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40W兩級高效無頻閃GaN方案OB3674P+OB8652V介紹

隨著辦公照明和商業照明市場日趨成熟，高PF、低諧波、低成本、無頻閃、高光效等需求已成為用戶的首選。為了滿足用戶高效節能、高可靠性和電源驅動小型化的要求，...

2023-06-30 標簽：PFC Boost GaN 3829 0

全芯時代單通道低側GaN驅動器

該芯片是一款單通道低側GaN FET和邏輯電平MOSFET驅動器，可應用于LiDAR、飛行時間、面部識別和低側驅動的功率轉換器等領域。

2023-06-30 標簽：MOSFET 驅動器 GaN 533 0

GaN器件特性影響因素有哪些？

GaN開始為人所知是在光電LED市場，廣為人知則是在功率半導體的消費電子快充市場。但實際上，GaN最初在功率半導體領域的目標據說是新能源汽車市場，而非消...

2023-06-29 標簽：氮化鎵 GaN 華燦光電 651 0

車規級氮化鎵（GaN）技術有何優勢？

作為電力電子領域的核心技術之一，基于GaN的電能轉換技術在消費電子、數據中心等領域有廣泛應用，這對提高電能的高效利用及實現節能減排起著關鍵作用。

2023-06-29 標簽：數據中心氮化鎵 GaN 1087 0

全方面的電池應用解決方案

越來越多的無線和電池供電設備越來越多地滲透到日常生活中，其中包括電動汽車（EV）與太陽能儲能系統等應用，如何對電池進行高效率的管理將是重要課題。本文將為...

2023-06-28 標簽：MOSFET GaN 電源系統 976 0

三菱電機采用單個GaN功率放大器實現4G、5G及Beyond 5G/6G通信系統寬帶運行

三菱電機集團近日（2023年6月8日）宣布，該公司已開發出首款使用單個放大器即可覆蓋3400MHz頻段的氮化鎵(GaN)功率放大器。該技術已被證明可用于...

2023-06-27 標簽：通信系統三菱電機 GaN 855 0

如何在缺陷樣本少的情況下實現高精度的檢測

導讀缺陷檢測是工業生產過程中的關鍵環節，其檢測結果的好壞直接影響著產品的質量。而在現實場景中，但產品瑕疵率非常低，甚至是沒有，缺陷樣本的不充足使得需...

2023-06-26 標簽：軟件 GaN 生成器 1590 0

基于GAN的零缺陷樣本產品表面缺陷檢測

缺陷檢測是工業生產過程中的關鍵環節，其檢測結果的好壞直接影響著產品的質量。而在現實場景中，但產品瑕疵率非常低，甚至是沒有，缺陷樣本的不充足使得需要深度學...

2023-06-26 標簽：神經網絡 GaN 缺陷檢測 1125 0

革命性變革：金剛石基GaN

美國國防部高級研究計劃局（DARPA）微系統技術辦公室主任Mark Rosker在去年舉辦的CS Mantech上表示，化合物半導體行業將很快進入第三波...

2023-06-25 標簽：半導體晶體管 GaN 353 0

意法半導體VIPerGaN系列高壓GAN轉換器簡介

VIPERGAN50、VIPERGAN65和VIPERGAN100是意法半導體VIPerGaN系列中首款高壓GAN轉換器，可在寬范圍工作電壓(9 V至2...

2023-06-21 標簽：轉換器 usb 意法半導體 587 0

影響電源效率提升的主要損耗

效率一直以來都是電源領域的研究重點，尤其在一些小體積高功率密度的電源系統中尤為重要。比如，適配器電源、模塊電源、服務器用電源等。近年來，第三代GaN半導...

2023-06-23 標簽：MOSFET 服務器 GaN 1092 0

愛美雅科技引領快充市場：TP44100內置GaN MOS芯片的240W快充解決方案

在現代社會中，移動設備和電子產品已經成為人們生活中不可或缺的一部分。然而，隨著電子產品的功能不斷增加，用戶對于快速充電的需求也越來越迫切。作為一家領先的...

2023-06-16 標簽：芯片 MOS GaN 912 0

氮化鎵 (GaN) 帶來電源管理變革的 3 大原因

作為提供不間斷連接的關鍵，許多數據中心依賴于日益流行的半導體技術來提高能效和功率密度。氮化鎵技術，通常稱為 GaN，是一種寬帶隙半導體材料，越來越多地...

2023-06-16 標簽：半導體電源管理德州儀器 9097 0

1200V氮化鎵挑戰SiC是否真的可行？

近年來，SiC（碳化硅）、GaN（氮化鎵）等寬帶隙（WBG）功率半導體的開發和市場導入速度加快，但與硅相比成本較高的問題依然存在。

2023-06-15 標簽：功率器件 GaN 功率半導體 798 0

GaN單晶襯底顯著改善HEMT器件電流崩塌效應

由于GaN和AlGaN材料中擁有較強的極化效應，AlGaN/GaN異質結無需進行調制摻雜就能在界面處形成高濃度的二維電子氣(2DEG)，在此基礎上發展而...

2023-06-14 標簽：晶體管 GaN HEMT 3048 0

基于NeRF的隱式GAN架構

? 3D對象的生成模型在VR和增強現實應用中越來越受歡迎。但使用標準的3D表示(如體素或點云)來訓練這些模型是具有挑戰性的，并且需要復雜的工具來進行適當...

2023-06-14 標簽：3D GaN 模型 1075 0

一種基于全HVPE生長的垂直GaN肖特基勢壘二極管

近日，由深圳大學和深圳信息職業技術學院組成的科研團隊，研發出了“基于全HVPE生長、具有創紀錄的高品質優值(1.1 GW/cm2)的垂直GaN肖特基勢壘...

2023-06-13 標簽：二極管功率器件 GaN 1357 0

寬禁帶半導體材料氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）介紹

對于 GaN，中文名氮化鎵，我們實在是聽得太多了。

2023-06-12 標簽：充電器 SiC 氮化鎵 3585 0

淺談GaN 異質襯底外延生長方法

HVPE（氫化物氣相外延法）與上述兩種方法的區別還是在于鎵源，此方法通常以鎵的氯化物GaCl3為鎵源，NH3為氮源，在襯底上以1000 ℃左右的溫度生長...

2023-06-11 標簽：GaN GaN晶體管 549 0

GaN外延生長方法及生長模式

由于GaN在高溫生長時N的離解壓很高，很難得到大尺寸的GaN單晶材料，因此，為了實現低成本、高效、高功率的GaN HEMTs器件，研究人員經過幾十年的不...

2023-06-10 標簽：薄膜晶體單晶 1309 0

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藍牙5是藍牙技術聯盟于2016年6月16日發布的新一代藍牙標準。藍牙5比原來擁有更快的傳輸速度，更遠的傳輸距離。藍牙5.0的開發人員稱，新版本的藍牙傳輸速度上限為24Mbps，是之前4.2LE版本的兩倍。藍牙5.0的另外一個重要改進是，它的有效距離是上一版本的4倍，理論上，藍牙發射和接收設備之間的有效工作距離可達300米。
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