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FRAM（ferromagnetic random access memory）即鐵電存儲(chǔ)器。

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富士通半導(dǎo)體推出基于2.7V-5.5V的寬電壓FRAM產(chǎn)品MB85RC256V

富士通半導(dǎo)體（上海）有限公司今日宣布，推出其V系列的又一款新產(chǎn)品MB85RC256V。

2012-10-16 標(biāo)簽：FRAM 電源芯片富士通半導(dǎo)體 2079 0

賭注加大賽普拉斯再次提高Ramtron收購(gòu)價(jià)

電子發(fā)燒友網(wǎng)訊【編譯/David】：賽普拉斯半導(dǎo)體公司周一（8月27日），宣布再次提高對(duì) FRAM 廠(chǎng)商Ramtron的并購(gòu)價(jià)。

2012-08-28 標(biāo)簽：賽普拉斯 Ramtron FRAM 906 0

富士通推HF頻段RFID標(biāo)簽IC 配備9KB FRAM

　　富士通半導(dǎo)體將推出配備FRAM的RFID標(biāo)簽IC“FerVID Family”的新產(chǎn)品——配備9KB FRAM的HF頻段RFID標(biāo)簽IC“MB89R...

2012-07-02 標(biāo)簽：RFID FRAM 通信芯片 1123 0

FRAM內(nèi)置串行接口擴(kuò)展RFID應(yīng)用

鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器RFID由于存儲(chǔ)容量大、擦寫(xiě)速度快，一直被用作數(shù)據(jù)載體標(biāo)簽。內(nèi)置的串行接口可將傳感器與RFID連接在一起，從而豐富了RFID應(yīng)用。

2012-06-04 標(biāo)簽：串行接口 fram rfid應(yīng)用 1032 0

富士通半導(dǎo)體推出基于0.18um技術(shù)的FRAM系列產(chǎn)品

富士通半導(dǎo)體(上海)有限公司近日宣布推出其基于0.18μm技術(shù)的全新系列FRAM產(chǎn)品家族。該系列包括MB85RC64V和MB85RC16V 兩個(gè)型號(hào)，均...

2012-02-08 標(biāo)簽：FRAM 富士通半導(dǎo)體 1046 0

富士通半導(dǎo)體推出0.18μm技術(shù)的SPI FRAM產(chǎn)品

富士通半導(dǎo)體（上海）有限公司今日宣布推出基于0.18 μm 技術(shù)的全新 SPI FRAM產(chǎn)品家族，包括MB85RS256A、MB85RS128A和MB8...

2011-07-20 標(biāo)簽：SPI FRAM 富士通半導(dǎo)體 805 0

德州儀器推出FRAM 16位微控制器MSP430FR57xx系列

德州儀器(TI)宣布推出業(yè)界首款超低功耗鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(FRAM)16位微控制器，從而宣告可靠數(shù)據(jù)錄入和射頻(RF)通信能力進(jìn)入了一個(gè)新時(shí)代

2011-05-05 標(biāo)簽：微控制器德州儀器 FRAM 964 0

透過(guò)在ICT解決方案中使用FRAM技術(shù) 降低整個(gè)系統(tǒng)的CO2

FRAM」是前景看好且正受到廣泛關(guān)注的集成電路組件，然而，其制造過(guò)程中使用的原材料及化學(xué)物質(zhì)頗多，制程也極為復(fù)雜。為了計(jì)算出在生產(chǎn)FRAM時(shí)的CO2排放...

