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FRAM（ferromagnetic random access memory）即鐵電存儲器。

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富士通鐵電白皮書，選擇鐵電存儲的4點理由以及技術原理分析

鐵電存儲器（FRAM）產(chǎn)品將ROM的非易失性數(shù)據(jù)存儲特性和RAM的無限次讀寫、高速讀寫以及低功耗等優(yōu)勢結合在一起。

2024-12-04 標簽：Fujitsu fram 鐵電存儲器 211 0

鐵電存儲器有哪些優(yōu)缺點

鐵電存儲器（Ferroelectric RAM, FRAM）作為一種新興的非易失性存儲器技術，憑借其獨特的優(yōu)勢在存儲市場中占據(jù)了一席之地。然而，與任何技...

2024-09-29 標簽：FlaSh fram 鐵電存儲器 935 0

鐵電存儲器的結構特點

鐵電存儲器（Ferroelectric RAM, FRAM）是一種結合了RAM的快速讀寫能力和非易失性存儲特性的存儲技術。其結構特點主要體現(xiàn)在其獨特的材...

2024-09-29 標簽：存儲技術 fram 鐵電存儲器 400 0

FRAM SF25C20晶圓合封MCU，滿足小尺寸和高性能需求

2024-04-22 標簽：fram 鐵電存儲器國芯思辰 613 0

FRAM內(nèi)存耐久度的優(yōu)勢分析

FRAM的“耐力”定義為疲勞后的記憶狀態(tài)保持能力，或在許多開關周期后維持鐵電開關電荷的非易失性部分的能力。

2024-02-19 標簽：存儲器 RAM 內(nèi)存 491 0

鐵電存儲器和flash的區(qū)別 FRAM工作原理解析

鐵電存儲器通常具有更快的隨機存取時間（Access Time），能夠更快地執(zhí)行讀取和寫入操作。而閃存的存取速度較慢，通常與鐵電存儲器相比較為遲鈍。

2024-01-23 標簽：FlaSh 存儲器 fram 5246 0

臺積電引領新興存儲技術潮流，功耗僅為同類技術的1%

MRAM的基本結構是磁性隧道結，研發(fā)難度高，目前主要分為兩大類：傳統(tǒng)MRAM和STT-MRAM，前者以磁場驅動，后者則采用自旋極化電流驅動。

2024-01-22 標簽：臺積電存儲器存儲技術 530 0

MRAM（磁性只讀存儲器）和FRAM（鐵電RAM）有何區(qū)別

MRAM或磁性隨機存取存儲器使用具有鐵磁性材料的磁性“狀態(tài)”的1晶體管–1磁性隧道結（1T-1MTJ）體系結構作為數(shù)據(jù)存儲元素。

2024-01-09 標簽：電容器存儲器數(shù)據(jù)存儲 1215 0

什么是FRAM？關于鐵電存儲器FRAM的特性介紹

FRAM具有其他傳統(tǒng)內(nèi)存產(chǎn)品所不具備的四個突出特性。特點是：“非易失性”、“高讀寫耐久性”、“寫入速度快”和“低功耗”。

2023-12-15 標簽：閃存 EEPROM fram 2855 0

國產(chǎn)2M FRAM PB85RS2MC可完全兼容FM25V20A助力智慧農(nóng)業(yè)

國芯思辰，國產(chǎn)芯片替代

2023-11-15 標簽：fram 鐵電存儲器國芯思辰 559 0

基于ZigBee技術的皮帶運輸機可使用國產(chǎn)FRAM PB85RS2MC

國芯思辰，國產(chǎn)芯片替代

2023-10-27 標簽：存儲器 fram FRAM芯片 860 0

為您的設計選擇正確的內(nèi)存解決方案

內(nèi)存被視為一種必要的技術，然而工廠自動化、自動駕駛汽車、便攜式醫(yī)療設備、邊緣計算和物聯(lián)網(wǎng)傳感器等新應用正在迫使性能要求發(fā)生變化。因此用于評估和選擇特定應...

2021-07-27 標簽：FlaSh 存儲器內(nèi)存 646 0

鐵電存儲器PB85RS2MC在汽車安全氣囊系統(tǒng)中的應用

目前汽車安全氣囊系統(tǒng)引入了兩項主要的創(chuàng)新技術：第一，安全氣囊系統(tǒng)增加了“智能性”，新系統(tǒng)是根據(jù)事故和乘客的具體參數(shù)來決定氣囊的展開力度，這些參數(shù)可能包括...

2023-07-20 標簽：存儲器 ecu fram 687 0

鐵電存儲器PB85RS2MC在生物樣品分選儀中的應用

生物樣品分選儀是應用于實驗室或醫(yī)療機構的一種智能型分選工具，此生物樣品分選儀器具有多規(guī)程的特點，可以由外接計算機在專用軟件中創(chuàng)建、修改或刪除規(guī)程，再通過...

2023-07-20 標簽：存儲器運動控制 fram 549 0

鐵電存儲器PB85RS2MC的性能特征

監(jiān)測數(shù)據(jù)是煤礦安全監(jiān)控系統(tǒng)的源頭，監(jiān)測數(shù)據(jù)的準確性及完整性是煤礦安全生產(chǎn)的關鍵所在。然而現(xiàn)有監(jiān)控分站數(shù)據(jù)存儲容量有限，且多數(shù)不具備記憶功能，一旦通訊線路...

2023-06-29 標簽：存儲器存儲技術監(jiān)控系統(tǒng) 398 0

鐵電存儲器PB85RS2MC在智能配電箱中的應用

鐵電存儲器(FRAM)具有非易失性，讀寫速度快，沒有寫等待時間等優(yōu)勢，能夠像RAM一樣操作，低功耗，擦寫使用壽命長，芯片的擦寫次數(shù)為100萬次，比一般的...

2023-06-29 標簽：存儲器 fram 鐵電存儲器 683 0

鐵電存儲器PB85RS2MC在POS機數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)的應用

我們經(jīng)常能在零售或批發(fā)的商品流通中看到PSO機的身影，如大型超市、綜合商場、零售店等等。在生產(chǎn)消費過程，商品過程越發(fā)數(shù)據(jù)信息化，而POS機可以很好進行數(shù)...

2023-06-20 標簽：數(shù)據(jù)采集 POS機 fram 434 0

鐵電存儲器PB85RS2MC在MCU中的應用

鐵電存儲器(FRAM)的核心技術是鐵電晶體材料，這種特殊材料使鐵電存儲器同時擁有隨機存取記憶體(RAM)和非易失性存儲器的特性，芯片能在常溫、沒有電場的...

2023-06-20 標簽：mcu FlaSh 存儲器 684 0

DS32X35高精度實時時鐘和鐵電隨機存取存儲器的優(yōu)勢

主要的非易失性存儲器技術包括電池備份SRAM、EEPROM和閃存。FRAM以類似于傳統(tǒng)SRAM的速度提供非易失性存儲。功能操作類似于串行EEPROM，主...

2023-01-11 標簽：Maxim 存儲器 fram 744 0

FM24xxx系列FRAM存儲器的驅動設計與實現(xiàn)

雖然說使用EEPROM保存參數(shù)很有效，但操作及使用次數(shù)均有一下限制。當我們的一些參數(shù)需要不定時修改或存儲時，使用FRAM就更為方便一點。這一節(jié)我們就來設...

2022-12-08 標簽：存儲器 fram 驅動設計 1606 0

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