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FRAM(ferromagnetic random access memory)即鐵電存儲器。
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128Kbit非易失性存儲器FM25V01A-G的功能及特征
Cypress憑借在分立存儲器半導體領域近40年的經驗,以同類最佳的存儲器產品、解決方案和技術引領行業。于1982年推出第一款隨機存取存儲器,并從這個吉...
存儲設備(主要指存儲數據的半導體產品)通常分為兩種類型。一種是“易失性存儲器”——數據在斷電時消失,如DRAM。另一種類型則是“非易失性存儲器”——數據...
FM25V10-GTR是采用先進鐵電工藝的1Mbit非易失性存儲器
FM25V10-GTR是采用先進鐵電工藝的1Mbit非易失性存儲器。鐵電存儲器或FRAM是非易失性的,并且執行類似于RAM的讀取和寫入操作。它提供了15...
賽普拉斯FM25V05-GTR是一款非易失性鐵電存儲器,采用先進鐵電工藝的512Kb非易失性存儲器。主要提供了151年的可靠數據保留,同時消除了由串行閃...
FRAM是電力計量系統中使用的主要存儲器,由于具有高耐用性、快速寫入和低能耗等優點,FRAM在此領域迅速占領了市場;隨著電子設備和存儲數據需求的增多使得...
FRAM是一種新型存儲器,具有高速、高密度、低功耗和抗輻射等優點,與EEPROM、FLASH相比,FRAM的讀寫更快、壽命更長,FRAM已經應用于IC卡...
FRAM的學術名字叫做FERAM,利用鐵電晶體的鐵電效應實現數據存儲,其的特點是速度快,能夠像RAM一樣操作,讀寫功耗極低,不存在 如EEPROM的最大...
FRAM鐵電存儲器是一種采用鐵電材料(PZT等)的鐵電性和鐵電效應來進行非易失性數據存儲的存儲器。FRAM具有ROM和RAM的特點,在高速讀寫入、高讀寫...
與傳統的存儲技術相比,FRAM在需要非易失性、高速讀寫、低功耗、高讀寫耐久等綜合性能的應用領域表現出眾、口碑良好。富士通 FRAM量產20年以來,出貨量...
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