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gan技術(shù)

基于GaN芯片的電源轉(zhuǎn)換方案設(shè)計(jì)

基于GaN芯片的電源轉(zhuǎn)換方案設(shè)計(jì)

作者:Alex Lidow,Michael de Rooij,Andreas Reiter 氮化鎵(GaN)功率器件已投入生產(chǎn)10多年,除了性能和成本方...

2021-05-26 標(biāo)簽:功率器件氮化鎵GaN 3058 0

GaN使充電器設(shè)計(jì)發(fā)生革命

GaN使充電器設(shè)計(jì)發(fā)生革命

氮化鎵(GaN)開關(guān)技術(shù)使充電器和適配器的小型化取得了重大進(jìn)展。 GaN晶體管的開關(guān)效率很高。 這允許開發(fā)轉(zhuǎn)換器,該轉(zhuǎn)換器可以以比使用等效硅器件的電路更...

2020-10-23 標(biāo)簽:充電器GaN 1.2萬(wàn) 0

碳化硅有哪些優(yōu)勢(shì)?能應(yīng)用在那些方面

電力電子朝向碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等寬能隙(WBG)材料發(fā)展,雖然硅仍然占據(jù)市場(chǎng)主流,但SiC與GaN器件很快就會(huì)催生新一代更高效的技術(shù)解決方案。

2020-10-17 標(biāo)簽:二極管MOSFETGaN 8840 0

GaN晶體管在AC/DC電路設(shè)計(jì)中的重要性和作用

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大規(guī)模數(shù)據(jù)中心、企業(yè)服務(wù)器或電信交換站使得功耗快速增長(zhǎng),因此高效AC/DC電源對(duì)于電信和數(shù)據(jù)通信基礎(chǔ)設(shè)施的發(fā)展至關(guān)重要。但是,電力電子行業(yè)中的硅MOSF...

2020-09-30 標(biāo)簽:AD晶體管GaN 3672 0

激光雷達(dá)的工作原理及如何利用氮化鎵消除隱患

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在實(shí)際的激光雷達(dá)系統(tǒng)中,傳統(tǒng)的硅器件(例如MOSFET)無(wú)法為其激光驅(qū)動(dòng)器實(shí)現(xiàn)提供必要的性能。為了增強(qiáng)控制,MOSFET的溝道必須很大,這會(huì)導(dǎo)致寄生電容...

2021-02-21 標(biāo)簽:散熱器氮化鎵GaN 6762 0

GaN將徹底改變數(shù)據(jù)中心電源 數(shù)據(jù)中心市場(chǎng)是下一個(gè)角逐點(diǎn)

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高可靠性,高性能氮化鎵功率轉(zhuǎn)換產(chǎn)品供應(yīng)商Transphorm與貝爾集團(tuán)(Bel Group)聯(lián)合宣布Bel的鈦效率電源中使用了六個(gè)Transphorm的...

2021-01-22 標(biāo)簽:功率轉(zhuǎn)換器氮化鎵GaN 2024 0

功率GaN出現(xiàn)爆炸式增長(zhǎng) 基于GaN的RF器件獨(dú)特優(yōu)勢(shì)眾多

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Qorvo這種新型高功率放大器MMIC是專為“商業(yè)和軍事雷達(dá),以及電子戰(zhàn)應(yīng)用”而設(shè)計(jì)。

2021-01-19 標(biāo)簽:SiCGaN射頻技術(shù) 2014 0

具有保護(hù)功能的GaN器件實(shí)現(xiàn)下一代工業(yè)電源設(shè)計(jì)的挑戰(zhàn)

氮化鎵(GaN)半導(dǎo)體的物理特性與硅器件不相上下。傳統(tǒng)的電源供應(yīng)器金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)和絕緣柵極雙極晶體管(IGBT)只有在犧牲...

