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FRAM（ferromagnetic random access memory）即鐵電存儲(chǔ)器。

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FRAM與SRAM及EEPROM的比較

這種rom的特點(diǎn)是可以隨機(jī)訪問(wèn)和修改任何一個(gè)字節(jié)，可以往每個(gè)bit中寫(xiě)入0或者1。

2022-07-06 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器 EEPROM 數(shù)據(jù)線 2538 0

并口FRAM vs SRAM—并口FRAM與SRAM的比較

鐵電存儲(chǔ)器FRAM是一種具有快速寫(xiě)入速度的非易失性存儲(chǔ)器。與傳統(tǒng)的非易失性存儲(chǔ)器相比，F(xiàn)RAM不需要備用電池來(lái)保留數(shù)據(jù)，并且具有更高的讀/寫(xiě)耐久性，更快...

2022-03-15 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器 sram fram 957 0

非易失性存儲(chǔ)器FRAM的常見(jiàn)問(wèn)題解答

什么是FRAM？ FRAM（鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）是一種非易失性存儲(chǔ)器，它使用鐵電薄膜作為電容器來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。FRAM兼具ROM（只讀存儲(chǔ)器）和RAM（隨機(jī)...

2022-03-02 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器 RAM fram 1141 0

富士通新型Quad SPI接口FRAM MB85RQ8MLX

鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器是一種使用鐵電文件作為存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的電容器的存儲(chǔ)器。即使斷電也能保留內(nèi)容。結(jié)合了ROM和RAM的優(yōu)點(diǎn)，具有快速寫(xiě)入速度、低功耗和高讀/寫(xiě)周...

2022-02-17 標(biāo)簽：SPI fram 鐵電存儲(chǔ)器 1897 0

4KBit I2C鐵電存儲(chǔ)器MB85RC04V的特點(diǎn)

富士通型號(hào)MB85RC04V是一款FRAM芯片，位寬為512字×8位，采用鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術(shù)形成非易失性存儲(chǔ)單元。與SRAM不同，MB85R...

2022-01-18 標(biāo)簽：fram 鐵電存儲(chǔ)器 1406 0

貿(mào)澤電子即日起開(kāi)售Fujitsu Semiconductor Memory Solution產(chǎn)品

貿(mào)澤電子宣布即日起開(kāi)售Fujitsu Semiconductor Memory Solution的鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（FRAM）和高密度電阻式隨機(jī)存...

2021-12-13 標(biāo)簽：SPI接口 fram 非易失性存儲(chǔ)器 1109 0

富士通新品8Mbit FRAM高達(dá)100萬(wàn)億次的寫(xiě)入耐久性

FRAM是一種非易失性存儲(chǔ)器產(chǎn)品，具有讀寫(xiě)耐久性高、寫(xiě)入速度快、功耗低等優(yōu)點(diǎn)，富士通推出了具有并行接口型號(hào)MB85R8M2TA的8Mbit?FRAM存儲(chǔ)...

2021-12-11 標(biāo)簽：運(yùn)行 fram 鐵電存儲(chǔ)器 809 0

鐵電存儲(chǔ)器常見(jiàn)問(wèn)題解決方案

FRAM（鐵電RAM）是一種寫(xiě)入速度快的非易失性存儲(chǔ)器。與傳統(tǒng)的非易失性存儲(chǔ)器（如 EEPROM、閃存）相比，鐵電存儲(chǔ)器不需要用于數(shù)據(jù)保存的備用電池，具...

2021-11-11 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器 fram 1741 0

MSP430FRx MCU如何實(shí)現(xiàn)更高性能

不久之前，我們發(fā)布了全新的 TI Design 參考設(shè)計(jì)，展示了一種用于無(wú)線監(jiān)控電機(jī)狀態(tài)以確定是否需要維護(hù)或更換電機(jī)的解決方案。這種概念非常簡(jiǎn)單：它監(jiān)...

2021-11-23 標(biāo)簽：mcu 嵌入式處理 FFT 1342 0

FRAM如何幫助您找到自己的汽車(chē)

厭倦了在街區(qū)或停車(chē)場(chǎng)兜了五個(gè)圈，只為找一個(gè)空的停車(chē)位？您是否知道電磁傳感器可能是消除您困擾的方法之一？?這些傳感器可置于地上或路面下，用于檢測(cè)車(chē)輛在停...

