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EDA是電子設計自動化(Electronics Design Automation)的縮寫,在20世紀60年代中期從計算機輔助設計(CAD)、計算機輔助制造(CAM)、計算機輔助測試(CAT)和計算機輔助工程(CAE)的概念發展而來的。
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目前主流的實現方式是使用絕緣體上硅(Silicon on Insulator)技術。使用等離子體浸沒注入或者晶圓鍵合技術制造SOI Wafer,在硅下面...
EDA探索之MOSFET收縮,Happy Scaling Era
一般而言,每一代集成電路工藝在尺寸上縮減至上一代的0.7倍(即S因子1.428),表現在面積上,就是0.7的平方,0.49倍。即面積比原來小一半,密度比...
在高速PCB中,為實現差分信號等長,且差分對每條線阻抗連續,有時候我們需要對單差分對做特殊調整。 對它的繞線進行補償,但是這種補償,需要依據仿真分析結果...
算法是對芯片系統進行的整體戰略規劃,決定了芯片各個模塊功能定義及實現方式,指引著整個芯片設計的目標和方向。可謂,牽一發而動全身。
其中柵極方向與有源區方向呈垂直交錯,中間白色的區域就是隔離區,或稱為場區。我們最常見的照片是沿著有源區方向做截面的,如果沿著柵極方向做截面,則可以看到完...
整個 EDA 的市場規模在整個集成電路產業中占比很小,和以互聯網為代表的信息技術服務產業相比更是九牛一毛。但是EDA產業是電子設計產業的最上游,也是整個...
在云端部署云原生EDA工具和預先針對IC設計而優化的硬件平臺,以及靈活的EDA使用授權模式,讓云端EDA成為很有吸引力的選擇。云計算部署模式有三種形式:...
射頻芯片作為模擬電路王冠上的明珠,一直被認為是芯片設計中的“華山之巔”。 一方面因為射頻電路的物理形狀和周圍介質分布會對射頻信號的傳輸造成很大影響。
精確控制集成電路中MOSFET的閾值電壓對電路的可靠性至關重要。通常情況下,閾值電壓是通過向溝道區的離子注入來調整的。
以NMOS為例在源漏穿通發生之后,對于載流子而言存在一個N-D-N的通道。源極的部分電子進入耗盡區后,有一定可能被電場直接掃進漏極,進而被漏極收集,從而...
Formal Verification:形式驗證的分類、發展、適用場景
形式驗證分為兩大分支:Equivalence Checking 等價檢查 和 Property Checking 屬性檢查 形式驗證初次被EDA工具采用...
一般來講,我們認為器件在線性區漏極電壓很小,沒有GIDL現象 。從上圖明顯可以看到在0V時Idsat曲線比Idlin曲線的電流高了兩個數量級。在反方向繼...
IP 驗證包括了協議類IP(QSPI)的驗證環境和算法類IP(ISP)的驗證環境。
回顧60多年計算行業的發展史,芯片的算力提升一直按照摩爾定律的節奏推進,但主流的計算范式始終遵循馮-諾依曼架構設計。
模擬IC是負責生產、放大和處理各類模擬信號的電路,工程師通過模擬電路把模擬信號放大縮小后,再全部記錄下來,是連續的信號;
射頻芯片作為模擬電路王冠上的明珠,一直被認為是芯片設計中的“華山之巔”。一方面因為射頻電路的物理形狀和周圍介質分布會對射頻信號的傳輸造成很大影響。
DIBL不僅只發生在亞閾值區,引起閾值電壓的下降。在飽和區晶體管導通后,由于勢壘的降低,同樣會引入更多的載流子注入,從而降低晶體管的導通電阻。
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