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　　EEPROM （Electrically Erasable Programmable read only memory）是指帶電可擦可編程只讀存儲器。是一種掉電后數(shù)據(jù)不丟失的存儲芯片。 EEPROM 可以在電腦上或?qū)Ｓ迷O(shè)備上擦除已有信息，重新編程。一般用在即插即用。

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eeprom技術(shù)

如何實(shí)現(xiàn)一種基于STM32單片機(jī)的電子密碼鎖設(shè)計(jì)？

本項(xiàng)目使用Proteus8仿真STM32單片機(jī)控制器，使用LCD1602液晶、矩陣按鍵、蜂鳴器、EEPROM模塊、繼電器模塊等。

2023-07-24 標(biāo)簽：繼電器 EEPROM 電子密碼鎖 2432 0

STM32入門學(xué)習(xí)筆記之EEPROM存儲實(shí)驗(yàn)1

EEPROM（Electrically Erasable Programmable read only memory），稱為帶電可擦除可編程只讀存儲器，...

2023-02-16 標(biāo)簽：存儲器 EEPROM 存儲芯片 2408 0

STM32基礎(chǔ)知識：IIC總線操作EEPROM存儲模塊AT24C02

本文是IIC總線的實(shí)際應(yīng)用，將帶領(lǐng)讀者一步一步閱讀AT24C02數(shù)據(jù)手冊，看時(shí)序圖了解如何使用IIC接口EEPROM存儲模塊AT24C02，并編寫代碼使...

2023-10-26 標(biāo)簽：STM32 EEPROM IIC總線 2398 0

為什么大家喜歡用Fee的Fls，而不是Ea的EEPROM？

為什么大家喜歡用Fee的Fls，而不是Ea的EEPROM？我猜是成本問題，因?yàn)镋EPROM要外掛額外的芯片，而Fls（DataFlash）是內(nèi)置在MCU中的。

2023-05-22 標(biāo)簽：FlaSh 存儲器 EEPROM 2396 0

使用MCU Flash存儲數(shù)據(jù)舉例

ME32x系列是內(nèi)嵌ARM Cortex M0/M3核的32位微控制器。該系列控制器由敏矽微電子有限公司自主開發(fā)，并具有自主知識產(chǎn)權(quán)。敏矽微電子的微控制...

2022-09-28 標(biāo)簽：mcu FlaSh 存儲器 2395 0

小凌派RK2206開發(fā)板EEPROM存儲案例詳解

一、簡介在實(shí)際的應(yīng)用中，保存在RAM中的數(shù)據(jù)掉電后就丟失了，保存在FLASH中的數(shù)據(jù)又不能隨意改變，也就是不能用它來記錄變化的數(shù)值。但是在某些特定場合...

2022-04-15 標(biāo)簽：EEPROM 開發(fā)板鴻蒙開發(fā)板 2349 0

ADBMS2950高壓電池組監(jiān)控器簡介

ADBMS2950 是一款適用于電動(dòng)車輛、混合動(dòng)力車輛以及其他電流或電壓檢測應(yīng)用的高壓電池組監(jiān)控器

2023-07-06 標(biāo)簽：控制器 EEPROM 監(jiān)控器 2320 0

如何使用串行EEPROM的仿真模式和編碼方案來解決問題

出于保修原因，最好計(jì)算某些事件，例如電源循環(huán)、工作時(shí)間、硬（按鈕）復(fù)位和超時(shí)。雖然數(shù)字計(jì)數(shù)器很容易構(gòu)建，但如何使它們非易失性和不可復(fù)位并不明顯。本文介紹...

2023-01-13 標(biāo)簽：電源計(jì)數(shù)器 EEPROM 2298 0

嵌入式系統(tǒng)的設(shè)計(jì)和開發(fā)資料大全

嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)方法的演化總的來說是因?yàn)閼?yīng)用需求的牽引和IT技術(shù)的推動(dòng)，隨著微電子技術(shù)的不斷創(chuàng)新和發(fā)展，大規(guī)模集成電路的集成度和工藝水平不斷提高。硅材料與...

2020-10-17 標(biāo)簽：單片機(jī)嵌入式系統(tǒng)EEPROM 2297 0

I2C串行EEPROM存儲器應(yīng)用的軟硬件處理措施

電源是一個(gè)控制系統(tǒng)可靠運(yùn)行的基石，很多產(chǎn)品與外界的有線連接就是電源連接。因此，在產(chǎn)品設(shè)計(jì)時(shí)應(yīng)對電源電路進(jìn)行有效濾波處理，并且應(yīng)該通過EMC的試驗(yàn)檢測來降...

