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SiGaNSiC-MOSFET以及Si-IGBT的工作環境

GaN 、SiC很有可能在高壓高頻方面完全取代硅基，SiC MOSFET 主打高壓領域；GaN MOSFET 主打高頻領域。

2022-10-19 標簽：SiC GaN 432 0

淺談GaN芯片的制備工藝（GaN HEMT工藝為例）

本文聊一下GaN芯片的制備工藝。 GaN-般都是用外延技術制備出來。GaN的外延工藝大家可以看看中村修二的書。

2022-10-19 標簽：放大器振蕩器 GaN 2358 0

常見的自激現象出現的原因及解決辦法

通常測試的時候第一步就是驗證我們的靜態工作點和穩定性，然而我采用NPTB0004N管子設計的時候，由于是GaN的管子，最開始沒有注意他的上電順序，導致管...

2022-10-18 標簽：濾波電容 GaN 1.3萬 0

柵極驅動器和偏置電源注意事項

氮化鎵（GaN）是電力電子行業的熱門話題，因為它可以使得 80Plus 鈦電源、3.8kW/L 電動汽車（EV）車載充電器和 EV 充電站等設計...

2022-10-14 標簽：GaN 偏置電源柵極驅動器 2159 0

隔離比較器在電機驅動系統中的應用

功率半導體供應商不斷在導通損耗和開關速度上實現突破，推出更高的電流等級、更小的封裝尺寸以及更短的短路耐受時間的半導體器件。并且隨著寬禁帶半導體器件成本降...

2022-10-14 標簽：比較器電機電機驅動 2544 0

柵極驅動器和偏置電源注意事項

氮化鎵 (GaN) 是電力電子行業的熱門話題，因為它可以使得 80Plus 鈦電源、3.8kW/L 電動汽車 (EV) 車載充電器和 EV 充電站等設計...

2022-10-11 標簽：晶體管 FET GaN 1284 0

什么是GaN氮化鎵？為什么充電器用GaN而不是SiC？

新能源車的功率控制單元（PCU）是汽車電驅系統的中樞神經，管理電池中的電能與電機之間的流向、傳遞速度。傳統 PCU 使用硅基材料半導體制成，強電流與高壓...

2022-10-08 標簽：充電器 SiC 氮化鎵 4602 0

利用缺陷信息數據庫探索界面工程，助力GaN基肖特基勢壘二極管的研究

在電力電子器件的外延生長和器件制備過程中，特別是對于具有凹槽結構的GaN基肖特基勢壘二極管（TMBS）而言，ICP刻蝕將不可避免地損傷材料的表面，產生大...

2022-10-08 標簽：二極管數據庫 GaN 893 0

紅外熱成像儀對放大器的芯片結溫的仿真測試

GaN 作為第三代半導體材料，具有更高的自發極化系數及更大的壓電系數，能承受更高的功率密度，適用于高頻、高溫大功率電子器件。但隨著功率器件向小型化和大功...

2022-09-29 標簽：放大器功率放大器散熱器 1998 0

GaN HEMT基本概述、分類及工作原理

氮化鎵高電子遷移率晶體管GaN HEMT(High Electron Mobility Transistors)作為寬禁帶(WBG)功率半導體器件的代表...

2022-09-27 標簽：晶體管 GaN HEMT 5250 0

GaN的可靠性

鑒于氮化鎵 (GaN) 場效應晶體管 (FET) 能夠提高效率并縮小電源尺寸，其采用率正在迅速提高。但在投資這項技術之前，您可能仍然會好奇GaN是否具有...

2022-09-20 標簽：氮化鎵 GaN 可靠性 1328 0

高功率GaN HEMT的可靠性設計

氮化鎵 (GaN) 是需要高頻率工作（高 Fmax）、高功率密度和高效率的應用的理想選擇。與硅相比，GaN 具有達 3.4 eV 的 3 倍帶隙，達 3...

2022-09-19 標簽：放大器 RF GaN 2298 0

GaN打破壁壘—RF功率放大器的帶寬越來越寬、功率越來越高

摘要電信行業不斷需要更高的數據速率，工業系統不斷需要更高的分辨率，這助推了滿足這些需求的電子設備工作頻率的不斷上升。許多系統可以在較寬的頻譜中工作，新...

2022-09-15 標簽：帶寬 GaN rf功率放大器 1868 0

GaN射頻器件的微波測試介紹

隨著5G的推出，新的無線電網絡基礎設施的一個重要環節是gNodeB基站的功率放大器（PA）。PA需要無故障運行，往往是在極端條件下，而且5G標準提出了更...

2022-09-13 標簽：微波 GaN 1145 0

氮化鎵行業產業鏈全景圖分析

GaN產業鏈按環節分為Si襯底(或GaN單晶襯底、SiC、藍寶石)、GaN材料外延、器件設計、器件制造、封測以及應用。各個環節國內均有企業涉足,如在射頻...

2022-09-07 標簽：射頻氮化鎵 GaN 3579 0

GaN功率放大器熱設計中金剛石的應用解析

為了降低芯片的工作結溫，基本理念是提高芯片有源區近端封裝體的熱導率，通過熱傳導的方式將熱量迅速傳輸出去，避免熱累積效應引起的局部溫度升高。

2022-09-07 標簽：功率放大器衛星通信 GaN 1245 0

使用電源管理模塊有效控制GaN功率放大器的電源開關

【導讀】眾所周知，因為 GaN PA 需要使用特定的偏置時序，所以在某些設計中，GaN 功率放大器的上電和下電可能會具有挑戰性。如果處理不當，可能會導致...

2022-08-29 標簽：功率放大器電源開關 GaN 1924 0

GaN功率器件封裝技術的研究

近年來，電動汽車、高鐵和航空航天領域不斷發展，對功率器件/模塊在高頻、高溫和高壓下工作的需求不斷增加。傳統的 Si 基功率器件/模塊達到其自身的材料性能...

2022-08-22 標簽：封裝功率器件氮化鎵 4427 0

GaN功率器件在工業電機控制領域的應用

GaN 功率器件的卓越電氣特性正在逐步淘汰復雜工業電機控制應用中的傳統 MOSFET 和 IGBT。

2022-08-12 標簽：電機控制功率器件氮化鎵 2068 0

使用GaN設計高效的高密度電源解決方案

基于氮化鎵技術 (GaN) 的功率開關器件現已量產，并在實際功率應用中提供高效率和功率密度。本文將探討如何使用 GaN 技術實施高功率解決方案，并提供應...

2022-08-09 標簽：電源德州儀器 GaN 2145 0

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藍牙5是藍牙技術聯盟于2016年6月16日發布的新一代藍牙標準。藍牙5比原來擁有更快的傳輸速度，更遠的傳輸距離。藍牙5.0的開發人員稱，新版本的藍牙傳輸速度上限為24Mbps，是之前4.2LE版本的兩倍。藍牙5.0的另外一個重要改進是，它的有效距離是上一版本的4倍，理論上，藍牙發射和接收設備之間的有效工作距離可達300米。
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