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氧化鎵(Ga2O3 )是性能優(yōu)異的超寬禁帶半導(dǎo)體材料,不僅臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng)大、飽和速度高,而且具有極高的 巴利加優(yōu)值和約翰遜優(yōu)值,在功率...
Analog Devices Inc. LT8418半橋GaN驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
Analog Devices Inc. LT8418半橋GaN驅(qū)動(dòng)器是一款100V器件,集成了頂部和底部驅(qū)動(dòng)器級(jí)、驅(qū)動(dòng)器邏輯控制和保...
2025-06-10 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器GaNAnalog 142 0
納芯微高壓半橋驅(qū)動(dòng)芯片NSD2622N產(chǎn)品介紹
納芯微發(fā)布專為增強(qiáng)型GaN設(shè)計(jì)的高壓半橋驅(qū)動(dòng)芯片NSD2622N,該芯片集成正負(fù)壓穩(wěn)壓電路,支持自舉供電,具備高dv/dt...
2025-06-09 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)電路氮化鎵GaN 216 0
耐壓值定義了芯片安全工作電壓上限,若輸入電壓超過(guò)該值(如動(dòng)態(tài)波動(dòng)或負(fù)載突變),可能引發(fā)擊穿或永久損壞,直接影響器件可靠性、性能表現(xiàn...
浮思特 | 在工程襯底上的GaN功率器件實(shí)現(xiàn)更高的電壓路徑
橫向氮化鎵高電子遷移率晶體管(HEMT)在中低功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用領(lǐng)域正呈現(xiàn)強(qiáng)勁增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。將這一材料體系擴(k...
Analog Devices Inc. LTC7892兩相升壓控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)
Analog Devices LTC7892兩相升壓控制器可驅(qū)動(dòng)所有N溝道同步氮化鎵(GaN)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)功率級(jí),輸出電壓高達(dá)1...
Analog Devices Inc. EVAL-LTC7892-BZ評(píng)估板數(shù)據(jù)手冊(cè)
Analog Devices EVAL-LTC7892-BZ評(píng)估板設(shè)計(jì)用于演示LTC7892 GaN FET控制器。LTC7892優(yōu)化采用100V Ga...
Analog Devices Inc. ADPA1116 GaN功率放大器數(shù)據(jù)手冊(cè)
Analog Devices ADPA1116 GaN功率放大器具有39.5dBm飽和輸出功率(P ~OUT~ ),功率附加效率(PAE)為40%,輸入...
E-GaN電源芯片U8722FE是U8722X系列最新增加的型號(hào),ID(A)(TJ=125℃)4.0,耐壓700V,推薦功率60W,采用的是ESOP-7封裝。
氮化鎵充電器與普通充電器在充電效率方面對(duì)比,性能遙遙領(lǐng)先。它支持多種快充協(xié)議,如PD、QC等,能夠智能識(shí)別設(shè)備所需的充電功率,實(shí)現(xià...
UCC27611 具有 4V UVLO 和 5V 穩(wěn)壓輸出的 4A/6A 單通道柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
UCC27611 是一款針對(duì) 5V 驅(qū)動(dòng)優(yōu)化的單通道高速柵極驅(qū)動(dòng)器,專門針對(duì)增強(qiáng)型 GaN FET 進(jìn)行尋...
LM5113-Q1系列 用于 GaNFET 的汽車級(jí) 1.2A/5A、100V 半橋柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
LM5113-Q1 旨在以同步降壓、升壓或半橋配置驅(qū)動(dòng)汽車應(yīng)用中的高壓側(cè)和低壓側(cè)增強(qiáng)型氮化鎵 (GaN) FET 或硅 MOSFET。該器...
LMG1205 適用于GaNFET和MOSFET的1.2A、5A、90V、具有 5V UVLO 的半橋柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
該 LMG1205 設(shè)計(jì)用于在同步降壓、升壓或半橋配置中驅(qū)動(dòng)高壓側(cè)和低壓側(cè)增強(qiáng)型氮化鎵 (GaN) FET。該器件具有集成的 100...
UCC5320 3k/5kVrms、2A/2A 單通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器,UVLO 以 GND 或分離輸出為基準(zhǔn)數(shù)據(jù)手冊(cè)
UCC53x0 是單通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器系列,設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng) MOSFET、IGBT、SiC MOSFET 和 GaN FET (UCC5350...
LMG1020 具有 5V UVLO 的 7A/5A 單通道柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
LMG1020 器件是一款單通道低側(cè)驅(qū)動(dòng)器,設(shè)計(jì)用于在高速應(yīng)用中驅(qū)動(dòng) GaN FET 和邏輯電平 MOSFET,包括 Li...
基于德州儀器TOLL封裝GaN器件優(yōu)化電源設(shè)計(jì)
當(dāng)今的電源設(shè)計(jì)要求高效率和高功率密度。因此,設(shè)計(jì)人員將氮化鎵 (GaN) 器件用于各種電源轉(zhuǎn)換拓?fù)洹?/p>
2025-05-19 標(biāo)簽:電源設(shè)計(jì)封裝GaN 424 0
UCC21540A 5.7kVrms,4A/6A雙通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
UCC2154x 是一款隔離式雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器系列,具有高達(dá) 4A/6A 的峰值拉/灌電流,可驅(qū)動(dòng)功率 MOSFET、IGBT 和 GaN 晶體管。采用...
LMG1025-Q1 具有 5V UVLO 的汽車類 7A/5A 單通道低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
LMG1025-Q1 是一款單通道低側(cè)增強(qiáng)型 GaN FET 和邏輯電平 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器,適用于高開(kāi)關(guān)頻率汽車應(yīng)用。窄...
2025-05-17 標(biāo)簽:二極管MOSFET驅(qū)動(dòng)器 350 0
UCC21540-Q1 汽車5.7kVRMS,4A/6A雙通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
UCC21540-Q1 器件是一款隔離式雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器,具有可編程死區(qū)時(shí)間和寬溫度范圍。該器件在極端溫度條件下表現(xiàn)出一致的性能和穩(wěn)健性。它...
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