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FRAM(ferromagnetic random access memory)即鐵電存儲器。
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隨著汽車智能化的發(fā)展,越來越多的車輛搭載了自動駕駛技術。據(jù)前瞻技術研究院的數(shù)據(jù)顯示,2019年國內自動駕駛市場規(guī)模為1125億元,預計至2023年可達2...
富士通FRAM是斷電情況下也能保留數(shù)據(jù)非易失性的存儲器
富士通FRAM是一種融合了在斷電的情況下也能保留數(shù)據(jù)的非易失性、隨機存取兩個特長的鐵電隨機存儲器(內存)。FRAM的數(shù)據(jù)保持,不僅不需要備用電池,而且與...
與富士通FRAM相比,Everspin MRAM有哪些優(yōu)勢
Everspin是設計制造MRAM到市場和應用程序的翹楚,在這些市場和應用程序中,數(shù)據(jù)持久性和完整性,低延遲和安全性至關重要。Everspin是MRAM...
獨特性能成就技術“硬核”,F(xiàn)RAM 是存儲界的實力派。除非易失性以外, FRAM 還具備三大主要優(yōu)勢:高讀寫入耐久性、高速寫入以及低功耗,這是絕大多數(shù)同...
用于汽車事件數(shù)據(jù)記錄器中的Cypress非易失性FRAM
CYPRESS串行非易失性存儲器為關鍵任務數(shù)據(jù)捕獲提供卓越的性能和可靠性。Excelon鐵電存儲器FRAM系列提供高速非易失性數(shù)據(jù)記錄功能,即使在極端溫...
這些年來,汽車產品對電子產品的依賴性日益增強。從前的機械系統(tǒng)轉移到電子控制單元(ECU)。針對汽車產品安全和用戶娛樂目的的新系統(tǒng)所...
鐵電存儲器(FRAM,ferroelectric RAM)是一種隨機存取存儲器,它將動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)的快速讀取和寫入訪問——它是個人電腦存...
采用FRAM的MCU為何就能具有諸多優(yōu)勢呢?舉例說明:TI做了一個實驗,如果要寫13Kbps的數(shù)據(jù)到DRAM里需要花1秒時間,大約要用2200uA的功耗...
自從 20 世紀 70 年代 IC 卡誕生以來,在飛速發(fā)展的微電子技術的帶動下,IC 卡已經深入到社會生活的各個角落,各種各樣的卡大大方便了人們的生活:...
新型的存儲器既具有RAM的優(yōu)點,又有非失易失性特征,同時克服了非易失性寫入速度慢且寫入次數(shù)有限等缺點。 FRAM的核心技術是鐵電晶體材料。這一特殊材料使...
鐵電存儲器是一種融合了在斷電的情況下也能保留數(shù)據(jù)的非易失性、隨機存取兩個特長的鐵電隨機存儲器(內存)。FRAM的數(shù)據(jù)保持不僅不需要備用電池,而且與EEP...
盡管靜態(tài)RAM和鐵電RAM可以有完全不同的用途,但是隨著SPI等標準接口的出現(xiàn),這些技術在功能上有很大的重疊。本篇文章宇芯電子詳細介紹了SRAM和FRA...
Everspin MRAM提供了最具成本效益的非易失性RAM解決方案
FRAM架構采用鐵電材料作為存儲器件,這些材料具有一個固有的電偶極子,該偶極子在外部電場的作用下轉換為相反的極性。 FRAM中的讀取操作具有破壞性,因為...
?Everspin MRAM MR25H40VDF相比富士通FRAM MB85RS4MT的優(yōu)勢
Everspin是設計制造MRAM到市場和應用的翹楚,在這些市場和應用中,數(shù)據(jù)持久性和完整性,低延遲和安全性是至關重要。MR25H40VDF是一個419...
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