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標(biāo)簽 > flash
Flash是由macromedia公司推出的交互式矢量圖和 Web 動畫的標(biāo)準(zhǔn),由Adobe公司收購。做Flash動畫的人被稱之為閃客。網(wǎng)頁設(shè)計(jì)者使用 Flash 創(chuàng)作出既漂亮又可改變尺寸的導(dǎo)航界面以及其他奇特的效果。
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基于stm32單片機(jī),F(xiàn)LASh先擦后寫的函數(shù)分析案例
void FLASH_WriteByte(u32 addr ,u16 flashdata1) { FLASH_Status FLASHsta...
2018-10-18 標(biāo)簽:flash函數(shù)stm32單片機(jī) 3164 0
Holtek推出Flash MCU BH66F5242可廣泛適用于測量類產(chǎn)品
Holtek新推出內(nèi)建低噪聲、高效能24-bit Delta Sigma A/D的Flash MCU BH66F5242,適合廣泛應(yīng)用于變送器、電子秤、...
問題描述: 某STM32客戶反饋, 當(dāng)STM32F407V芯片頻繁的正常通斷電的時(shí)候,F(xiàn)LASH 會被非法改寫,出現(xiàn)各種各樣的異常(整片被擦除、中斷向量...
如果有幾個(gè)設(shè)置參數(shù)需要存儲到Flash中,我們一般會怎么存儲呢?將不同的參數(shù)都存儲到不同的頁中,還是將這幾個(gè)參數(shù)捆綁成一種結(jié)構(gòu)體,每次修改都同時(shí)寫入一次呢?
2018-10-03 標(biāo)簽:嵌入式Flash數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu) 3332 0
EEPROM的全稱是“電可擦除可編程只讀存儲器”,即Electrically Erasable Programmable Read-Only Memor...
和利時(shí)LM系列PLC與Flash存儲設(shè)備進(jìn)行數(shù)據(jù)通訊的解決方案
LM系列PLC支持多種通訊方式,如Profibus DP、以太網(wǎng)、自由口通訊。LM系列PLC的CPU模塊本體集成了一個(gè)RS232通訊口和一個(gè)RS485通...
運(yùn)用工業(yè)設(shè)計(jì)原理對機(jī)械CAD自主學(xué)習(xí)系統(tǒng)進(jìn)行優(yōu)化改善
隨著計(jì)算機(jī)技術(shù)的發(fā)展,越來越多的課程都使用以計(jì)算機(jī)為手段的電子教學(xué)系統(tǒng)。電子教學(xué)手段可以激發(fā)學(xué)生的學(xué)習(xí)興趣,提高課程的學(xué)習(xí)效率。以往的《機(jī)械CAD基礎(chǔ)》...
2019-09-23 標(biāo)簽:flash計(jì)算機(jī)cad 1447 0
高性能Flash存儲器芯片在電動機(jī)智能保護(hù)裝置系統(tǒng)中的應(yīng)用設(shè)計(jì)
DSP芯片以其高速、實(shí)時(shí)性等優(yōu)點(diǎn)逐步被用到電機(jī)保護(hù)中,利用高性能外圍器件尤其是外圍存儲器與DSP的硬件匹配是充分發(fā)揮其優(yōu)點(diǎn)的必要條件。文中以基于TMS3...
Nor Flash測試方法有哪些 詳解Nor Flash測試程序
由于擦除NOR器件時(shí)是以64~128KB的塊進(jìn)行的,執(zhí)行一個(gè)寫入/擦除操作的時(shí)間為5s,與此相反,擦除NAND器件是以8~32KB的塊進(jìn)行的,執(zhí)行相同的...
判斷將要寫入Flash的數(shù)據(jù)容量大小,數(shù)據(jù)容量小于剩余地址數(shù),表示可以將所有數(shù)據(jù)寫入Flash,而沒有扇區(qū)邊界問題;如果超過地址數(shù)則要在數(shù)據(jù)容量的邊界位...
flash閃存是非易失存儲器,可以對稱為塊的存儲器單元塊進(jìn)行擦寫和再編程。任何flash器件的寫入操作只能在空或已擦除的單元內(nèi)進(jìn)行,所以大多數(shù)情況下,在...
淺談EEPROM和flash的區(qū)別 及 nor flash和nand flash
NAND flash的單元尺寸幾乎是NOR器件的一半,由于生產(chǎn)過程更為簡單,NAND結(jié)構(gòu)可以在給定的模具尺寸內(nèi)提供更高的容量,也就相應(yīng)地降低了價(jià)格。
Nor Flash的接口和RAM完全相同,可以隨機(jī)訪問任意地址的數(shù)據(jù),在其上進(jìn)行讀操作的效率非常高,但是擦除和寫操作的效率很低,另外,Nor Flash...
在NAND閃存中每個(gè)塊的最大擦寫次數(shù)是一百萬次,而NOR的擦寫次數(shù)是十萬次。NAND存儲器除了具有10比1的塊擦除周期優(yōu)勢,典型的NAND塊尺寸為NOR...
想要進(jìn)入某種模式,輸入對應(yīng)的命令即可。注意,像芯片寫數(shù)據(jù)時(shí),所對應(yīng)的扇區(qū)的初始值一定要是0XFFFF,否則,寫無效 。擦除操作或者是寫操作時(shí),一定要結(jié)合...
spi nor flash應(yīng)用匯總 淺談spi flash應(yīng)用原理
由于JFFS2在掛載過程中需要執(zhí)行掃描, 構(gòu)造文件系統(tǒng), 因此在同樣大小的mtdblock上, JFFS2掛載時(shí)間遠(yuǎn)大于EXT4文件系統(tǒng)。
nand和nor區(qū)別 Linux-Nor Flash驅(qū)動分析
NOR和NAND是現(xiàn)在市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出NOR flash技術(shù),徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一...
NOR Flash行業(yè)趨勢分析 淺談NOR Flash原理及性能
SWTICH加持助ROM業(yè)績反轉(zhuǎn)。SWTICH掌機(jī)超預(yù)期大賣,而公司是ROM和NOR獨(dú)家供應(yīng)商,預(yù)計(jì)18年SWTICH銷量1800萬套,截止2020年可...
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