2020-12-20 標(biāo)簽:開關(guān)電源場(chǎng)效應(yīng)晶體管氮化鎵 3060 0

【泰克電源設(shè)計(jì)與測(cè)試】致工程師系列之四:寬禁帶半導(dǎo)體器件GaN、SiC設(shè)計(jì)優(yōu)化驗(yàn)證

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選擇TIVH差分探頭的基本原則是以驅(qū)動(dòng)信號(hào)的上升時(shí)間為依據(jù),儀器系統(tǒng)對(duì)被測(cè)點(diǎn)的影響小于3%。上管信號(hào)測(cè)量考慮因素:帶寬、電壓范圍(共模和差模)、CMRR和連接。

2020-08-11 標(biāo)簽:SiCGaN泰克科技 1160 0

德州儀器白皮書:GaN將能源效率推升至新高度

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GaN也面臨著挑戰(zhàn)。過(guò)去,這些挑戰(zhàn)與制造和提供高質(zhì)量、可靠GaN的能力相關(guān)。然而,隨著整個(gè)行業(yè)制造工藝的改進(jìn)和采用率的增加,挑戰(zhàn)逐漸集中到實(shí)施和系統(tǒng)設(shè)計(jì)上

2020-08-04 標(biāo)簽:德州儀器GaN柵極驅(qū)動(dòng)器 1217 0

半導(dǎo)體材料Si、SiC和GaN 優(yōu)勢(shì)及瓶頸分析

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作為半導(dǎo)體材料“霸主“的Si,其性能似乎已經(jīng)發(fā)展到了一個(gè)極限,而此時(shí)以SiC和GaN為主的寬禁帶半導(dǎo)體經(jīng)過(guò)一段時(shí)間的積累也正在變得很普及。

2020-09-11 標(biāo)簽:SiCGaN半導(dǎo)體器件 1.2萬(wàn) 0

【泰克電源設(shè)計(jì)與測(cè)試】致工程師系列之三:高效GaN電源設(shè)計(jì)八部曲,泰克系列視頻課堂實(shí)操秘籍

由于可以在較高頻率、電壓和溫度下工作且功率損耗較低,寬禁帶半導(dǎo)體(SiC 和 GaN)現(xiàn)在配合傳統(tǒng)硅一同用于汽車和 RF 通信等嚴(yán)苛應(yīng)用中。

2020-05-11 標(biāo)簽:元器件GaN泰克科技 872 0

氮化鎵GaN詳細(xì)對(duì)比分析 納微和英諾賽科氮化鎵GaN產(chǎn)品應(yīng)用

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作者:馬坤 (郵箱:kuner0806@163.com) 隨著中國(guó)芯GaN產(chǎn)品上市,引起了大家的關(guān)注,PD產(chǎn)品更是多姿多彩;納微GaN產(chǎn)品和英諾賽科Ga...

2020-05-12 標(biāo)簽:氮化鎵GaN英諾賽科 2.5萬(wàn) 2

我們能獲得更好的音頻放大器嗎?是的,用氮化鎵!

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音頻是一個(gè)復(fù)雜的應(yīng)用,尤其是對(duì)于發(fā)燒友領(lǐng)域各個(gè)層面的需求。最高端的音頻設(shè)備通常都價(jià)格高昂,不同類型的音頻放大器吸引了眾多用戶的追求,他們相信其選擇可以最...

2020-04-23 標(biāo)簽:音頻放大器D類放大器GaN 3150 0

5G行情下氮化鎵(GaN)還存在哪些缺點(diǎn)?是下一個(gè)風(fēng)口?

由于2 月13 日小米在新品發(fā)表會(huì)中,除了推出小米10 系列外,更宣布采用氮化鎵(GaN) 作為原料的充電器,一時(shí)間原本GaN 在射頻領(lǐng)域熱燒的話題,快...

2020-04-14 標(biāo)簽:氮化鎵GaN功率半導(dǎo)體 1.6萬(wàn) 1

NV612X GaNFast? 功率半導(dǎo)體器件的熱處理

介紹 最新的納微GaNFast 電源集成電路NV6123/25/27,集成在6mmx8mm的QFN封裝內(nèi)。這個(gè)封裝增加了一個(gè)大的冷卻片,用于降低封裝的熱...