2018-04-04 標(biāo)簽：存儲器 eeprom 2291 0

EEPROM的擦除過程

EEPROM（Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory）的擦除過程是一個(gè)涉及硬件和軟件操作...

2024-09-05 標(biāo)簽：存儲單元晶體管 EEPROM 2281 0

EEPROM讀寫程序詳解

EEPROM（Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory）讀寫程序的詳解涉及多個(gè)方面，包括E...

2024-09-05 標(biāo)簽：存儲器 EEPROM 讀寫程序 2274 0

NAND閃存內(nèi)部結(jié)構(gòu)解析

NAND閃存是一種電壓原件，靠其內(nèi)存電壓來存儲數(shù)據(jù)。

2023-07-12 標(biāo)簽：閃存 NAND 晶體管 2262 0

讀寫24LCxx系列的EEPROM的實(shí)例程序

讀寫24LCxx系列的EEPROM的實(shí)例程序 ;***************************************************...

2009-01-16 標(biāo)簽：EEPROM 2260 0

AT28C256 EEPROM芯片簡單介紹

AT28C256是一款由Atmel公司生產(chǎn)的256KB的EEPROM芯片，具有高速讀寫特性，適用于多種應(yīng)用場合，包括數(shù)據(jù)存儲、程序存儲、固件升級等。

2024-02-01 標(biāo)簽：芯片 CMOS EEPROM 2231 0

如何提高FLASH使用壽命以實(shí)現(xiàn)EEPROM的功能呢 ?

stm32的FLASH擦除是按整頁或者整扇區(qū)擦除的，不同芯片的頁或者扇區(qū)(下邊統(tǒng)稱為頁)的大小是不一樣的，有1K，16K，64K，128K等大小。

2023-10-23 標(biāo)簽：STM32 EEPROM 存儲芯片 2227 0

STM32單片機(jī)學(xué)習(xí)筆記(7)：智能環(huán)境監(jiān)測系統(tǒng)

該智能環(huán)境監(jiān)測系統(tǒng)采用STMF103R4為主控MCU單元，主要外設(shè)有LCD1602，DHT11，EEPROM 24C02以及LDR光電檢測單元，采用Pr...

2023-07-20 標(biāo)簽：單片機(jī)mcu STM32 2196 0

eeprom和flash的區(qū)別的作用

EEPROM（Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory）和Flash Memory（閃存）...

2023-12-07 標(biāo)簽：FlaSh 電子設(shè)備計(jì)算機(jī) 2173 0

基于STM32F030對24LC02進(jìn)行代碼讀寫

I2C 操作中途被打斷，或受到脈沖干擾，SCL, SDA 可能被拉低鎖死。嘗試用 SCL 產(chǎn)生 9 個(gè)時(shí)鐘脈沖讓從器件或主控制器釋放總線。

2022-08-11 標(biāo)簽：緩沖器 EEPROM I2C 2164 0

MCU在線調(diào)試功能正常而離線工作異常原因探究

在嵌入式MCU軟件開發(fā)過程中，通常我們需要先通過調(diào)試器(Debugger, 帶程序下載(Flash/EEPROM擦除、編程和校驗(yàn))功能)或者仿真器(Si...

2023-07-17 標(biāo)簽：嵌入式仿真器 EEPROM 2134 0

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云存儲是在云計(jì)算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來的一個(gè)新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲技術(shù)，本章詳細(xì)介紹了什么是云儲存，云數(shù)據(jù)存儲，免費(fèi)云存儲哪個(gè)好，云儲存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
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富士通憑借在ICT領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗(yàn)和實(shí)力，致力于與客戶攜手共創(chuàng)美好的未來社會(huì)。富士通集團(tuán)（東京證券交易所上市代碼：6702）截至2015年3月31日財(cái)政年度的合并收益為4.8兆日元（400億美元）。
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3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型，通過把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來解決2D或者平面NAND閃存帶來的限制。固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價(jià)和容量還都是個(gè)問題。這種寬度為2.5英寸的硬盤用來容納存儲芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤的總體存儲空間，但更高的成本也拉高了硬盤的售價(jià)。
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非易失性存儲器一般指非易失性內(nèi)存，非易失性存儲器（英語：non-volatile memory，縮寫為NVM）是指當(dāng)電流關(guān)掉后，所存儲的數(shù)據(jù)不會(huì)消失的電腦存儲器。非易失性存儲器中，依存儲器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時(shí)隨時(shí)改寫為標(biāo)準(zhǔn)，可分為二大類產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。
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2016年5月，長鑫存儲技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動(dòng)。作為一體化存儲器制造商，公司專業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場需求巨大并持續(xù)增長。
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