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由于GaN在高溫生長時N的離解壓很高，很難得到大尺寸的GaN單晶材料，因此，為了實現低成本、高效、高功率的GaN HEMTs器件，研究人員經過幾十年的不...
超結（SJ）硅MOSFET自1990年代后期首次商業化用于功率器件應用領域以來，在400–900V功率轉換電壓范圍內取得了巨大成功。參考寬帶隙（WBG）...
最新成果展示：AlInN/GaN DBR模型數據庫的開發與應用
由于AlN和GaN之間存在較大的晶格失配和熱膨脹失配，導致很難獲得高質量的AlN/GaN布拉格反射鏡（Distributed Bragg Reflect...
GaN HEMT（高電子遷移率晶體管：High Electron Mobility Transistor）是新一代功率半導體，具有低工作電阻和高抗損性，...
在過去幾年中，航天市場通過采用以前在空間系統中看不到的新技術，朝著更高效的電源解決方案發展?？臻g硬件受到惡劣環境條件的影響，包括電離輻射，因此必須使用抗...
DASP (Defect and Dopant ab-initio Simulation Package)是一款半導體缺陷和雜質性質的第一性原理計算模擬...
硅（Si）是電子產品中常用的純半導體的一個例子。鍺（Ge）是另一種純半導體，用于一些最早的電子設備。半導體也由化合物制成，包括砷化鎵 （GaAs）、氮化...
當今市場上有許多晶體管選擇，它們將各種技術與不同的半導體材料相結合。因此，縮小哪一個最適合特定設計的范圍可能會令人困惑。在這些選擇中，GaN晶體管是，但...
氮化鎵（GaN）是用于在干擾器中構建RF功率放大器（PA）的主要技術。GaN 具有獨特的電氣特性 – 3.4 eV 的帶隙使 GaN 的擊穿場比其他射頻...
SiC上的GaN的主要優點是其導熱性優勢。SiC上的GaN的導熱性是Si上的GaN的三倍，允許器件在更高的電壓和更高的功率密度下運行。Palmour解釋...
5G還圍繞提供滿足帶寬、延遲和數據速度新要求的連接所需的技術和基礎設施設計帶來了新的思維。它不僅需要在宏觀層面實現致密化——這意味著更多的基站——還需要...
RF LDMOS之于早期蜂窩網絡，氮化鎵（GaN）之于現代和高頻應用。與砷化鎵（GaAs）和Si LDMOS相比，GaN長期以來一直具有難以超越的優勢：
Wolfspeed 的 GaN on SiC 解決方案正在徹底改變射頻功率放大器的前驅動器、驅動器和輸出級。具體而言，新的高電子遷移率晶體管（HEMT）...
除了導致更高的輸出頻率范圍外，對于地面雷達來說，這是一個關鍵的設計考慮因素，地面雷達越來越多地使用有源電子掃描陣列（AESA）技術，以在更小的封裝中封裝...
GaN HEMT 為功率放大器設計者提供了對 LDMOS、GaAs 和 SiC 技術的許多改進。更有利的特性包括高電壓操作、高擊穿電壓、功率密度高達 8...
這些優勢是目前取代雷達常用的高功率、大帶寬行波管（TWT）放大器的趨勢背后的原因。GaN HEMT消除了由于陰極耗盡而導致的TWT放大器固有的使用壽命相...
氮化鎵是在高頻應用中實現高效運行的無可爭議的技術，例如 X 波段 （8–12 GHz） 的應用。SiC器件上的GaN可以為這些應用提供急需的高溫可靠性和...
性能參數因應用而異，雷達系統可能需要在從L波段以下到Ka波段以上的任何頻率下工作。8.5 至 11 GHz X 頻段正迅速成為主導頻率范圍，可用于海上導...
考慮到功率對雷達探測距離的重要性，工程師可能會完全專注于在尺寸限制內盡可能多地提升功率 — 通過使用 Wolfspeed 最新的 GaN 技術獲取最高的...
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