2021-11-23 標(biāo)簽：傳感器 mcu 嵌入式處理 1198 0

FRAM MCU如何助力便攜式氣象站

海灘風(fēng)力不足對(duì)于我們大多數(shù)人而言并沒(méi)有太大影響，但對(duì)于風(fēng)箏沖浪者，這意味著前往海灘將一無(wú)所獲。但借助于記錄和傳輸實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)的 GSM 氣象站，訪問(wèn) TH...

2021-11-23 標(biāo)簽：mcu 嵌入式處理 fram 867 0

利用MSP430 FRAM微控制器實(shí)現(xiàn)能量采集

對(duì)于很多人來(lái)說(shuō)，第一次接觸能量采集可能是在早期使用太陽(yáng)能便攜式計(jì)算器的時(shí)候，雖然如今這種類(lèi)型的計(jì)算器已不再是主流，但是它所使用的技術(shù)和理念仍然應(yīng)用于我們...

2022-01-11 標(biāo)簽：微控制器 msp430 存儲(chǔ)器 1311 0

FRAM存儲(chǔ)器都用在了哪里

FRAM （鐵電RAM）是一種具有快速寫(xiě)入速度的非易失性存儲(chǔ)器。與傳統(tǒng)的非易失性存儲(chǔ)器（如EEPROM、閃存）相比，F(xiàn)RAM不需要備用電池來(lái)保留數(shù)據(jù)...

2021-10-28 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器物聯(lián)網(wǎng)fram 3037 0

富士通FRAM存儲(chǔ)器的詳細(xì)介紹

FRAM是一種寫(xiě)入速度快的非易失性存儲(chǔ)器。與傳統(tǒng)的非易失性存儲(chǔ)器（如EEPROM、閃存）相比，F(xiàn)RAM不需要用于數(shù)據(jù)保存的備用電池，具有更高的讀/寫(xiě)耐久...

2021-07-27 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器 fram 1372 0

鐵電存儲(chǔ)器FRAM與其他內(nèi)存的比較

FRAM是一種非易失性存儲(chǔ)器，因?yàn)樗Y(jié)合了ram和非易失性存儲(chǔ)器的優(yōu)點(diǎn)。相對(duì)于閃存/EEPROM的寫(xiě)入優(yōu)勢(shì)和非易失性使其非常適合在斷電情況下存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。具...

2021-07-27 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器內(nèi)存 fram 1374 0

富士通4Mbit Quad SPI FRAM助力實(shí)現(xiàn)高速數(shù)據(jù)傳輸

富士通半導(dǎo)體一款具有快速數(shù)據(jù)傳輸功能的4Mbit FRAM MB85RQ4ML。這種非易失性存儲(chǔ)器可以在最高108MHz的工作頻率和帶有四個(gè)I/O引腳的...

2021-07-26 標(biāo)簽：fram 富士通 840 0

64Kbit非易失性鐵電存儲(chǔ)器FM25640B的功能及特征

CYPRESS提供全面的鐵電RAM非易失性存儲(chǔ)器產(chǎn)品組合，可在斷電時(shí)立即捕獲和保存關(guān)鍵數(shù)據(jù)。在關(guān)鍵任務(wù)數(shù)據(jù)記錄應(yīng)用中，例如需要高可靠性控制和吞吐量的工廠...

2021-06-30 標(biāo)簽：閃存存儲(chǔ)器 fram 1906 0

I2C接口FRAM芯片MB85RC16V概述及特點(diǎn)

FRAM只是一種像ram一樣運(yùn)行的高速非易失性存儲(chǔ)器。這允許程序員根據(jù)需要靈活地分配ROM和RAM存儲(chǔ)器映射。它為最終用戶(hù)創(chuàng)造了在底層對(duì)FRAM進(jìn)行編程...

2021-06-29 標(biāo)簽：芯片存儲(chǔ)器設(shè)備 1962 0

128K串行接口FRAM存儲(chǔ)器MB85RS128B概述及特點(diǎn)

富士通FRAM（鐵電RAM）是新一代非易失性存儲(chǔ)器，性能優(yōu)于 E2PROM 和閃存等現(xiàn)有存儲(chǔ)器，功耗更低，速度更快和耐多次讀寫(xiě)操作。FRAM是非易失性的...

2021-06-28 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器接口 fram 1758 0

串行FRAM存儲(chǔ)器64K MB85RS64概述及特點(diǎn)

富士通FRAM是新一代非易失性存儲(chǔ)器，其性能優(yōu)于E2PROM和閃存等現(xiàn)有存儲(chǔ)器，功耗更低，提供更高的速度和耐多次讀寫(xiě)操作。FRAM是非易失性的，但在RA...

2021-06-28 標(biāo)簽：芯片存儲(chǔ)器 fram 3079 0

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