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finfet

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FinFET全稱叫鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管,是一種新的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體晶體管。FinFET命名根據(jù)晶體管的形狀與魚鰭的相似性。這種設(shè)計(jì)可以改善電路控制并減少漏電流,縮短晶體管的閘長(zhǎng)。

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finfet技術(shù)

合成是否仍然獨(dú)立于工藝

物理合成的好處是改進(jìn)了基于合成中實(shí)際物理信息的時(shí)序相關(guān)性,包括粗略放置和平面圖。合成中的這種附加信息可實(shí)現(xiàn)準(zhǔn)確的時(shí)...

2023-05-25 標(biāo)簽:布線編譯器FinFET 520 0

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2023-05-25 標(biāo)簽:電容晶圓FinFET 550 0

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經(jīng)過氧化、光刻、刻蝕、沉積等工藝,晶圓表面會(huì)形成各種半導(dǎo)體元件。半導(dǎo)體制造商會(huì)讓晶圓表面布滿晶體管和電容(Capacitor);

2023-04-28 標(biāo)簽:DRAM晶圓晶體管 1138 0

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雖然只有12年的歷史,但finFET已經(jīng)走到了盡頭。從3nm開始,它們將被環(huán)柵 (GAA)取代,預(yù)計(jì)這將對(duì)芯片的設(shè)計(jì)方式產(chǎn...

2023-04-18 標(biāo)簽:芯片晶體管納米 2036 0

單晶硅刻蝕工藝流程

FinFET三維器件也可以用體硅襯底制作,這需要更好地控制單晶硅刻蝕工藝,如CD、深度和輪廓。

2023-03-30 標(biāo)簽:CMOSDRAMAFM 4628 0

EDA探索之MOSFET的微縮-nanosheet era

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2023-03-24 標(biāo)簽:CMOSMOSFETeda 635 0

低功耗貫穿芯片設(shè)計(jì)全流程

低功耗一直是便攜式電子設(shè)備的關(guān)鍵要求,但近年來,在人工智能、5G、大數(shù)據(jù)中心、汽車等應(yīng)用快速發(fā)展的推動(dòng)下,對(duì)低功耗的需...

2023-02-14 標(biāo)簽:soc散熱器RTL 1394 0

鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管工藝流程(FinFET)

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2023-01-31 標(biāo)簽:晶體管場(chǎng)效應(yīng)晶體管FinFET 4079 0

使用虛擬實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)預(yù)測(cè)先進(jìn)FinFET技術(shù)的工藝窗口和器件性能

負(fù)載效應(yīng) (loading) 的控制對(duì)良率和器件性能有重大影響,并且它會(huì)隨著 FinFET(鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管)器件工藝的持續(xù)微...

2023-01-06 標(biāo)簽:晶體管FinFET負(fù)載效應(yīng) 1466 0

FinFET 發(fā)展的演變

技術(shù)路線圖始終是雙向的,一半來自技術(shù)方面的進(jìn)步,另一半來自市場(chǎng)的需求。

2022-08-10 標(biāo)簽:MOSFET3D晶圓 2943 0

適用于1nm邏輯技術(shù)節(jié)點(diǎn)器件架構(gòu)解析

由于從平面 FET 過渡到 FinFET,晶體管尺寸減小了,而性能卻提高了。這種轉(zhuǎn)變是必要的,因?yàn)槠矫?FET 的性能在柵極長(zhǎng)度減小時(shí)開始下降。FinF....

2022-07-21 標(biāo)簽:晶體管FinFET 1645 0

5nm及更先進(jìn)節(jié)點(diǎn)上FinFET的未來:使用工藝和電路仿真來預(yù)測(cè)下一代半導(dǎo)體的性能

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雖然柵極間距(GP)和鰭片間距(FP)的微縮持續(xù)為FinFET平臺(tái)帶來更高的性能和更低的功耗,但在5nm及更先進(jìn)節(jié)點(diǎn)上,兼顧寄生電容電阻的控制和實(s...

