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GaN 器件的封裝結構設計

近年來，半導體技術發(fā)展迅速，集成電路產業(yè)規(guī)模不斷擴大。5G 時代的到來，對射頻器件所用半導體材料提出了新要求。氮化鎵（GaN）由于其大禁帶寬度和高飽和電...

2022-07-11 標簽：集成電路功率器件 GaN 3298 0

寬帶隙半導體GaN、ZnO和SiC的濕法化學腐蝕

寬帶隙半導體具有許多特性，這些特性使其對高功率、高溫器件應用具有吸引力。本文綜述了三種重要材料的濕法腐蝕，即ZnO、GaN和SiC。雖然ZnO在包括HN...

2022-07-06 標簽：半導體 SiC 蝕刻 2425 0

射頻功率放大器全自動測試方案

探針臺測試的校準通常會在同軸端面和探針端面分別進行S參數(shù)的校準，同時在同軸端面進行功率校準，通過兩級S參數(shù)校準得到的參數(shù)對探針端面的功率進行修正確保探針...

2022-07-04 標簽：放大器無線通信 GaN 3127 0

GaN在射頻（RF）前端中的應用分析

對于工程師來說，設計 GaN PA 的第一步就是獲得半導體制造商的產品數(shù)據(jù)手冊；第二部就是查看 S 參數(shù)。PA 設計工程師還可以利用測得的負載牽引數(shù)據(jù)...

2022-06-07 標簽：GaN GaN器件 5481 0

基于GaN光學芯片的生物顯微傳感系統(tǒng)

與主流的復雜光學活細胞生物傳感技術（如 SPR 和 RWG）相比，基于GaN光學芯片的生物顯微傳感系統(tǒng)，極大地降低了生物傳感器的設計、制造和實際使用中的...

2022-04-29 標簽：發(fā)光二極管 GaN 生物傳感器 2691 0

多孔GaN的結構和光學特性

摘要本文報道了鉑輔助化學化學蝕刻制備的多孔氮化鎵的結構和光學性能。掃描電鏡圖像顯示，孔隙的密度隨著蝕刻時間的增加而增加，而蝕刻時間對孔隙的大小和形狀沒...

2022-04-27 標簽：光學 GaN 1536 0

使用氮化鎵(GaN)提高電源(PSU)能效

提高能效一直是電源制造商的一個長期目標。這是真正的“雙贏”，因為這不僅降低運行成本，而且減少了以熱的形式浪費能量，意味著需要更少的散熱管理，從而減小了電...

2022-04-27 標簽：安森美氮化鎵 GaN 2929 0

現(xiàn)場可編程門陣列 (FPGA) 電源設計

為了擴大 GaN 在汽車、并網(wǎng)存儲和太陽能等新應用中的應用（圖 3），TI 正在展示其自己的對流冷卻、900V、5kW 雙向 AC/DC 平臺。該平臺...

2022-04-22 標簽：fpga 氮化鎵 GaN 5324 0

功率器件SiC和GaN的電壓變化率與電流變化率

我們都知道功率半導體器件屬于電力電子開關，開關速度非常快，1秒可以開關上千次(kHz)，高速功率器件可達到幾十kHz，甚至上百kHz。開關速度越快意味著...

2022-04-22 標簽：功率器件 SiC GaN 3873 0

GaN單晶晶片的清洗與制造方法

作為用于高壽命藍色LD (半導體激光器)、高亮度藍色LED (發(fā)光二極管)、高特性電子器件的GaN單晶晶片，通過hvpe (氫化物氣相)生長法等進行生長...

2022-04-15 標簽：晶片 GaN 清洗 827 0

淺談氮化鎵和碳化硅的區(qū)別

幾十年來，硅一直主導著晶體管世界。但這種情況已在逐漸改變。由兩種或三種材料組成的化合物半導體已被開發(fā)出來，提供獨特的優(yōu)勢和卓越的特性。例如，有了化合物半...

2022-04-01 標簽：氮化鎵 GaN 碳化硅 1.3萬 0

新一代半導體材料氧化鎵應用研究

在所有其他參數(shù)相同的情況下，對于電子應用，寬帶隙(WBG)半導體優(yōu)于窄帶半導體(如硅)，因為導帶和價帶之間的大能量分離允許這些器件在高溫和較高電壓下工作...

2022-03-29 標簽：半導體測量 GaN 2921 0

一文詳細了解氮化鎵(GaN)技術

本章將深入探討氮化鎵 (GaN) 技術：其屬性、優(yōu)點、不同制造工藝以及最新進展。這種更深入的探討有助于我們了解：為什么 GaN 能夠在當今這個技術驅...

2022-03-17 標簽：半導體氮化鎵 GaN 1.6萬 0

氮化鎵(GaN)技術的優(yōu)勢及應用領域

氮化鎵 (GaN) 晶體管于 20 世紀 90 年代亮相，目前廣泛應用于商業(yè)和國防領域，但工程應用可能大相徑庭。不相信?可以理解。但在您閱讀本書之后，可...

2022-03-10 標簽：射頻氮化鎵 GaN 1.1萬 0

GaN電源系統(tǒng)性能升級的奧秘

如今，以GaN和SiC為代表的第三代半導體技術風頭正勁。與傳統(tǒng)的半導體材料相比，GaN和SiC禁帶寬度大、擊穿電場強度高、電子遷移率高、熱導電率大、介電...

2022-02-25 標簽：半導體功率器件 GaN 2427 0

GaN襯底制造過程中N面氮化鎵清洗工藝的研究報告

氮化鎵由于其寬的直接帶隙、高熱和化學穩(wěn)定性，已成為短波長發(fā)射器（發(fā)光二極管和二極管激光器）和探測器等許多光電應用的誘人半導體，以及高功率和高溫電子器件。...

2022-02-08 標簽：氮化鎵 CMP GaN 3535 0

GaN HEMT助力電機改革

對緊湊而強大的電動機的需求給設計工程師帶來了新的挑戰(zhàn)。為了最大限度地提高小型電機的功率輸出，工程師們正在轉向高壓和高頻操作。硅 (Si) 金屬氧化物半導...

2022-02-08 標簽：電容器電機 GaN 3118 0

采用可控濕法蝕刻速率的AlGaN/GaN的精密凹槽華林科納

這本文中，我們提出了一種精確的，低損傷的循環(huán)刻蝕AlGaN/GaN的新方法，用于精確的勢壘凹陷應用，使用ICP-RIE氧化和濕法刻蝕。設備功率設置的優(yōu)化...

2021-12-13 標簽：蝕刻 GaN 蝕刻工藝 2680 0

GaN 和 SiC 器件相似和差異

GaN 和 SiC 器件在某些方面相似，但有顯著差異。

2021-11-17 標簽：SiC GaN 半導體器件 4742 0

如何用一個Hercules微控制器來驅動GaN功率級

今天的博文是一個動手操作項目：你將用一個氮化鎵（GaN）功率級、一個Hercules? 微控制器和一個滾輪來調節(jié)一盞燈的亮度。我將會談到其中的硬件和...

2022-02-06 標簽：微控制器硬件 GaN 1188 0

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