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格羅方德半導體今日發布了全新的12nm FD-SOI半導體工藝平臺12FDXTM

格羅方德半導體今日發布了全新的12nm FD-SOI半導體工藝平臺12FDXTM，實現了業內首個多節點FD-SOI路線圖，從而延續了其領先地位。新一代1...

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2016-09-14 標簽：半導體制程 FD-SOI FinFET 2064 0

第八屆上海FD-SOI論壇成功舉行芯原FD-SOI IP迅速成長賦能產業

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2023-11-01 標簽：FD-SOI 1968 0

格羅方德半導體推出業內首個22nm FD-SOI工藝平臺

格羅方德半導體（GLOBALFOUNDRIES）今日發布一種全新的半導體工藝，以滿足新一代聯網設備的超低功耗要求。“22FDX?”平臺提供的性能和功耗媲...

2015-07-14 標簽：物聯網 FD-SOI 格羅方德 1650 0

FD-SOI元件與FinFET接近實用化的不斷發布

22nm以后的晶體管技術領域，靠現行BulkMOSFET的微細化會越來越困難的，為此，人們關注的是平面型FD-SOI（完全空乏型SOI）元件與基于立體通...

2011-01-18 標簽：FD-SOI FinFET 1635 0

GlobalFoundries拋棄三星和意法半導體在第二代FD-SOI技術上達成合作

GlobalFoundries的FD-SOI技術已經略有成效，近日傳來消息，又迎來意法半導體（ST）的大單進補，在第二代FD-SOI技術解決方案領域吧徹...

2018-01-15 標簽：三星電子意法半導體 fd-soi 1557 0

意法半導體28nm FD-SOI技術平臺又獲階段性成功

意法半導體宣布，其28納米FD-SOI技術平臺在測試中取得又一項重大階段性成功:其應用處理器引擎芯片工作頻率達到3GHz，在指定的工作頻率下新產品能效高...

2013-03-13 標簽：CMOS SoC 意法半導體 1486 0

評估FD-SOI工藝，看新恩智浦下一步如何布局！

芯片制造的重點永遠是成本。從28nm HKMG工藝轉換到14nm FinFET工藝，將會增加50%的成本，這個代價值得嗎？雖然FinFET能實現令人印象...

2016-05-11 標簽：恩智浦 FD-SOI FinFET 1475 0

法國CEA-Leti正計劃新建一條工藝引導線

機構方面表示，新的fd-soi技術將與18、22、28納米的現有設計進行互換，還將包括嵌入式非揮發性存儲器（envm）技術。該項目在法國政府的資助下被分...

2023-07-20 標簽：嵌入式存儲器 FD-SOI 1432 0

嵌入式存儲器意法半導體FD-SOI性能大升

意法半導體獨有的FD-SOI技術配備嵌入式存儲器，有望突破更高性能，以實現更低工作功耗和更低待機功耗。

2013-11-09 標簽：意法半導體嵌入式存儲器 FD-SOI 1386 0

ST-Ericsson推出28nm FD-SOI制程多模LTE手機平臺

日前，依法愛立信推出一款支持LTE多模的高整合度智慧型手機平臺，該平臺整合了全套無線功能，并擁有基于ARM Cortex-A9的2.5GHz eQuad...

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意法半導體的突破性半導體技術榮獲電子成就獎

橫跨多重電子應用領域、全球領先的半導體供應商意法半導體宣布，意法半導體完全空乏型矽絕緣層金氧半電晶體元件（FD-SOI）技術榮獲全球兩大知名電子技術專業...

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首款基于FD-SOI的FPGA平臺已正式面世

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谷歌 Pixel 6 拆解，FD-SOI首次被用于5G毫米波

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