氮化鎵晶體管如何改變D類放大器的性能

在本文中，我們將仔細(xì)研究氮化鎵 (GaN)晶體管，以及這種新的半導(dǎo)體技術(shù)如何有望徹底改變 D 類放大器的性能。 憑借其非常低的導(dǎo)通電阻、非常高且干凈的開(kāi)...

2022-08-08 標(biāo)簽：晶體管D類放大器GaN 2646 0

用于多種電源應(yīng)用的GaN晶體管

硅功率 MOSFET 沒(méi)有跟上電力電子行業(yè)的演進(jìn)變化，其中效率、功率密度和更小的外形因素是社區(qū)的主要需求。電力電子行業(yè)已經(jīng)看到硅 MOSFET 的理論極...

2022-08-08 標(biāo)簽：MOSFET晶體管GaN 2872 0

電源設(shè)計(jì)中的模擬GaN晶體管

GaN 晶體管是新電源應(yīng)用的理想選擇。它們具有小尺寸、非常高的運(yùn)行速度并且非常高效。它們可用于輕松構(gòu)建任何電力項(xiàng)目。在本教程中，我們將使用 EPC 的 ...

2022-08-05 標(biāo)簽：晶體管GaN 914 0

使用GaN設(shè)計(jì)PFC整流器

650V GaN FET 較低的寄生電容降低了開(kāi)關(guān)損耗。此外，與 650-V Si MOSFET 相比，650-V GaN FET 在相同芯片尺寸內(nèi)具有...

2022-08-05 標(biāo)簽：MOSFET整流器GaN 1461 0

電源設(shè)計(jì)說(shuō)明中使用GaN器件進(jìn)行LTspice仿真

多年來(lái)，技術(shù)進(jìn)步使得從功率器件獲得高級(jí)性能成為可能。氮化鎵 （GaN）不同于硅 （Si）。它是一種類似于晶體的材料，能夠傳導(dǎo)更高的電壓。與硅元件相比，電...

2022-08-05 標(biāo)簽：電源半導(dǎo)體GaN 4813 0

成果展示：具有1.1 kV級(jí)高擊穿電壓的GaN基肖特基二極管

為實(shí)現(xiàn)具有高擊穿電壓和優(yōu)異正向特性的第三代半導(dǎo)體功率器件，天津賽米卡爾科技有限公司技術(shù)團(tuán)隊(duì)依托先進(jìn)的半導(dǎo)體TCAD仿真平臺(tái)，優(yōu)化設(shè)計(jì)了一種具有p-NiO...

2022-08-04 標(biāo)簽：二極管功率器件GaN 1331 0

正確使用并聯(lián)氮化鎵晶體管

電源轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)人員正在尋找提高效率同時(shí)增加系統(tǒng)功率密度的方法。 寬帶隙 (WBG) 技術(shù)提供了答案。 由氮化鎵 (GaN) 制成的晶體管作為一種解決方...

2022-08-04 標(biāo)簽：MOSFET晶體管GaN 1688 0

半橋GaN應(yīng)用中的交叉?zhèn)鲗?dǎo)解決方案

為了以整流方式獲得和諧同步的雙向電流控制，在半橋和全橋GaN 應(yīng)用中必須具有互補(bǔ)驅(qū)動(dòng)信號(hào)。為避免交叉?zhèn)鲗?dǎo)，有目的地將死區(qū)時(shí)間放置在驅(qū)動(dòng)信號(hào)的高側(cè)和低側(cè)。...

2022-08-04 標(biāo)簽：探頭GaN 2871 0

48V電源系統(tǒng)中的GaN FET應(yīng)用

對(duì)于 48V 電源系統(tǒng)中的 GaN FET 應(yīng)用，現(xiàn)有的一種方法是使用基于 DSP 的數(shù)字解決方案來(lái)實(shí)現(xiàn)高頻和高效率設(shè)計(jì)。這在很大程度上是由于缺乏設(shè)計(jì)用...

2022-08-04 標(biāo)簽：控制器FETGaN 855 0

測(cè)量基于GaN的電源中的交叉?zhèn)鲗?dǎo)

這種測(cè)量交叉?zhèn)鲗?dǎo)的簡(jiǎn)單且經(jīng)濟(jì)高效的方法利用了GaN 晶體管的獨(dú)特特性。

2022-08-04 標(biāo)簽：電源晶體管GaN 718 0

被GaN扼殺的硅、分立功率器件

四十年來(lái)，隨著功率 MOSFET 結(jié)構(gòu)、技術(shù)和電路拓?fù)涞膭?chuàng)新與不斷增長(zhǎng)的電力需求保持同步，電源管理效率和成本穩(wěn)步提高。然而，在新千年中，隨著硅功率 MO...

