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gan技術(shù)

GaN和SiC在工業(yè)電子領(lǐng)域的優(yōu)勢

提高工業(yè)能源效率是制造業(yè)關(guān)鍵趨勢，聚焦于優(yōu)化電力電子設(shè)備。MOSFET作為主流電子元件，雖控制高效但壽命短、對過載敏感。新材料如氮化鎵與碳化硅的出現(xiàn)，通...

2024-08-30 標簽：MOSFET SiC GaN 400 0

芯朋微電子新一代20-65W GaN快充方案

本期，芯朋微技術(shù)團隊為各位粉絲分享新一代20-65W GaN快充方案，該方案集當前行業(yè)最新控制技術(shù)、器件技術(shù)、功率封裝技術(shù)之大成，進一步優(yōu)化快充方案的待...

2024-08-28 標簽：變壓器 GaN 芯朋微 1453 0

GaN FET(場效應(yīng)晶體管)中集成電流傳感的優(yōu)勢

本文重點介紹了一項新發(fā)展：將電流傳感(CS)直接集成到采用PDFN封裝的氮化鎵(GaN)場效應(yīng)晶體管(FET)中，且無需外部供電。我們將深入探討這一解決...

2024-08-23 標簽：傳感器場效應(yīng)晶體管 GaN 330 0

#參考設(shè)計#（900 V PowiGaN 開關(guān)）的 60 W 隔離反激式適配器

使用 InnoSwitch3-EP（900 V PowiGaN 開關(guān)）的 60 W 隔離反激式適配器 *附件：DER-982 60W 12V5A 90-...

2024-08-22 標簽：GaN POWI 隔離反激式適配器 7726 0

簡述開關(guān)電源芯片U8608的工作原理

開關(guān)電源芯片U8608集成高壓E-Mode GaN FET，為了保障GaN FET工作的可靠性和高系統(tǒng)效率，芯片內(nèi)置了高精度、高可靠性的驅(qū)動電路，驅(qū)動電...

2024-08-21 標簽：FET GaN 開關(guān)電源芯片 978 0

芯干線科技GaN功率器件及應(yīng)用

第一代半導體材料以硅（Si）和鍺（Ge）為代表，它們?yōu)榘雽w行業(yè)奠定了堅實的基礎(chǔ)。隨著技術(shù)的發(fā)展，第二代半導體材料以砷化鎵（GaAs）和銻化銦（InSb...

2024-08-21 標簽：半導體功率器件 GaN 540 0

GaN晶體管的應(yīng)用場景有哪些

GaN（氮化鎵）晶體管，特別是GaN HEMT（高電子遷移率晶體管），近年來在多個領(lǐng)域展現(xiàn)出廣泛的應(yīng)用場景。其出色的高頻性能、高功率密度、高溫穩(wěn)定性以及...

2024-08-15 標簽：晶體管氮化鎵 GaN 955 0

GaN晶體管和SiC晶體管有什么不同

GaN（氮化鎵）晶體管和SiC（碳化硅）晶體管作為兩種先進的功率半導體器件，在電力電子、高頻通信及高溫高壓應(yīng)用等領(lǐng)域展現(xiàn)出了顯著的優(yōu)勢。然而，它們在材料...

2024-08-15 標簽：晶體管 SiC GaN 880 0

GaN HEMT有哪些優(yōu)缺點

GaN HEMT（氮化鎵高電子遷移率晶體管）作為一種先進的功率半導體器件，在電力電子、高頻通信、汽車電子等多個領(lǐng)域展現(xiàn)出了顯著的優(yōu)勢，但同時也存在一些缺...

2024-08-15 標簽：GaN 功率半導體 HEMT 1358 0

GaN晶體管的基本結(jié)構(gòu)和性能優(yōu)勢

GaN（氮化鎵）晶體管，特別是GaN HEMT（高電子遷移率晶體管），是近年來在電力電子和高頻通信領(lǐng)域受到廣泛關(guān)注的一種新型功率器件。其結(jié)構(gòu)復雜而精細，...

2024-08-15 標簽：晶體管氮化鎵 GaN 1145 0

GaN快充電源芯片U8607的主要特征

在GaN快充問世的前兩年，許多人還處在觀望狀態(tài)，然而再經(jīng)過兩年之后，GaN在快充上的應(yīng)用已經(jīng)愈發(fā)成熟，并席卷快充市場。GaN等第三代半導體的出現(xiàn)，為各相...

2024-08-14 標簽：GaN 電源芯片快充 477 0

SiC 技術(shù)相對于 Si 具有不可否認的優(yōu)勢

在逆變器、電機驅(qū)動和充電器等應(yīng)用中，碳化硅(SiC)器件具有更高的功率密度、降低的冷卻需求和更低的整體系統(tǒng)成本等優(yōu)勢。盡管SiC器件的成本高于硅器件，但...

