半導體材料Si、SiC和GaN 優勢及瓶頸分析

作為半導體材料“霸主“的Si，其性能似乎已經發展到了一個極限，而此時以SiC和GaN為主的寬禁帶半導體經過一段時間的積累也正在變得很普及。

2020-09-11 標簽：SiCGaN半導體器件 1.2萬 0

探討條件GAN在圖像生成中的應用

條件GANs已經應用與多種跟圖像有關的任務中了，但分辨率通常都不高，并且看起來很不真實。而在這篇論文中，英偉達和加州大學伯克利分校的研究人員共同提出了一...

2018-01-11 標簽：gan深度學習 1.2萬 0

GaN使充電器設計發生革命

氮化鎵（GaN）開關技術使充電器和適配器的小型化取得了重大進展。 GaN晶體管的開關效率很高。 這允許開發轉換器，該轉換器可以以比使用等效硅器件的電路更...

2020-10-23 標簽：充電器GaN 1.2萬 0

GAN新手必讀：如何將將GAN應用于NLP（論文筆記）

GAN 自從被提出以來，就廣受大家的關注，尤其是在計算機視覺領域引起了很大的反響。“深度解讀：GAN模型及其在2016年度的進展”［1］一文對過去一年G...

2017-11-22 標簽：gannlp 1.2萬 0

氮化鎵充電器有什么優點？拆解倍思120W氮化鎵充電器,從內部來看這個充電器如何?

倍思120W氮化鎵充電器是一款120W氮化鎵 (GaN）+碳化硅（SiC) 充電器。 有2個USB Type-C輸出接口和1個USB Type-A輸出接...

2021-08-31 標簽：充電器asic氮化鎵 1.1萬 0

SiC性能在實際應用中已經超過GaN

作者：United Silicon Carbide公司新產品導入經理Zhongda Li 寬帶隙器件的承諾 諸如碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等寬帶...

2018-02-28 標簽：場效應晶體管SiCGaN 1.1萬 1

使用Buck芯片直接生成負壓的解決方案

在產品設計、電子電路應用中，會經常使用到負電壓電源。

2023-09-27 標簽：BUCK晶體管GaN 1.1萬 0

充電機直流母線上的紋波會影響電池壽命嗎？詳細數據分析

電池是一個不同SOC和頻率存在較大響應差異的，紋波的迭代主要在頻率響應上對電池產生影響。

2018-09-15 標簽：SOCGAN充電機 1.1萬 0

GaN-HEMT器件的動態R DSon值測量實驗分析

GaN（氮化鎵）器件由于具有諸如高開關速度，更高的功率密度和效率之類的能力而在設計電源轉換器時變得越來越流行[2]，[3]，但是GaN器件的一個缺點是電...

2021-03-22 標簽：功率轉換器測量電路GaN 1.1萬 0

氮化鎵(GaN)技術的優勢及應用領域

氮化鎵 (GaN) 晶體管于 20 世紀 90 年代亮相，目前廣泛應用于商業和國防領域，但工程應用可能大相徑庭。不相信?可以理解。但在您閱讀本書之后，可...

2022-03-10 標簽：射頻氮化鎵GaN 1.1萬 0

什么是寬禁帶半導體？

半導體迄今為止共經歷了三個發展階段：第一代半導體以硅（Si）、鍺（Ge）為代表；第二代半導體以砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）等化合物為代表；第三代...

2023-05-05 標簽：SiC氮化鎵GaN 1.0萬 0

氮化鎵(GaN)功率器件技術解析

氮化鎵（GaN）功率器件在幾個關鍵性能指標上比硅（Si）具有優勢。具有低固有載流子濃度的寬帶隙具有更高的臨界電場，能實現更薄的漂移層，同時在較高的擊穿電...

2023-11-06 標簽：MOSFET晶體管功率器件 1.0萬 0

導入Cascode結構　GaN FET打造高效率開關

射頻（RF）應用的氮化鎵（GaN）電晶體已面世多年，最近業界的重點開發面向為電力電子應用的經濟型高性能GaN功率電晶體。十幾家半導體公司都在積極開發幾種...

2014-01-10 標簽：場效應管GaNCascode 1.0萬 1

二極管的特性及損耗分析

本文用于記錄二極管特性及損耗分析。

2023-03-08 標簽：二極管SiC損耗 1.0萬 0

特倫托大學與Inria合作：使用GAN生成人體的新姿勢圖像

使用GAN（對抗生成網絡）生成人體的新姿勢圖像。研究人員提出的可變形跳躍連接和最近鄰損失函數，更好地捕捉了局部的紋理細節，緩解了之前研究生成圖像模糊的問...

2018-01-29 標簽：gan網絡架構深度學習 9623 0