2022-05-07 標(biāo)簽:半導(dǎo)體電路仿真FinFET 7980 0

未來半導(dǎo)體制造需要怎樣的EDA工具 機(jī)器學(xué)習(xí)為EDA帶來什么改變

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在20/22nm引入FinFET以后,先進(jìn)工藝變得越來越復(fù)雜。在接下來的發(fā)展中,實(shí)現(xiàn)“每?jī)赡陮⒕w管數(shù)量增加一倍,性能也提升一倍”變得...

2021-02-06 標(biāo)簽:晶圓edaFinFET 3937 0

淺談半導(dǎo)體晶體管間距的縮放面積及連續(xù)節(jié)點(diǎn)的有效密度

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翻譯自——newelectronics 摩爾定律已經(jīng)不能用了嗎?其實(shí)這取決于哪一方面。 斯坦福大學(xué)電氣工程教授Philip Wong與來自麻省理工學(xué)院、...

2021-01-25 標(biāo)簽:CMOS電路設(shè)計(jì)eda 3568 0

FinFET的效用已趨于極限 淺談晶體管縮放的難題

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作者:泛林Nerissa Draeger博士 FinFET在22nm節(jié)點(diǎn)的首次商業(yè)化為晶體管——芯片“大腦”內(nèi)的微型開關(guān)——制造帶來了顛覆性變革。與...

2021-01-25 標(biāo)簽:晶體管FinFET柵極晶體管 3370 0

數(shù)字電路處理中仿照技術(shù)正在漸漸沒落

在這樣一個(gè)對(duì)數(shù)字電路處理有利的世界中,仿照技術(shù)更多地用來處理對(duì)它們晦氣的進(jìn)程。但這個(gè)現(xiàn)象或許正在改動(dòng)。

2020-04-06 標(biāo)簽:傳感器數(shù)字電路FinFET 1436 0

FinFET與平面MOSFET有什么不同

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Nandra補(bǔ)充說,“FinFET固有增益很高,但是跨導(dǎo)(gm)實(shí)際上很低,和頻率(ft)一樣。更先進(jìn)的幾何布局比平面器件更容易實(shí)現(xiàn)匹配,能...

2019-09-25 標(biāo)簽:SoC系統(tǒng)FinFET 1.3萬 0

淺談FinFET存儲(chǔ)器的缺陷修復(fù)和測(cè)試算法

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每個(gè)STAR存儲(chǔ)器系統(tǒng)處理器的能力都足以處理芯片上的檢測(cè)、診斷和缺陷修復(fù)。連接和配置所有紫色方框可能比較耗時(shí)且容易出錯(cuò),所以STAR存...

2019-01-03 標(biāo)簽:FinFETFinFET存儲(chǔ)器STAR存儲(chǔ)器 4788 0

模擬電路設(shè)計(jì)面對(duì)的節(jié)點(diǎn)和代工挑戰(zhàn)

模擬電路設(shè)計(jì)面對(duì)的節(jié)點(diǎn)和代工挑戰(zhàn)

模擬設(shè)計(jì)從來都不容易。工程師們可以把整個(gè)職業(yè)生涯都花在鎖相環(huán)(PLL)上,因?yàn)橐屗鼈冋_,就需要深入了解電路的功能,包括它們?cè)诓煌闹瞥...

2018-06-15 標(biāo)簽:模擬電路FinFET 4585 0

引入 FinFET晶體后的多重圖案拆分布局和布線

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隨著高級(jí)工藝的演進(jìn),電路設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)在最先進(jìn)的晶片上系統(tǒng)內(nèi)加載更多功能和性能的能力日益增強(qiáng)。與此同...

2018-01-28 標(biāo)簽:布線finfet 823 0

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    提供最新的羅姆公司產(chǎn)品,最活躍的羅姆工程師社區(qū)
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