2024-08-08 標簽：MTTF SiC GaN 303 0

采用GaN功率IC簡化電力電子設(shè)計

早期的氮化鎵(GaN)功率器件需要復雜、昂貴且頻率受限的外部電路，以及復雜的封裝來保護和控制脆弱的柵極，這嚴重限制了市場的采用。單片集成的GaN功率IC...

2024-07-30 標簽：電子設(shè)計 GaN 功率IC 483 0

安森美GaN功率器件iGaN NCP5892x系列更簡單容易

GaN功率器件的應(yīng)用在消費類產(chǎn)品電源近年相當普及，大大提升了電源的效率和功率密度，其優(yōu)點和用量遞增，也逐漸延伸到服務(wù)器和工業(yè)電源領(lǐng)域。? 安森美（ons...

2024-07-23 標簽：驅(qū)動器安森美功率器件 571 0

簡述半導體原理——晶體管家族的核心工作機制

2024-07-20 標簽：半導體 IGBT 晶體管 979 0

GaN MOSFET 器件結(jié)構(gòu)及原理

GaN MOSFET（氮化鎵金屬氧化物半導體場效應(yīng)晶體管）是一種新型的功率器件，具有高功率密度、高效率和快速開關(guān)速度等優(yōu)點。與傳統(tǒng)的硅基MOSFET相比...

2024-07-14 標簽：MOSFET GaN 金屬 1344 0

采用集成智能GaN IC設(shè)計電動汽車輔助電源

電動汽車中的輔助電源，也被稱為輔助電源模塊(APM)，是車輛不可或缺的組成部分。其主要功能是將動力電池中的電能高效地傳輸給低壓電氣負載和12V蓄電池。隨...

2024-07-10 標簽：電動汽車電源 GaN 483 0

在高密度GaN優(yōu)化型PFC轉(zhuǎn)換器中解決交流壓降恢復問題

歡迎再次來到我們的技術(shù)專欄——模擬芯視界。在上一期中，我們介紹了 EMI（特別是輻射發(fā)射）的來源，以及一系列旨在減少模擬信號鏈的 EMI 的技術(shù)，包括詳...

2024-07-08 標簽：轉(zhuǎn)換器德州儀器 GaN 456 0

瑞薩電子氮化鎵場效應(yīng)晶體管的優(yōu)勢

氮化鎵場效應(yīng)晶體管是當今電力電子領(lǐng)域的明星，它正在提高功率轉(zhuǎn)換效率、電機控制和功率密度，有效滿足當前的市場需求和趨勢。

2024-07-05 標簽：逆變器 GaN 瑞薩電子 648 0

納芯微GaN HEMT驅(qū)動芯片NSD2017在激光雷達中的優(yōu)勢

自動駕駛是新能源汽車智能化的重要發(fā)展方向，而具備強感知能力的激光雷達則是L2+及以上級別自動駕駛不可或缺的硬件設(shè)備。納芯微的單通道高速柵極驅(qū)動芯片NSD...

