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垂直與橫向GaN功率器件單片集成的高效隔離技術

垂直和橫向氮化鎵(GaN)器件的集成可以成為功率電子學領域的一次革命性進展。這種集成能夠使驅動和控制橫向GaN器件與垂直功率器件緊密相鄰。在本文中，我們...

2025-01-16 標簽：MOS 功率器件 GaN 67 0

遠山半導體1700V GaN器件的特性測試方案

遠山半導體在連續推出幾款高壓GaN器件后，最終將他們最新款產品的額定電壓推向1700V，相較于之前的1200V器件又有了顯著的提升。為了解決GaN器件常...

2025-01-14 標簽：功率器件 SiC GaN 519 0

嵌入PCB術語拓展

一、術語 1、SiP：System-in-Package SiP是一種先進的封裝技術，它將多個半導體器件、集成電路（IC）或其他電子組件，以及必要的輔助...

2025-01-08 標簽：pcb SiP qfn 325 0

安森美解讀SiC制造都有哪些挑戰？粉末純度、SiC晶錠一致性

硅通常是半導體技術的基石。然而，硅也有局限性，尤其在電力電子領域，設計人員面臨著越來越多的新難題。解決硅局限性的一種方法是使用寬禁帶半導體。本文為白皮...

2025-01-05 標簽：安森美 SiC GaN 769 0

電源管理芯片U8733產品概述

驅動電流分檔功能?是指通過配置不同的分壓電阻值來調節驅動電流的檔位，從而優化系統的EMI性能和效率。這種功能通常集成在電源管理芯片中，如電源管理芯片U8...

2024-12-30 標簽：封裝 FET GaN 323 0

TI的UCG28826無輔助繞組 GaN 反激式轉換器如何解決交流/直流適配器設計難題

人們對更小、更高效電源的需求不斷增長，進而推動著基于氮化鎵 (GaN) 的功率級快速普及。在交流/直流適配器市場中，制造商正在迅速利用 GaN 反激式轉...

2024-12-18 標簽：德州儀器 ti 適配器 632 0

廣芯微600W雙向DC-DC升降壓轉換平臺方案

廣芯微電子(廣州)股份有限公司于2024年12月宣布推出基于其UM32G421微處理器芯片打造的600W高效率雙向DC-DC升降壓轉換參考開發平臺，集成...

2024-12-14 標簽：轉換器微處理器 DC-DC 1260 0

45W電源芯片U8765的高壓啟動功能

高壓啟動是電源芯片在工作中啟動的一種方式，通常是在電源芯片啟動時加入一個高壓信號，使其能夠快速地進入正常工作狀態。45W電源芯片U8765集成了高壓啟動...

2024-12-12 標簽：驅動電路 GaN 電源芯片 235 0

基于石英玻璃外延GaN的工藝改進方法有哪些？

基于石英玻璃外延GaN的工藝改進方法主要包括以下幾個方面：一、晶圓片制備優化多次減薄處理：采用不同材料的漿液和磨盤對石英玻璃進行多次減薄處理，可...

2024-12-06 標簽：GaN 石英玻璃碳化硅 339 0

GaN可靠性測試新突破：廣電計量推出高壓性能評估方案

氮化鎵（GaN），作為一種具有獨特物理和化學性質的半導體材料，憑借卓越的功率轉換效率、超快的開關速度以及出色的耐高溫性能，在5G通信、新能源汽車、數據中...

2024-11-28 標簽：SiC GaN 可靠性測試 378 0

氮化鎵簡介及其應用場景

氮化鎵（Gallium Nitride，簡稱GaN）作為最新一代的半導體材料，近年來在電力電子應用領域引發了廣泛關注。其卓越的性能和獨特的優勢，使其成為...

2024-11-27 標簽：電動汽車半導體氮化鎵 1268 0

#參考設計#用于工業應用的60W雙輸出反激式電源（使用InnoMux2-EP（1700V PowiGaN））

60 W反激式轉換器，具有兩個獨立調節的CV輸出，使用基于1700 V PowiGaN的InnoMux2-EP（IMX2353F-H415），用于具有高...

2024-11-19 標簽：反激式電源 GaN 工業電源 1025 0

安森美GaN功率器件的功能和優點

GaN功率器件的應用在消費類產品電源近年相當普及，大大提升了電源的效率和功率密度，其優點和用量遞增，也逐漸延伸到服務器和工業電源領域。安森美（onse...

2024-11-15 標簽：安森美功率器件 GaN 255 0

納芯微提供全場景GaN驅動IC解決方案

作為當下熱門的第三代半導體技術，GaN在數據中心、光伏、儲能、電動汽車等市場都有著廣闊的應用場景。和傳統的Si器件相比，GaN具有更高的開關頻率與更小的...

2024-11-14 標簽：驅動驅動IC GaN 432 0

芯干線100W氮化鎵電源適配器拆解

芯干線科技新近研發的一款 100W 電源適配器，深受功放市場青睞，認可度極高。

2024-11-08 標簽：電源電源適配器氮化鎵 615 0

PD快充芯片U8722BAS可減少非必要能效損耗

YLBPD快充芯片U8722BAS可減少非必要能效損耗GaN技術的零反向恢復特性(因為不存在體二極管)導致二極管反向偏置電流沒有穩定時間，從而降低了死區...

2024-11-01 標簽：二極管 GaN 快充芯片 219 0

氮化鎵快充芯片U8765的主要特性

相信大家都清楚，輕載或空載狀態下，開關損耗在轉換效率中占主導地位。所以為了降低待機功耗，大部分電源芯片都采取載輕降頻的控制方式。而芯片的控制方式可以說是...

2024-10-30 標簽：氮化鎵 GaN 快充芯片 313 0

遠山半導體氮化鎵功率器件的耐高壓測試

氮化鎵（GaN），作為一種具有獨特物理和化學性質的半導體材料，近年來在電子領域大放異彩，其制成的氮化鎵功率芯片在功率轉換效率、開關速度及耐高溫等方面優勢...

2024-10-29 標簽：半導體功率器件氮化鎵 472 0

BiGaN開關在廣泛電源管理中的應用

保護USB端口、為來自不同源的設備切換電路、以及高側負載開關免受浪涌影響，都依賴于雙向電壓阻斷和電流導通。到目前為止，設計人員只能使用兩個N型MOSFE...

2024-10-24 標簽：MOSFET 電源管理 GaN 282 0

GaN和SiC功率器件的特性和應用

如今，圍繞第三代半導體的研發和應用日趨火熱。由于具有更大的禁帶寬度、高耐壓、高熱導率、更高的電子飽和速度等特點，第三代半導體材料能夠滿足未來電子產品在高...

2024-10-18 標簽：半導體 SiC 氮化鎵 907 0

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藍牙5是藍牙技術聯盟于2016年6月16日發布的新一代藍牙標準。藍牙5比原來擁有更快的傳輸速度，更遠的傳輸距離。藍牙5.0的開發人員稱，新版本的藍牙傳輸速度上限為24Mbps，是之前4.2LE版本的兩倍。藍牙5.0的另外一個重要改進是，它的有效距離是上一版本的4倍，理論上，藍牙發射和接收設備之間的有效工作距離可達300米。
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