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從型號看實力！仁懋GaN器件命名規(guī)則全解析

型號背后的技術密碼仁懋氮化鎵（GaN）器件型號采用"三段式編碼規(guī)則"，通過字母與數(shù)字組合精準傳遞技術參數(shù)。示例型號：MOTGE65R...

2025-05-06 標簽：GaN器件仁懋電子 35 0

氮化鎵技術驅動的高效逆變器設計：硅與GaN器件的比較分析

通過重新設計基于氮化鎵(GaN)場效應晶體管(FET)的IGBT和MOSFET解決方案，DRS優(yōu)化的車輛逆變器性能使開關頻率提高了四倍，減少了體積和重量...

2025-04-22 標簽：逆變器氮化鎵 GaN器件 193 0

基于LMG3410R070 UCD3138A 和 UCD7138的HV GaN FET的24V/500W諧振轉換器參考設計

此參考設計是高頻諧振轉換器參考設計。使用諧振頻率為 500 kHz 的諧振電路，輸出電壓調節(jié)至 24 V，輸入電壓范圍為 380 V 至 400 V。此...

2025-02-26 標簽：輸出電壓 FET 諧振電路 368 0

用戶指南#LMG34XX-BB-EVM適用于 LMG341x 系列的 LMG34xx GaN 系統(tǒng)級評估主板

LMG34XX-BB-EVM 是一款易于使用的分線板，可將任何 LMG341x 半橋板（如 LMG3410-HB-EVM）配置為同步降壓轉換器。通過提供...

2025-02-26 標簽：邏輯電路熱管理偏置電源 306 0

PMP21842 采用 HV GaN FET 的 12V/500W諧振轉換器參考設計

此高頻諧振轉換器參考設計使用諧振頻率為 500kHz 的諧振電路，在 380V 至 400V 輸入電壓范圍內調節(jié) 12V 輸出。使用我們的高壓 GaN ...

2025-02-25 標簽：諧振轉換器偏置電源同步整流器 345 0

EVM用戶指南：LMG2650EVM-100 LMG2650半橋子卡評估模塊

LMG2650EVM-100 旨在提供一個快速簡便的平臺，用于評估任何半橋拓撲中的 TI 集成 GaN 器件。該板設計為使用板底部邊緣的 6 個電源引腳...

2025-02-24 標簽：電源拓撲引腳 573 0

LMG2640子卡評估模塊LMG2640EVM-090介紹

LMG2640 子卡評估模塊（EVM）旨在提供一個快速簡便的平臺，以評估任何半橋拓撲中的 TI 集成 GaN 器件。該板設計為使用板底部邊緣的 6 ...

2025-02-21 標簽：電源數(shù)字控制引腳 340 0

GaN可靠性測試新突破：廣電計量推出高壓性能評估方案

氮化鎵（GaN），作為一種具有獨特物理和化學性質的半導體材料，憑借卓越的功率轉換效率、超快的開關速度以及出色的耐高溫性能，在5G通信、新能源汽車、數(shù)據(jù)中...

2024-11-28 標簽：SiC GaN 可靠性測試 702 0

淺析電源功率模組完整的設計和驗證流程

電動汽車、新能源、光伏、風電等領域廣泛使用高功率開關電源功率模組。IGBT和MOSFET是模組中常用器件。

2024-05-07 標簽：電動汽車 IGBT 電磁兼容性 1324 0

聚焦大功率氮化鎵（GaN）器件及其在實際應用中所面臨的相關熱問題

熱設計是一個至關重要的課題，其中的各種規(guī)則、縮略語和復雜方程時常讓人感到它似乎是個深不可測的神秘領域；

2024-04-24 標簽：集成電路 PCB板 QFN封裝 1685 0

氮化鎵技術發(fā)展現(xiàn)狀分析

GaN器件的功率密度是砷化鎵(GaAs) 器件的十倍。GaN器件的更高功率密度使其能夠提供更寬的帶寬，更高的放大器增益和更高的效率,這是由于器件外圍更小。

2023-08-21 標簽：放大器導通電阻氮化鎵 567 0

半導體，微電子，集成電路都是什么關系？

半導體產(chǎn)業(yè)往往指以半導體材料為基礎的整個產(chǎn)業(yè)鏈生態(tài)，這里可以包括半導體材料的生產(chǎn)（屬于化學產(chǎn)業(yè)），利用半導體材料生產(...

2023-07-11 標簽：半導體驅動芯片 CMOS反相器 7388 0

從模塊電源技術發(fā)展角度看模塊電源的統(tǒng)型與選型

模塊電源（BMP）因其高效、安全、可靠、系統(tǒng)升級容易等特點，廣泛的應用于工業(yè)自動化、繼電保護、配網(wǎng)自動化、軌道交通、汽車電子、航空航天等高可靠性高性能的領域。

2023-06-19 標簽：電磁兼容 BMP PCB工藝 1765 0

AIGC可編輯的圖像生成方案

ControlNet給出的實驗結果實在是過于驚艷了，近期視覺領域最讓人興奮的工作。

2023-03-03 標簽：Clip GaN器件 OpenAI 4176 0

硅基氮化鎵用途

當前軍事與航天領域是氮化鎵技術最大的市場。最早就是在美國國防部的推動下，開始了氮化鎵技術的研究，慢慢地就行成了現(xiàn)在GaN器件的市場。據(jù)統(tǒng)計，軍事和航天領...

2023-02-12 標簽：雷達硅基氮化鎵技術 GaN器件 647 0

全電飛機航空電子系統(tǒng)的設計方案解析

SOI獨特的“Si/絕緣層/Si”三層結構，帶來了諸多優(yōu)勢：首先，“絕緣埋層”實現(xiàn)了器件功能有源部分和襯底的全介質隔離，減小了寄生電容，開關頻率得以提高。

2023-01-10 標簽：電機驅動 SiC 碳化硅 3275 0

探索寬帶隙WBG半導體的基礎知識和應用

不同種類的 GaN 可能具有不同的柵極驅動要求，這可能是使用 GaN 組件進行設計時面臨的最大挑戰(zhàn)之一。

2022-11-10 標簽：CGD dcdc轉換器 GaN器件 3088 0

GaN在射頻（RF）前端中的應用分析

對于工程師來說，設計 GaN PA 的第一步就是獲得半導體制造商的產(chǎn)品數(shù)據(jù)手冊；第二部就是查看 S 參數(shù)。PA 設計工程師還可以利用測得的負載牽引數(shù)...

2022-06-07 標簽：GaN GaN器件 5936 0

如何提高碳化硅器件的效率

高效率當然是一個優(yōu)點，但有時“高”的說法并不準確，例如：家用電子設備散發(fā)出“較高”的熱量，可以減輕您的中央供暖工作在寒冷氣候中的工作量，或許能從能源使用...

2022-03-31 標簽：碳化硅 GaN器件 SiCMOSFET 2077 0

為什么GaN FET是LLC轉換器設計的最佳選擇

氮化鎵（GaN）器件以最小的尺寸提供了最佳的性能，提高了效率，并降低了48 V電源轉換應用的系統(tǒng)成本。迅速增長的采納的eGaN的?在大批量這些應用FET...

2021-03-31 標簽：發(fā)動機混合動力車 LLC轉換器 3372 0

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　　閾值電壓（Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉折區(qū)的中點對應的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時具有不同的參數(shù)。如描述場發(fā)射的特性時，電流達到10mA時的電壓被稱為閾值電壓。
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