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gan技術

氮化鎵納米線和氮化鎵材料的關系

氮化鎵納米線是一種基于氮化鎵材料制備的納米結構材料，具有許多優(yōu)異的電子、光學和機械性質，因此受到了廣泛關注。氮化鎵材料是一種寬禁帶半導體材料，具有優(yōu)異的...

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Si/SiC和GaN HEMT器件的結構比較！

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2023-02-24 標簽：晶體管 SiC GaN 1362 0

一文詳解封裝互連技術

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2023-02-23 標簽：集成電路三極管封裝 1773 0

基于GAN先驗的退化感知特征插值人臉修復網(wǎng)絡

人臉修復是一種典型的ill-posed問題、可逆圖像修復問題，其解不唯一且必存在。高度退化和多退化的場景下，高質量的人臉修復明顯更具有挑戰(zhàn)性。

2023-02-23 標簽：編碼器 GaN 圖像編碼 1096 0

ICLR 2023 Spotlight：2D圖像轉換3D

本文提出的人體 NeRF 基于參數(shù)化人體模型 SMPL，它提供了方便的人體姿勢以及形狀的控制。進行 NeRF 建模時，如下圖所示，本文將人體分為 16 ...

2023-02-22 標簽：算法圖像 GaN 1147 0

平面磁件如何提高電力電子器件性能

本文解釋了平面磁件如何在效率、成本、空間要求以及散熱方面顯著改善電力電子器件的性能。閱讀本白皮書后，您應該對平面磁性技術的優(yōu)勢以及自動化工作流程如何輕松...

2023-02-22 標簽：意法半導體電力電子 SiC 1399 0

使用電源管理模塊有效控制GaN功率放大器的電源開關

眾所周知，因為 GaN PA 需要使用特定的偏置時序，所以在某些設計中，GaN 功率放大器的上電和下電可能會具有挑戰(zhàn)性。如果處理不當，可能會導致組件損壞...

2023-02-22 標簽：功率放大器電源管理 GaN 710 0

GaN HEMT外延材料表征技術研究進展

氮化鎵 ( GaN) 作為第三代半導體材料的典型代表，具有高擊穿電場強度和高熱導率等優(yōu)異的物理特性，是制作高頻微波器件和大功率電力電子器件的理想材料。...

2023-02-20 標簽：半導體晶體管氮化鎵 1771 0

氮化鎵GaN驅動器的PCB設計策略概要

NCP51820 是一款 650 V、高速、半橋驅動器，能夠以高達 200 V/ns 的 dV/dt 速率驅動氮化鎵（以下簡稱“GaN”）功率開關。只...

2023-02-20 標簽：pcb 驅動器晶體管 716 0

使用多個電流探頭研究SiC和GaN功率半導體器件的電極間電容

本文介紹了使用多個電流探頭研究SiC和GaN功率半導體器件的電極間電容。它分為四部分：雙電流探頭法原理、測量結果、三電流探頭法原理和測量結果。

2023-02-19 標簽：SiC GaN 功率半導體器件 709 0

GaN IC設計系統(tǒng)級優(yōu)勢分析

數(shù)字 GaN 是使用 GaN IC 實現(xiàn)卓越性能的一個很有前途的選擇。這是一種顛覆性的數(shù)字控制方法。模擬信號塊不再“轉換”為數(shù)字信號塊。

2023-02-19 標簽：MOSFET 晶體管數(shù)字控制 533 0

SiC FET改進和應用程序挑戰(zhàn)

從人類的角度來看，幾代人過得很慢，在人們的記憶中，從“嬰兒潮一代”到X到千禧一代（Y？）和Z，現(xiàn)在奇怪的是“A”。我想他們只是用完了字母。然而，在半導體...

2023-02-17 標簽：FET SiC GaN 316 0

氮化鎵技術是誰突破的技術

氮化鎵技術是誰突破的技術作為支撐“新基建”建設的關鍵核心器件，氮化鎵應用范圍非常廣泛，氮化鎵在數(shù)據(jù)中心，新能源汽車等領域都有運用。那么這么牛的氮化鎵技...

2023-02-16 標簽：晶體氮化鎵 GaN 4351 0

什么是氮化鎵技術指標體系分解

小編在這里給大家分享一下什么是氮化鎵技術指標？什么是氮化鎵技術指標體系？以碳化硅和氮化鎵為代表的第三代半導體，具有高頻、高效、高功率、耐高壓、耐高溫、...

2023-02-16 標簽：SiC 氮化鎵 GaN 2152 0

氮化鎵技術的應用

氮化鎵（GaN）是一種具有半導體特性的化合物，是由氮和鎵組成的一種寬禁帶半導體材料，與碳化硅（SiC）并稱為第三代半導體材料的雙雄。GaN具有更寬的“帶...

2023-02-15 標簽：半導體化合物 GaN 1587 0

氮化鎵材料具有哪些優(yōu)勢

　　以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導體即寬帶隙半導體，具有高頻、高效率、高功率、耐高壓、耐高溫、抗輻射等優(yōu)異性能，滿足了節(jié)能減排等國家重大戰(zhàn)略需求，智...

2023-02-15 標簽：半導體氮化鎵 GaN 6152 0

GaN HEMT推動電機變革

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2023-02-15 標簽：MOSFET 逆變器 GaN 619 0

AlN鈍化器件電流崩塌分析

本研究采用PEALD沉積AlN材料作柵絕緣層的同時，利用其作為器件表面鈍化層材料，本節(jié)即采用脈沖測試方法研究了PEALD沉積AlN鈍化器件的電流崩塌特性...

2023-02-14 標簽：微波 GaN HEMT 1437 0

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關態(tài)漏電是制約HEMT器件性能提升的重要因素之一，采用絕緣柵HEMT器件結構可以有效減小器件關態(tài)漏電。圖1給出了S-HEMT、MIS-HEMT、MOS-...

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