2010-07-05 標(biāo)簽：CO2 FRAM 717 0

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云儲(chǔ)存

云儲(chǔ)存

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云存儲(chǔ)是在云計(jì)算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來(lái)的一個(gè)新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)技術(shù)，本章詳細(xì)介紹了什么是云儲(chǔ)存，云數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，免費(fèi)云存儲(chǔ)哪個(gè)好，云儲(chǔ)存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
富士通

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富士通憑借在ICT領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗(yàn)和實(shí)力，致力于與客戶(hù)攜手共創(chuàng)美好的未來(lái)社會(huì)。富士通集團(tuán)（東京證券交易所上市代碼：6702）截至2015年3月31日財(cái)政年度的合并收益為4.8兆日元（400億美元）。
3d nand

3d nand

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3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類(lèi)型，通過(guò)把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來(lái)解決2D或者平面NAND閃存帶來(lái)的限制。固態(tài)硬盤(pán)的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價(jià)和容量還都是個(gè)問(wèn)題。這種寬度為2.5英寸的硬盤(pán)用來(lái)容納存儲(chǔ)芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤(pán)的總體存儲(chǔ)空間，但更高的成本也拉高了硬盤(pán)的售價(jià)。
江波龍

江波龍

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非易失性存儲(chǔ)器

非易失性存儲(chǔ)器

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非易失性存儲(chǔ)器一般指非易失性?xún)?nèi)存，非易失性存儲(chǔ)器（英語(yǔ)：non-volatile memory，縮寫(xiě)為NVM）是指當(dāng)電流關(guān)掉后，所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)不會(huì)消失的電腦存儲(chǔ)器。非易失性存儲(chǔ)器中，依存儲(chǔ)器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時(shí)隨時(shí)改寫(xiě)為標(biāo)準(zhǔn)，可分為二大類(lèi)產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。
LPDDR4

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合肥長(zhǎng)鑫

合肥長(zhǎng)鑫

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2016年5月，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動(dòng)。作為一體化存儲(chǔ)器制造商，公司專(zhuān)業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠(chǎng)并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場(chǎng)需求巨大并持續(xù)增長(zhǎng)。
NOR flash

NOR flash

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　　NOR Flash是一種非易失閃存技術(shù)，是Intel在1988年創(chuàng)建。是市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)之一。
nvme

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NVM Express（NVMe），或稱(chēng)非易失性?xún)?nèi)存主機(jī)控制器接口規(guī)范（英語(yǔ)：Non Volatile Memory Host Controller Interface Specification，縮寫(xiě)：NVMHCIS），是一個(gè)邏輯設(shè)備接口規(guī)范。它是與AHCI類(lèi)似的、基于設(shè)備邏輯接口的總線(xiàn)傳輸協(xié)議規(guī)范（相當(dāng)于通訊協(xié)議中的應(yīng)用層）
福建晉華

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3D NAND Flash

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西數(shù)

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4K視頻

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自研

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東芝公司

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Arasan

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SRAM存儲(chǔ)器

SRAM存儲(chǔ)器

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　　sram存儲(chǔ)器是指靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。這種存儲(chǔ)器只要保持通電，里面儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。相對(duì)之下，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器里面所儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就需要周期性地更新。然而，當(dāng)電力供應(yīng)停止時(shí)，SRAM儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)還是會(huì)消失，這與在斷電后還能儲(chǔ)存資料的ROM或閃存是不同的。
SQL Server

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手機(jī)內(nèi)存

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嵌入式閃存

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3DXPoint

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Intel公司

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存儲(chǔ)行業(yè)

存儲(chǔ)行業(yè)

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快閃存儲(chǔ)器

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nosql

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　　NoSQL僅僅是一個(gè)概念，泛指非關(guān)系型的數(shù)據(jù)庫(kù)，區(qū)別于關(guān)系數(shù)據(jù)庫(kù)，它們不保證關(guān)系數(shù)據(jù)的ACID特性。
安博會(huì)

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云盤(pán)

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云盤(pán)是一種專(zhuān)業(yè)的互聯(lián)網(wǎng)存儲(chǔ)工具，是互聯(lián)網(wǎng)云技術(shù)的產(chǎn)物，它通過(guò)互聯(lián)網(wǎng)為企業(yè)和個(gè)人提供信息的儲(chǔ)存，讀取，下載等服務(wù)。具有安全穩(wěn)定、海量存儲(chǔ)的特點(diǎn)。
FORESEE

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FORESEE為深圳市江波龍電子股份有限公司（longsys）的存儲(chǔ)品牌。
USB 3.0接口

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