2022-08-04 標(biāo)簽：MOSFET功率器件GaN 830 0

Pre-Switch基于AI逆變器可實(shí)現(xiàn)電動(dòng)汽車的高效率

利用其基于人工智能的 DC/AC、AC/DC 軟開(kāi)關(guān)技術(shù)，Pre-Switch 展示了如何通過(guò)在每個(gè)開(kāi)關(guān)位置僅使用三個(gè)分立的低成本 35mΩ SiC F...

2022-08-04 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車逆變器AI 1128 0

IGBT 和 GaN、SiC 和硅 FET 的統(tǒng)一視圖和價(jià)格-性能分析

在設(shè)計(jì)電力電子設(shè)備時(shí)，我們需要評(píng)估所有業(yè)務(wù)需求和技術(shù)要求，以優(yōu)化設(shè)計(jì)周期時(shí)間，從而以更低的成本實(shí)現(xiàn)更高性能的系統(tǒng)。這是DiscoverEE及其創(chuàng)始人 S...

2022-08-04 標(biāo)簽：IGBT功率SiC 4569 1

GaN實(shí)現(xiàn)下一代高頻電路

提高功率密度的關(guān)鍵是提高開(kāi)關(guān)頻率，以最大限度地減少無(wú)源元件，例如變壓器、EMI 濾波器、大容量電容器和輸出電容器，同時(shí)保持或提高效率。自 1996 年以...

2022-08-04 標(biāo)簽：電容器GaN高頻電路 981 0

基于GaN的高功率穩(wěn)壓輸出電源方案

隨著這些基于 DPA 的服務(wù)器和工作站隨著時(shí)間的推移變得越來(lái)越小，在這些系統(tǒng)中啟用 IBA 方案的隔離式 DC/DC 轉(zhuǎn)換器或磚也必須如此。包括四分之一...

2022-08-03 標(biāo)簽：fpga微處理器GaN 1137 0

用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用的GaN器件

今天，永磁電機(jī)，也稱為直流無(wú)刷電機(jī)，應(yīng)用廣泛，與其他電機(jī)相比，可提供更高的每立方英寸扭矩能力和更高的動(dòng)態(tài)性能。迄今為止，硅基功率器件一直在逆變器電子產(chǎn)品...

2022-08-03 標(biāo)簽：逆變器GaN直流無(wú)刷電機(jī) 2337 0

GaN和SiC晶體管的區(qū)別

幾十年來(lái)，硅一直主導(dǎo)著晶體管世界，但這種情況正在逐漸發(fā)生變化。已經(jīng)開(kāi)發(fā)出由兩種或三種材料制成的化合物半導(dǎo)體，并具有獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)和卓越的特性。例如，化合物半...

2022-08-03 標(biāo)簽：晶體管SiCGaN 1740 0

一種基于GaN的BTP PFC電路和LLC諧振轉(zhuǎn)換器的實(shí)現(xiàn)

駐留在數(shù)據(jù)中心的大量服務(wù)器(每臺(tái)服務(wù)器都配備中央處理單元 (CPU)、圖形處理單元 (GPU) 和存儲(chǔ)大量數(shù)據(jù)的內(nèi)存)需要越來(lái)越多的功率。更小、更輕、更...

2022-08-03 標(biāo)簽：PFCGaN諧振轉(zhuǎn)換器 2219 0

氮化鎵 (GaN) 技術(shù)：屬性、優(yōu)點(diǎn)、不同制造工藝及最新進(jìn)展

本章將深入探討氮化鎵 (GaN) 技術(shù) ：其屬性、優(yōu)點(diǎn)、不同制造工藝以及最新進(jìn)展。這種更深入的探討有助于我們了解 ：為什么 GaN 能夠在當(dāng)今這個(gè)技術(shù)驅(qū)...

2022-07-29 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵GaN 1.8萬(wàn) 0

采用GaN的多相MHZ轉(zhuǎn)換器

氮化鎵 (GaN)器件可實(shí)現(xiàn)航空航天、交通運(yùn)輸和醫(yī)療應(yīng)用所需的高頻、高密度電源。在布置印刷電路板 (PCB)時(shí)必須考慮某些設(shè)計(jì)規(guī)則和組件。例如，多層布局...

2022-07-29 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器DCGaN 577 0