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5G AAU功放控制和監(jiān)測(cè)模塊簡(jiǎn)析
5G 功放系統(tǒng)是TX的重要組成部分,起到功率發(fā)射、基站覆蓋的功能,尤其是在64TR 32TR系統(tǒng)里,功放數(shù)量大幅上升,功放的效率以及散熱會(huì)在整個(gè)AAU系...
生成對(duì)抗網(wǎng)絡(luò)GAN的七大開(kāi)放性問(wèn)題
生成對(duì)抗網(wǎng)絡(luò)在過(guò)去一年仍是研究重點(diǎn),我們不僅看到可以生成高分辨率(1024×1024)圖像的模型,還可以看到那些以假亂真的生成圖像。此外,我們還很興奮能...
2023-03-17 標(biāo)簽:神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)GaN 679 0
GAN的風(fēng)暴席卷了整個(gè)深度學(xué)習(xí)圈子,任何任務(wù)似乎套上GAN的殼子,立馬就變得高大上了起來(lái)。那么,GAN究竟是什么呢? **GAN的主要應(yīng)用目標(biāo):*...
2023-03-17 標(biāo)簽:GaN生成器深度學(xué)習(xí) 632 0
GAN的風(fēng)暴席卷了整個(gè)深度學(xué)習(xí)圈子,任何任務(wù)似乎套上GAN的殼子,立馬就變得高大上了起來(lái)。那么,GAN究竟是什么呢? **GAN的主要應(yīng)用目標(biāo):*...
2023-03-17 標(biāo)簽:GaN生成器深度學(xué)習(xí) 486 0
隨著新能源領(lǐng)域的發(fā)展, 在數(shù)字電源控制系統(tǒng)中要求功率密度高且轉(zhuǎn)換效率高。其中,整機(jī)功率密度的提升,就需要提高開(kāi)關(guān)頻率, 大部分現(xiàn)有產(chǎn)品的開(kāi)關(guān)頻率在50k...
交流輸入功率因數(shù)的CrM PFC控制器芯片——MK2562系列
PFC是功率因數(shù)校正(Power Factor Correction)的縮寫(xiě),是一種電源管理技術(shù),可以在交直流轉(zhuǎn)換(ACDC)時(shí)提高電源對(duì)市電的利用率。
GaN-on-Si LED技術(shù)是行業(yè)夢(mèng)寐以求的技術(shù)。首先,硅是地殼含量第二的元素,物理和化學(xué)性能良好,在大尺寸硅襯底上制作氮化鎵LED的綜合成本可以降低25%;
基于矢量量化字典與雙解碼器的人臉盲修復(fù)網(wǎng)絡(luò)
盡管生成式面部先驗(yàn)和結(jié)構(gòu)化面部先驗(yàn)最近已經(jīng)證明了可以生成高質(zhì)量的人臉盲修復(fù)結(jié)果,穩(wěn)定、可靠生成更細(xì)粒度的臉部細(xì)節(jié)仍然是一個(gè)具有挑戰(zhàn)性的問(wèn)題。
如何集成GaN功率級(jí)以實(shí)現(xiàn)高效的電池供電BLDC電機(jī)推進(jìn)系統(tǒng)
電池供電的應(yīng)用,如協(xié)作機(jī)器人 (cobot)、電動(dòng)自行車(chē)、工業(yè)無(wú)人機(jī)和電動(dòng)工具等,都需要體積小、重量輕、功能強(qiáng)大的電機(jī)。無(wú)刷直流 (BLDC) 電機(jī)是一...
為什么熱管理是5G設(shè)計(jì)中的熱門(mén)話(huà)題
5G 技術(shù)有望提供延遲小于 1 毫秒的無(wú)線(xiàn)通信、100 倍的網(wǎng)絡(luò)能效提升以及高達(dá)每秒 20 吉比特 (Gbit/s) 的數(shù)據(jù)速率。
ChatGPT核心技術(shù):transformer的核心算法結(jié)構(gòu)
由于transformer是更高級(jí)的神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)深度學(xué)習(xí)算法,對(duì)數(shù)據(jù)量有很高要求,這也催生了從小數(shù)據(jù)如何快速產(chǎn)生大數(shù)據(jù)的算法,比如GAN對(duì)抗網(wǎng)絡(luò)等。
2023-03-08 標(biāo)簽:神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)GaN深度學(xué)習(xí) 1031 0
憑借領(lǐng)先的GaNFast?氮化鎵功率芯片+強(qiáng)力的GeneSiC 碳化硅MOSFTEs的產(chǎn)品組合,納微半導(dǎo)體以雙擎驅(qū)動(dòng)的姿態(tài)在電力電子能源轉(zhuǎn)換領(lǐng)域高歌前進(jìn)。
幾個(gè)氮化鎵GaN驅(qū)動(dòng)器PCB設(shè)計(jì)必須掌握的要點(diǎn)
本設(shè)計(jì)文檔其余部分引用的布線(xiàn)示例將使用含有源極開(kāi)爾文連接引腳的 GaNFET 封裝。 VDD 電容 VDD 引腳應(yīng)有兩個(gè)盡可能靠近 VDD 引腳放置的陶...
2023-02-27 標(biāo)簽:PCB驅(qū)動(dòng)器氮化鎵 844 0
氮化鎵納米線(xiàn)是一種基于氮化鎵材料制備的納米結(jié)構(gòu)材料,具有許多優(yōu)異的電子、光學(xué)和機(jī)械性質(zhì),因此受到了廣泛關(guān)注。氮化鎵材料是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,具有優(yōu)異的...
Si/SiC和GaN HEMT器件的結(jié)構(gòu)比較!
碳化硅(SiC)技術(shù)改進(jìn)了各種應(yīng)用中的多個(gè)系統(tǒng)和子系統(tǒng)組件。與硅相比,碳化硅通過(guò)更快的開(kāi)關(guān)、在整個(gè)溫度范圍內(nèi)的平坦RDS(on)和更好的體二極管性能表現(xiàn)...
任何一個(gè)電子元件,不論是一個(gè)三極管還是一個(gè)集成電路(Integrated Circuit, IC),想要使用它,都需要把它連入電路里。一個(gè)三極管,只需要...
基于GAN先驗(yàn)的退化感知特征插值人臉修復(fù)網(wǎng)絡(luò)
人臉修復(fù)是一種典型的ill-posed問(wèn)題、可逆圖像修復(fù)問(wèn)題,其解不唯一且必存在。高度退化和多退化的場(chǎng)景下,高質(zhì)量的人臉修復(fù)明顯更具有挑戰(zhàn)性。
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