受到制約。
據悉,四月份8GB DDR4 DRAM的合同價格較上月增長了17%,但128GB(16G x 8)MLC通用閃存在便攜式存儲設備如閃存盤中的價格維持不變。
據市調機構TrendForce估算,市場對HBM需求呈現高速增長,加上HBM利潤高,故三星、SK海力士及美光國際三大原廠將增加資金投入與產能投片
三星電子與SK海力士預測存儲芯片市場需求強烈,HBM產能售罄
全球知名存儲芯片制造巨頭三星及SK海力士預判,今年DRAM和高帶寬存儲器(HBM)價格將持續攀升,受益于市場對于高端芯片,尤其是人工智能相關芯片的強大需求。
SK海力士、三星電子:HBM內存供應充足,明年HBM4將量產
這類內存的售價遠高于主流 DRAM,而由于制作 TSV 工藝的良率問題,對晶圓的消費量更是達到普通內存的 2-3 倍。因此,內存廠商需提高 HBM 產量...
SK海力士HBM4E內存2025年下半年采用32Gb DRAM裸片量產
值得注意的是,目前全球三大內存制造商都還未開始量產1c nm(第六代10+nm級)制程DRAM內存顆粒。早前報道,三星電子與SK海力士預計今年內實現1c...
美光LPDDR5內存為汽車高級駕駛輔助系統(ADAS)提供解決方案
長期以來,汽車功能安全主要由一級供應商和汽車主機廠商(OEM) 負責。如今,隨著車輛系統復雜性的提升和車內電子元件的不斷增加,功能安全正逐漸成為半導體廠...
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