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半導體材料的發展歷程

第一代半導體材料以錯和硅為主。

2023-07-17 標簽：集成電路半導體晶體管 2033 0

GaAs的濕法蝕刻和光刻工藝

本文主要闡述我們華林科納在補救InGaP/GaAs NPN HBT的噴霧濕法化學腐蝕過程中光刻膠粘附失效的幾個實驗的結果。確定了可能影響粘附力的幾個因素...

2022-07-12 標簽：光刻蝕刻晶片 1991 0

激光測溫之干涉測溫技術知識簡析

干涉測溫技術是幾種主要的激光測溫方法之一。

2024-01-16 標簽：半導體激光器 GaAs 1844 0

本振的相噪發生變化是什么原因導致的？

同一信號，經過不同的放大器后，輸出信號有的相噪好，有的相噪差。

2023-08-25 標簽：放大器 ADS仿真 GaAs 1712 0

VCSEL制造工藝全流程

作為自動駕駛所需的LiDAR等3D傳感技術的光源，半導體激光器的市場變得活躍起來。其中之一是具有小型化、節能等優點的VCSEL（Vertical Cav...

2023-05-24 標簽：半導體制造工藝 VCSEL 1609 0

靶材的種類及制備工藝靶材在半導體領域的應用

選擇合適的靶材在半導體工藝中十分重要。

2023-12-28 標簽：半導體場效應晶體管 GaAs 1556 0

一文詳解氧化剝離技術（1）

光發射器與硅電子器件的融合是許多應用的長期挑戰，例如芯片級光互連、片上光學系統、光通信芯片等。[1]. 在這些應用中，光發射機通常被設想為鍵合到硅集成電...

2022-09-09 標簽：發射器蝕刻 GaAs 1198 0

焊料體系對高功率半導體激光器性能有哪些影響呢？

Au80Sn20焊料共晶溫度280℃，溫度較低，易于芯片燒結。 Au80Sn20最終態為Au、AuSn和Au5Sn。

2023-11-28 標簽：激光器 AES GaAs 1189 0

什么是電力電子？為什么碳化硅對電力電子很重要？

碳化硅電力電子支持可再生能源等新興產業（包括太陽的,燙的和風力）、EV/HEV動力系統，以及電動火車、公共汽車和其他類型的公共交通工具。

2023-02-06 標簽：MOSFET 電力電子 SiC 1185 0

脊型GaAs基LD激光芯片工藝過程簡述

但是里面也有幾個關鍵的工藝參數需要控制的。同樣Etch GaAs也可以用ICP干法刻蝕的工藝，比濕法工藝效果要好些，側壁也垂直很多。

2023-11-14 標簽：封裝 GaAs 芯片工藝 1168 0

介紹一款高隔離非反射DC至6 GHz GaAs pHEMT SPDT開關

HMC849ALP4CE是一款高隔離非反射DC至6 GHz GaAs pHEMT SPDT開關，采用低成本無引腳表貼封裝。

2022-10-10 標簽：無線電 GaAs 高電平 1140 0

產品教程｜Nanodcal 材料學與化學（生成能02）

Nanodcal是一款基于非平衡態格林函數-密度泛函理論（NEGF - DFT）的第一性原理計算軟件，主要用于模擬器件材料中的非線性、非平衡的量子輸運過...

2022-11-24 標簽：模擬器件化學 GaAs 1090 0

半導體材料在納米光子學中的作用

半導體材料在開發納米光子技術方面發揮著重要作用。

2023-05-14 標簽：半導體納米 GaAs 1066 0

采用砷化鎵(GaAs)工藝制造的HMC232A

HMC232A是一款非反射式、SPDT、RF開關，采用砷化鎵(GaAs)工藝制造。

2023-01-31 標簽：GaAs LFCSP SPDT開關 1032 0

GaAs二極管在高性能功率變換器中的應用

GaAs二極管是WBG功率半導體中的全新成員，其為設計人員提供了一種能夠在高性能功率變換器中平衡效率與成本的方案。

2023-12-04 標簽：二極管 GaAs 諧振電壓 1027 0

濕法蝕刻的GaAs表面研究

為了能夠使用基于 GaAs 的器件作為化學傳感器，它們的表面必須進行化學改性。GaAs 表面上液相中分子的可重復吸附需要受控的蝕刻程序。應用了幾種分析方...

2022-03-31 標簽：傳感器蝕刻 GaAs 993 0

帶PIN二極管的電流源DAC提供RF衰減和熱補償

PIN二極管通常用作電視調諧器中RF信號的可變衰減器，以及固定設備中的寬帶RF的可變衰減器。這些二極管可以作為分立器件安裝在電路板上，也可以集成到混合G...

2023-02-27 標簽：二極管 RF GaAs 883 0

可編程線性霍爾效應集成電路(霍爾IC)-GS302

GS302通過磁場強度的變化，輸出等比例霍爾電勢，從而感知電流及線性位移，廣泛用于電流傳感器、線性馬達等。

2023-05-26 標簽：集成電路 GaAs 電流傳感器 866 0

非均勻GaAs/AlGaAs量子阱紅外探測器材料表征和器件性能研究

量子阱紅外探測器基于子帶躍遷的工作原理，探測器吸收紅外輻射后激發量子阱中的電子，使其從基態躍遷到連續態中，從而實現紅外探測。

2023-12-18 標簽：探測器紅外探測器 GaAs 743 0

半導體行業之半導體材料特性（七）

盡管有這些優點，但是砷化鎵材料仍不能取代硅材料進而變成主流的半導體材料。原因在于我們必須要在實際的材料性能和加工難度這兩個關鍵因素之間進行權衡。

2023-11-27 標簽：半導體晶圓晶體管 682 0

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