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LNA 的作用是從天線獲取極其微弱的不確定信號,這些信號通常是微伏數量級的信號或者低于-100 dBm,然后將該信號放大至一個更有用的水平,通常約為0....
LED是一種半導體,通電即會發光。憑借其高效率、長壽命和其他突出的特點,成為LCD液晶顯示模組的核心材料,為LCD的背光模組提供足夠的光源;
GaN 的普及根植于其高電源和高電壓功能。這些特性使其適用于許多應用,包括微波射頻 (RF) 和功率開關應用。
一旦硅開始達不到電路需求,碳化硅和氮化鎵就作為潛在的替代半導體材料浮出水面。與單獨的硅相比,這兩種化合物都能夠承受更高的電壓、更高的頻率和更復雜的電子產...
傳統上,半導體生產中最常用的材料是硅(Si),因為它豐富且價格合理。但是,半導體制造商可以使用許多其他材料。此外,它們中的大多數還提供額外的好處,例如碳...
氮化鎵(GaN)是一種非常堅硬、機械穩定的寬帶隙半導體。基于GaN的功率器件具有更高的擊穿強度、更快的開關速度、更高的導熱性和更低的導通電阻,其性能明顯...
LP88G24DCD內置650V級聯型結構的GaN功率器件,采用QFN8*8封裝,進一步減小芯片占板面積,底部采用一體化銅基板設計,具有極佳的散熱性能。
高頻高頻QR GaN控制器在Flyback拓撲快充產品上的應用
型號LP8843DCD提供一個耐壓高達200V的VccH管腳,以及一個耐壓35V的VccL管腳;可以很方便的用這兩個管腳組成雙繞組供電方式,以節約高壓輸...
這是NEDO關于“加強后5G信息通信系統基礎設施研究開發項目”的成果。2020年6月,NEDO發布了該決定,并計劃讓住友電工從事高頻器件高功率、小型化技...
在任何電力電子轉換器中,熱設計都是一項重要的考慮因素。熱設計經優化后,工程師能夠將 GaN 用于各種功率級別、拓撲和應用中。此應用手冊論述了 TI LM...
報告內容包含: 動機 理論計算 氮化鎵材料參數 固有載流子濃度 擊穿電壓 (VB) 通態電阻 (RON)
充電器,已經成為每個人的生活必需品。充電器的結構是否緊湊,能否提供更高的功率和更短的充電時間,對消費電子企業和消費者都非常重要,在這種背景下,讓氮化鎵已...
生成模型近年來發展迅猛,已經表現出極強的真實感合成能力,在三維重建、AI繪畫、音視頻創作、可控圖像生成、真實圖像編輯等領域的應用廣泛。
DL-ISO 高壓光隔離探頭具有 1 GHz 帶寬、2500 V 差分輸入范圍和 60 kV 共模電壓范圍,提供非常高的測量精度和豐富的連接方式,是Ga...
本期,芯朋微技術團隊為各位fans分享原副邊全集成的65W快充方案,該方案由PN8783、PN8307P套片組成,PN8783具有卓越的環路穩定性、高功...
基于多孔氮化鎵(GaN)半導體材料的方法,研究人員已經開發出藍光VCSEL。目前,ITRI和Ganvix正著眼于綠色波長和VCSEL陣列的量產。
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