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標(biāo)簽 > euv光刻機(jī)
極紫外線光刻機(jī)是芯片生產(chǎn)工具,是生產(chǎn)大規(guī)模集成電路的核心設(shè)備,對(duì)芯片工藝有著決定性的影響。小于5納米的芯片晶圓,只能用EUV光刻機(jī)生產(chǎn)。2018年4月,中芯國(guó)際向阿斯麥下單了一臺(tái)EUV(極紫外線)光刻機(jī),于2019年初交貨。
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如何獲得高純度的EUV光源?EUVL光源濾波系統(tǒng)的主流技術(shù)方案分析
目前,商用EUV光刻機(jī)采用激光等離子體型-極紫外(LPP-EUV)光源系統(tǒng),主要由驅(qū)動(dòng)激光器、液滴錫靶、收集鏡組成。
2024-02-21 標(biāo)簽:激光器濾波系統(tǒng)EUV光刻機(jī) 1238 0
上海伯東客戶日本某生產(chǎn)半導(dǎo)體用光刻機(jī)公司, 光刻機(jī)真空度需要達(dá)到 1x10-11 pa 的超高真空, 因?yàn)樵O(shè)備整體較大, 需要對(duì)構(gòu)成光刻機(jī)的真空相關(guān)部件...
2023-06-02 標(biāo)簽:EUVEUV光刻機(jī)氦質(zhì)譜檢漏儀 834 0
金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)的革命,讓我們可以在相同面積的晶圓上同時(shí)制造出更多晶體管。
2023-07-27 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 954 0
據(jù)悉,下一代EUV光刻機(jī)必須要升級(jí)下一代的高NA(數(shù)值孔徑)標(biāo)準(zhǔn),從現(xiàn)在的0.33 NA提升到0.55 NA,更高的NA意味著更分辨率更高,是3nm之后...
2022-11-30 標(biāo)簽:RAMASMLEUV光刻機(jī) 3.5萬(wàn) 0
美國(guó)公司Zyvex使用電子束光刻制造出0.7nm芯片
氫去鈍化光刻(HDL)是電子束光刻(EBL)的一種形式,它通過非常簡(jiǎn)單的儀器實(shí)現(xiàn)原子分辨率,并使用能量非常低的電子。它使用量子物理學(xué)有效地聚焦低能電子和...
2022-09-27 標(biāo)簽:光刻技術(shù)量子計(jì)算機(jī)EUV光刻機(jī) 2935 0
ASML新一代EUV光刻機(jī)性能提升70%_2025年量產(chǎn)
2019-07-13 標(biāo)簽:ASMLEUV光刻機(jī) 5348 0
EUV光刻機(jī)被已經(jīng)準(zhǔn)備好了,各大企業(yè)的爭(zhēng)奪戰(zhàn)開始打響
EUV光刻機(jī)的唯一供應(yīng)商ASML在2017年度Semicon West半導(dǎo)體設(shè)備展上也表示,250瓦的EUV光源也萬(wàn)事俱備。公司2017年財(cái)報(bào)中也強(qiáng)調(diào),...
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