2024-07-01 標簽：GaN 驅(qū)動芯片激光雷達 728 0

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藍牙5是藍牙技術(shù)聯(lián)盟于2016年6月16日發(fā)布的新一代藍牙標準。藍牙5比原來擁有更快的傳輸速度，更遠的傳輸距離。藍牙5.0的開發(fā)人員稱，新版本的藍牙傳輸速度上限為24Mbps，是之前4.2LE版本的兩倍。藍牙5.0的另外一個重要改進是，它的有效距離是上一版本的4倍，理論上，藍牙發(fā)射和接收設(shè)備之間的有效工作距離可達300米。
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5G網(wǎng)絡(luò)作為最新一代的移動互聯(lián)網(wǎng)通訊技術(shù)，相對4G而言，網(wǎng)速更快；5G手機是指使用第五代通信系統(tǒng)的智能手機。相對4G手機，5G手機有更快的傳輸速度，低時延，通過網(wǎng)絡(luò)切片技術(shù)，擁有更精準的定位。
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自iphone7取消3.5mm插孔后藍牙耳機市場得到迅猛發(fā)展，藍牙耳機種類也層出不窮，TWS藍牙耳機兩耳掛不需要有線連接，一經(jīng)面世TWS無線藍牙耳機開始大行其道。
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　　智能工業(yè)：是將具有環(huán)境感知能力的各類終端、基于泛在技術(shù)的計算模式、移動通信等不斷融入到工業(yè)生產(chǎn)的各個環(huán)節(jié)，大幅提高制造效率，改善產(chǎn)品質(zhì)量，降低產(chǎn)品成本和資源消耗，將傳統(tǒng)工業(yè)提升到智能化的新階段。
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智慧家庭是智慧城市的最小單元，是以家庭為載體，以家庭成員之間的親情為紐帶，結(jié)合物聯(lián)網(wǎng)、云計算、移動互聯(lián)網(wǎng)和大數(shù)據(jù)等新一代信息技術(shù)，實現(xiàn)低碳、健康、智能、舒適、安全和充滿關(guān)愛的家庭生活方式。
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是德科技公司（Keysight，NYSE：KEYS）是全球領(lǐng)先的電子測量公司，通過在無線、模塊化和軟件解決方案等領(lǐng)域的不斷創(chuàng)新，為您提供全新的測量體驗。
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無線收發(fā)模塊JF24D整合了高頻鍵控（GFSK）收發(fā)電路的功能，以特小體積更低成本實現(xiàn)高速數(shù)據(jù)傳輸?shù)墓δ堋F24D的傳輸速率為1M，具有81個通道可任意設(shè)置而互不干擾。可在擁擠的ISM 頻段中達到穩(wěn)定可靠的短距離數(shù)據(jù)傳輸。
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三星集團是韓國最大的企業(yè)集團，包括85個下屬公司及若干其他法人機構(gòu)，在近70個國家和地區(qū)建立了近300個法人及辦事處，員工總數(shù)20余萬人，業(yè)務(wù)涉及電子、金融、機械、化學等眾多領(lǐng)域。
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太赫茲是一種新的、有很多獨特優(yōu)點的輻射源；太赫茲技術(shù)是一個非常重要的交叉前沿領(lǐng)域，給技術(shù)創(chuàng)新、國民經(jīng)濟發(fā)展和國家安全提供了一個非常誘人的機遇可能引發(fā)科學技術(shù)的革命性發(fā)展。
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藍牙5.0是由藍牙技術(shù)聯(lián)盟在2016年提出的藍牙技術(shù)標準，藍牙5.0針對低功耗設(shè)備速度有相應(yīng)提升和優(yōu)化，藍牙5.0結(jié)合wifi對室內(nèi)位置進行輔助定位，提高傳輸速度，增加有效工作距離。
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WiGig（Wireless Gigabit，無線千兆比特）是一種更快的短距離無線技術(shù)，可用于在家中快速傳輸大型文件。
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樂鑫信息科技（上海）有限公司 (Espressif Systems (Shanghai) Pte., Ltd.) 總部位于上海張江高科技園區(qū)，是一家先進、專業(yè)的無晶圓半導體公司，致力于研發(fā)設(shè)計低功耗的 Wi-Fi 和藍牙系統(tǒng)級芯片，提供移動通訊和物聯(lián)網(wǎng)解決方案。
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LoRaWAN基于LoRa遠距離通信網(wǎng)絡(luò)設(shè)計的一套通訊協(xié)議和系統(tǒng)架構(gòu)，如果按協(xié)議分層來說LoRaWAN就是MAC層，LoRa是物理層。
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5G毫米波技術(shù)是5G應(yīng)用中一項重要的基礎(chǔ)技術(shù)，毫米波指的是一種特殊電磁波，波長為1毫米到10毫米，波動頻率為30GHz-300GHz。相對于6GHz以下的頻段，毫米波具有大帶寬、低空口時延和靈活彈性空口配置等獨特優(yōu)勢，可滿足未來無線通信對系統(tǒng)容量、傳輸速率和差異化應(yīng)用等方面的需求。
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無線設(shè)備一般指無線電通信設(shè)備艦艇上利用無線電波傳輸信息的設(shè)備。主要用于艦艇對外通信，是進行遠距離通信的唯一手段。由發(fā)信機、收信機、天線、饋線和相應(yīng)的終端設(shè)備構(gòu)成。
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LoRa是一種線性調(diào)頻擴頻調(diào)制技術(shù)，它的全稱為遠距離無線電（Long Range Radio），因其傳輸距離遠、低功耗、組網(wǎng)靈活等諸多優(yōu)勢特性都與物聯(lián)網(wǎng)碎片化、低成本、大連接的需求不謀而合，故而被廣泛應(yīng)用于物聯(lián)網(wǎng)各個垂直行業(yè)中。
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　　超外差接收機是利用本地產(chǎn)生的振蕩波與輸入信號混頻，將輸入信號頻率變換為某個預(yù)先確定的頻率的方法。
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藍牙Mesh是基于ble廣播進行消息傳遞的一種藍牙組網(wǎng)通訊網(wǎng)絡(luò)，是一種采用網(wǎng)絡(luò)洪泛的方式無中心、無路由的對等網(wǎng)絡(luò)。以實現(xiàn)藍牙設(shè)備與藍牙設(shè)備之間的多對多通訊，使藍牙在物聯(lián)網(wǎng)智能家居領(lǐng)域具有很大的優(yōu)勢。
藍牙4.2

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