2020-03-31 標(biāo)簽:功率器件氮化鎵GaN 8292 1

采用NV611X系列氮化鎵GaN 半橋應(yīng)用PCB layout

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采用NV611X系列氮化鎵GaN 半橋應(yīng)用PCB layout 作者 :馬坤 郵箱:kuner0806@163.com NV611X系列 半橋應(yīng)用電路圖...

2020-03-24 標(biāo)簽:pcb氮化鎵GaN 6305 0

面對(duì)5G基站巨大的耗電挑戰(zhàn),GaN是業(yè)界需要的英雄

消費(fèi)者目前已經(jīng)開始體驗(yàn)5G技術(shù)的優(yōu)勢(shì),它不僅能夠憑借超快的下載速度與固網(wǎng)寬帶匹敵,而且將來(lái)還可能在蜂窩網(wǎng)絡(luò)服務(wù)區(qū)域內(nèi)支持更高密度的移動(dòng)設(shè)備和互連的物聯(lián)網(wǎng)...

2020-01-09 標(biāo)簽:移動(dòng)通信GaN蜂窩網(wǎng)絡(luò) 3899 0

一款GaN HEMT內(nèi)匹配功率放大器設(shè)計(jì)過(guò)程詳解

一款GaN HEMT內(nèi)匹配功率放大器設(shè)計(jì)過(guò)程詳解

近年來(lái),寬禁帶材料與微波功率器件發(fā)展非常迅猛。GaN材料作為第三代半導(dǎo)體的典型代表,具有很多優(yōu)異的特性,如禁帶寬度寬、擊穿場(chǎng)強(qiáng)高、熱傳導(dǎo)率高和峰值電子漂...

2020-01-22 標(biāo)簽:功率放大器GaN 5918 0

PI的PowiGaN技術(shù)的使用優(yōu)勢(shì)及應(yīng)用

Power Integrations(PI)于2019年7月27日發(fā)布了結(jié)合PowiGaN技術(shù)的全新InnoSwitch?3系列恒壓/恒流離線反激式開關(guān)...

2020-01-02 標(biāo)簽:電源icgan 4316 0

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    藍(lán)牙4.2
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Coilcraft LRC trinamic
放大器 運(yùn)算放大器 差動(dòng)放大器 電流感應(yīng)放大器 比較器 儀表放大器 可變?cè)鲆娣糯笃? 隔離放大器
時(shí)鐘 時(shí)鐘振蕩器 時(shí)鐘發(fā)生器 時(shí)鐘緩沖器 定時(shí)器 寄存器 實(shí)時(shí)時(shí)鐘 PWM 調(diào)制器
視頻放大器 功率放大器 頻率轉(zhuǎn)換器 揚(yáng)聲器放大器 音頻轉(zhuǎn)換器 音頻開關(guān) 音頻接口 音頻編解碼器
模數(shù)轉(zhuǎn)換器 數(shù)模轉(zhuǎn)換器 數(shù)字電位器 觸摸屏控制器 AFE ADC DAC 電源管理
線性穩(wěn)壓器 LDO 開關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
振蕩器 諧振器 濾波器 電容器 電感器 電阻器 二極管 晶體管
變送器 傳感器 解析器 編碼器 陀螺儀 加速計(jì) 溫度傳感器 壓力傳感器
電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器 TWS BLDC 無(wú)刷直流驅(qū)動(dòng)器 濕度傳感器 光學(xué)傳感器 圖像傳感器
數(shù)字隔離器 ESD 保護(hù) 收發(fā)器 橋接器 多路復(fù)用器 氮化鎵 PFC 數(shù)字電源
開關(guān)電源 步進(jìn)電機(jī) 無(wú)線充電 LabVIEW EMC PLC OLED 單片機(jī)
5G m2m DSP MCU ASIC CPU ROM DRAM
NB-IoT LoRa Zigbee NFC 藍(lán)牙 RFID Wi-Fi SIGFOX
Type-C USB 以太網(wǎng) 仿真器 RISC RAM 寄存器 GPU
語(yǔ)音識(shí)別 萬(wàn)用表 CPLD 耦合 電路仿真 電容濾波 保護(hù)電路 看門狗
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