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標(biāo)簽 > Flash存儲器
FLASH閃存 閃存的英文名稱是“Flash Memory”,一般簡稱為“Flash”,它屬于內(nèi)存器件的一種,是一種非易失性( Non-Volatile )內(nèi)存。
FLASH閃存 閃存的英文名稱是“Flash Memory”,一般簡稱為“Flash”,它屬于內(nèi)存器件的一種,是一種非易失性( Non-Volatile )內(nèi)存。閃存的物理特性與常見的內(nèi)存有根本性的差異:目前各類 DDR 、 SDRAM 或者 RDRAM 都屬于揮發(fā)性內(nèi)存,只要停止電流供應(yīng)內(nèi)存中的數(shù)據(jù)便無法保持,因此每次電腦開機(jī)都需要把數(shù)據(jù)重新載入內(nèi)存;閃存在沒有電流供應(yīng)的條件下也能夠長久地保持?jǐn)?shù)據(jù),其存儲特性相當(dāng)于硬盤,這項特性正是閃存得以成為各類便攜型數(shù)字設(shè)備的存儲介質(zhì)的基礎(chǔ)。
FLASH閃存 閃存的英文名稱是“Flash Memory”,一般簡稱為“Flash”,它屬于內(nèi)存器件的一種,是一種非易失性( Non-Volatile )內(nèi)存。閃存的物理特性與常見的內(nèi)存有根本性的差異:目前各類 DDR 、 SDRAM 或者 RDRAM 都屬于揮發(fā)性內(nèi)存,只要停止電流供應(yīng)內(nèi)存中的數(shù)據(jù)便無法保持,因此每次電腦開機(jī)都需要把數(shù)據(jù)重新載入內(nèi)存;閃存在沒有電流供應(yīng)的條件下也能夠長久地保持?jǐn)?shù)據(jù),其存儲特性相當(dāng)于硬盤,這項特性正是閃存得以成為各類便攜型數(shù)字設(shè)備的存儲介質(zhì)的基礎(chǔ)。
工作原理
發(fā)現(xiàn)者
1957年,受雇于索尼公司的江崎玲於奈(Leo Esaki,1925~)在改良高頻晶體管2T7的過程中發(fā)現(xiàn),當(dāng)增加PN結(jié)兩端的電壓時電流反而減少,江崎玲於奈將這種反常的負(fù)電阻現(xiàn)象解釋為隧道效應(yīng)。此后,江崎利用這一效應(yīng)制成了隧道二極管(也稱江崎二極管)。
1960年,美裔挪威籍科學(xué)家加埃沃(Ivan Giaever,1929~)通過實驗證明了在超導(dǎo)體隧道結(jié)中存在單電子隧道效應(yīng)。在此之前的1956年出現(xiàn)的“庫珀對”及BCS理論被公認(rèn)為是對超導(dǎo)現(xiàn)象的完美解釋,單電子隧道效應(yīng)無疑是對超導(dǎo)理論的一個重要補(bǔ)充。
1962年,年僅22歲的英國劍橋大學(xué)實驗物理學(xué)研究生約瑟夫森(Brian David Josephson,1940~)預(yù)言,當(dāng)兩個超導(dǎo)體之間設(shè)置一個絕緣薄層構(gòu)成SIS(Superconductor-Insulator-Superconductor)時,電子可以穿過絕緣體從一個超導(dǎo)體到達(dá)另一個超導(dǎo)體。約瑟夫森的這一預(yù)言不久就為P.W.安德森和J.M.羅厄耳的實驗觀測所證實——電子對通過兩塊超導(dǎo)金屬間的薄絕緣層(厚度約為10埃)時發(fā)生了隧道效應(yīng),于是稱之為“約瑟夫森效應(yīng)”。 宏觀量子隧道效應(yīng)確立了微電子器件進(jìn)一步微型化的極限,當(dāng)微電子器件進(jìn)一步微型化時必須要考慮上述的量子效應(yīng)。例如,在制造半導(dǎo)體集成電路時,當(dāng)電路的尺寸接近電子波長時,電子就通過隧道效應(yīng)而穿透絕緣層,使器件無法正常工作。因此,宏觀量子隧道效應(yīng)已成為微電子學(xué)、光電子學(xué)中的重要理論。
應(yīng)用
閃存
閃存的存儲單元為三端器件,與場效應(yīng)管有相同的名稱:源極、漏極和柵極。柵極與硅襯底之間有二氧化硅絕緣層,用來保護(hù)浮置柵極中的電荷不會泄漏。采用這種結(jié)構(gòu),使得存儲單元具有了電荷保持能力,就像是裝進(jìn)瓶子里的水,當(dāng)你倒入水后,水位就一直保持在那里,直到你再次倒入或倒出,所以閃存具有記憶能力。
與場效應(yīng)管一樣,閃存也是一種電壓控制型器件。NAND型閃存的擦和寫均是基于隧道效應(yīng),電流穿過浮置柵極與硅基層之間的絕緣層,對浮置柵極進(jìn)行充電(寫數(shù)據(jù))或放電(擦除數(shù)據(jù))。而NOR型閃存擦除數(shù)據(jù)仍是基于隧道效應(yīng)(電流從浮置柵極到硅基層),但在寫入數(shù)據(jù)時則是采用熱電子注入方式(電流從浮置柵極到源極)。
場效應(yīng)管工作原理場效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應(yīng)管。一般的晶體管是由兩種極性的載流子,即多數(shù)載流子和反極性的少數(shù)載流子參與導(dǎo)電,因此稱為雙極型晶體管,而FET僅是由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,它與雙極型相反,也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件,具有輸入電阻高(108~109Ω)、噪聲小、功耗低、動態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點,現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競爭者。
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