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標(biāo)簽 > esd
ESD(Electro-Static discharge)的意思是“靜電釋放”。ESD是20世紀(jì)中期以來(lái)形成的以研究靜電的產(chǎn)生、危害及靜電防護(hù)等的學(xué)科。因此,國(guó)際上習(xí)慣將用于靜電防護(hù)的器材統(tǒng)稱為ESD,中文名稱為靜電阻抗器。
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隨著科技和智能設(shè)備的飛速發(fā)展,越來(lái)越多的電子產(chǎn)品應(yīng)運(yùn)而生,但隨之而來(lái)的電磁輻射問(wèn)題也越來(lái)越多,電磁輻射污染問(wèn)題成為了繼大氣污染、水污染及噪聲污染之后的第...
PROFIBUS現(xiàn)場(chǎng)總線ESD靜電浪涌保護(hù)方案
PROFIBUS(Process Field Bus)是由西門子等公司組織開發(fā)研究所共同推出的、符合德國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)DIN19245和歐洲標(biāo)準(zhǔn)EN5O170...
2023-12-21 標(biāo)簽:ESDPROFIBUS現(xiàn)場(chǎng)總線 817 0
ESD事件保護(hù)的系統(tǒng)級(jí)設(shè)計(jì)方案
IC 的 ESD 損壞可發(fā)生在任何時(shí)候,從裝配到板級(jí)焊接,再到終端用戶人機(jī)互動(dòng)。ESD 相關(guān)損壞最早可追溯到半導(dǎo)體發(fā)展之初,但在 20 世紀(jì) 70 年代...
I/O接口防靜電保護(hù)方案設(shè)計(jì)及ESD二極管選型
I/O(Input/Output),即輸入/輸出,通常指數(shù)據(jù)在內(nèi)部存儲(chǔ)器和外部存儲(chǔ)器或其他周邊設(shè)備之間的輸入和輸出。
請(qǐng)教一下經(jīng)受過(guò)嚴(yán)重ESD電擊的CMOS IC的可靠性會(huì)降低嗎?
靜電放電(ESD)是電子設(shè)備中一種常見的危害,它可能導(dǎo)致集成電路(IC)的損壞。對(duì)于CMOS IC來(lái)說(shuō),經(jīng)受過(guò)嚴(yán)重ESD電擊的可靠性會(huì)降低。
什么是TLP?Celestron TLP的簡(jiǎn)易模型和優(yōu)勢(shì)
杭州季豐電子ESD測(cè)試業(yè)務(wù)一直深受客戶的信任和好評(píng),實(shí)驗(yàn)室近期又對(duì)Thermo Celestron TLP(Standard TLP)測(cè)試系統(tǒng)進(jìn)行了升級(jí)...
2023-12-11 標(biāo)簽:ESD濾波器測(cè)試系統(tǒng) 2268 0
關(guān)于PCB板ESD設(shè)計(jì)的實(shí)用心得
在做ESD放電測(cè)試時(shí)通常采用兩種方法:接觸放電和空氣放電。接觸放電就是直接對(duì)待測(cè)設(shè)備進(jìn)行放電;空氣放電也稱為間接放電,是強(qiáng)磁場(chǎng)對(duì)鄰近電流環(huán)路耦合產(chǎn)生。這...
2023-12-08 標(biāo)簽:ESD電路板電流環(huán)路 404 0
Resistor不單獨(dú)用于芯片的ESD保護(hù),它往往用于輔助的ESD保護(hù),如芯片Input第一級(jí)保護(hù)和第二級(jí)保護(hù)之間的限流電阻。如圖5,當(dāng)ESD電流過(guò)大,...
LDMOS在ESD設(shè)計(jì)中的應(yīng)用設(shè)計(jì)思路
LDMOS屬于功率半導(dǎo)體器件,主要應(yīng)用于高壓場(chǎng)合。而針對(duì)高壓芯片的ESD防護(hù)領(lǐng)域,可采取GGNLDMOS的設(shè)計(jì)思路。
ESD防護(hù)應(yīng)用:GGNMOS和GCNMOS對(duì)比分析
GCNMOS的工作原理與GGNMOS不同,GGNMOS是利用體寄生三極管的開啟進(jìn)行ESD靜電流的泄放通路,而GCNMOS則利用了NMOS器件的溝道作為泄放通道。
PAD和ESD對(duì)比 典型的ESD網(wǎng)絡(luò)
焊盤的尺寸和結(jié)構(gòu)由可靠性和鍵合引線的直徑?jīng)Q定的。若鍵合引線的直徑范圍是25um~50um,那最小焊盤尺寸在70umX70um到100umX100um之間...
如何驗(yàn)證自己的設(shè)計(jì)在SaberRD和Saber Sketch中都有效呢?
Saber軟件到現(xiàn)在為至已經(jīng)面世30多年,一直以來(lái),工程師們對(duì)Saber軟件的界面已經(jīng)非常熟悉(見下圖1左上),這種使用菜單選擇功能的傳統(tǒng)風(fēng)格的Sabe...
早期工藝都是使用單個(gè)反偏二極管作為ESD防護(hù)器件。但是這種設(shè)計(jì)方法只適用于大線寬工藝。隨著工藝的進(jìn)步,現(xiàn)階段的ESD防護(hù)策略已經(jīng)不建議二極管反偏擊穿泄放...
Lg越大,P-WeLL的長(zhǎng)度越大,P-WeLL的阱電阻越大,面對(duì)ESD的過(guò)沖電壓越高,開啟電阻Ron也隨之增大。同時(shí)載流子的穿透深度越大,其壽命越長(zhǎng),從...
2023-12-04 標(biāo)簽:串聯(lián)電阻二極管ESD 2557 0
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