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場效應晶體管（Field Effect Transistor縮寫（FET））簡稱場效應管。由多數載流子參與導電，也稱為單極型晶體管。
場效應晶體管（Field Effect Transistor縮寫（FET））簡稱場效應管。由多數載流子參與導電，也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導體器件。根據三極管的原理開發出的新一代放大元件，有3個極性，柵極，漏極，源極，它的特點是柵極的內阻極高，采用二氧化硅材料的可以達到幾百兆歐，屬于電壓控制型器件
場效應晶體管（Field Effect Transistor縮寫（FET））簡稱場效應管。由多數載流子參與導電，也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導體器件。根據三極管的原理開發出的新一代放大元件，有3個極性，柵極，漏極，源極，它的特點是柵極的內阻極高，采用二氧化硅材料的可以達到幾百兆歐，屬于電壓控制型器件。
FET電路工作原理
一般在網上只有三極管放大電路的原理，而FET的工作原理很少提及，現在我簡單地分析一下它的放大原理：電路中柵極的直流電位VG是電源電壓VDD被偏壓電阻R3和R2分壓后的電位，即：VG=R2/（R1+R2）*VDD。這與三極管發射極接地的放大電路基極直流電位相同。但是由于雙極型晶體管中有基極電流流動，所以實際基極電位要比電源被R2和R3分壓要低一些（晶體管是電流控制電流，FET是電壓控制電流）。但對于FET，由于柵極沒有電流流過，所以實際的柵極電位就是分壓公式所求得的值。源極的直流電位VS比VG高出柵極源極間電壓VGS的值，即： VS=VG+VGS 實際上，VGS是以源極為基準的，像N溝JFET那樣，當源極電位比柵極高應該給VGS置以負號。因此，VS等于將VGS加到VG上時，就成為： VS=VG-VGS 雙極晶體管VBE=0.6V或者0.7V，是能夠相互置換的。但是對于FET來說，當器件型號和工作點（ID）不同時，VGS的值是不同的。流過源極的直流電流Is可以由下式求得： Is=VS/RS=（VG-VGS）/RS 漏極的直流電位VD是從電源電壓VDD減去RD上的電壓降的部分。如果漏極電流的直流成分為ID，則有： VD=VDD-ID*RD 由于FET的柵極上沒有電流流過，ID=IS，所以上式也可以寫成： VD=VDD-Is*RD 下面來求它的交流放大倍數。
由輸入Vi引起的源極電流表的交流變化量#is為： #is=vi/RS 高漏極電流的交流變化量為#id，那么可以認為vd的交流變化量#vd就是#id在漏極電阻RD上的電壓降，即： #vd=#id*RD 又因為漏極電流和源極電流相等，所以#vd為： #vd=#is*RD=vi/RS*RD 另外，交流輸出電壓vo是被輸出電容C2隔斷VD的直流成分后的成分，也就是vd的交流成分#vd，即： Vo=#vd=vi/RS*RD 所以不難求得：交流放大倍數Av為： Av=vo/vi=RD/RS
場效應晶體管（Field Effect Transistor縮寫（FET））簡稱場效應管，是較新型的半導體材料，利用電場效應來控制晶體管的電流，因而得名。
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