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標簽 > FinFET工藝
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FinFET 同樣帶來了更多限制,例如電壓閾值感知間隔、植入層規則等。這些因素將影響擺設、布局規劃和優化引擎,還會直接影響設計的利用率和面積。多重圖案拆...
2018-04-04 標簽:finfet工藝 1263 0
新思科技與GLOBALFOUNDRIES持續合作 推出高質量DesignWare IP
高質量DesignWare接口和模擬IP經過優化,可在人工智能、云計算和移動芯片中實現高性能和低功耗。
16日,三星電子宣布在基于EUV的高級節點方面取得了重大進展,包括7nm批量生產和6nm客戶流片,以及成功完成5nm FinFET工藝的開發。 三星電子...
新思科技攜手IBM,通過DTCO創新加速后FinFET工藝開發
采用新思科技Sentaurus、Process Explorer、StarRC、SiliconSmart、PrimeTime和IC Compiler I...
中芯國際將在2019年量產14納米FinFET,并勾勒28納米三階段藍圖
在28納米制程上,中芯也提出三階段的規劃藍圖。趙海軍指出,第一階段的polySion制程已經量產,第二階段是第一代的HKMG制程(中芯稱為HKC制程)已...
AMD季度業績前景進行了展望,不是很樂觀,收入可能會下滑8%至大約9.5億美元,比此前預計的下滑3%嚴重很多,同時非GAAP毛利率僅28%。更有趣的是,...
知名芯片設計廠商ARM公司日前與臺積電公司簽訂了一份為期多年的新協議,根據該協議,雙方將就使用臺積電的FinFET工藝制造下一代64bit ARM處理器...
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