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GaN智能功率模塊(IPM)實現(xiàn)高效電機驅(qū)動
氮化鎵(GaN)在電力轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的優(yōu)勢為電源轉(zhuǎn)換器帶來了系統(tǒng)級的好處。智能功率模塊(IPM)通常用于提供緊湊、高效且安全的電機控制驅(qū)動。在本文中,我們將...
#參考設(shè)計#72 W基于PowiGaN的InnoSwitch 4-QR超緊湊型電源
72 W隔離反激式電源,適用于采用InnoSwitch 4-QR(INN 4275 C-H186)高頻準諧振開關(guān)IC的電器,可實現(xiàn)最小Transform...
? 氮化鎵(GaN)功率器件中千伏特擊穿電壓的演示長期以來一直激勵著電力電子和其他應(yīng)用的優(yōu)化。這是由于電力系統(tǒng)中轉(zhuǎn)換效率的潛力大大提高。GaN器件可分為...
24W原邊GAN電源芯片方案U8607是一款集成E-GaN的恒壓恒流PSR反激功率開關(guān)管,可為18~65W適配器應(yīng)用提供全新的解決方案。
外置OTP及主動降功率功能的PD快充芯片U8733的主要特點有哪些
深圳銀聯(lián)寶科技最新推出的U8733,是一款30W PD GAN帶OTP保護及主動降功率功能的PD快充芯片,與之前推出的集成650V E-GaN快充芯片U...
什么是LiDAR?LiDAR技術(shù)的新時代 前景廣闊未來可期
什么是LiDAR? ? LiDAR 是Light Detection And Ranging(激光探測與測距)的縮寫,是使用近紅外光、可見光或紫外光照射...
2024-05-16 標簽:GaNRohm激光探測技術(shù) 620 0
毫無疑問,寬帶隙 (WBG) 技術(shù)已得到廣泛應(yīng)用。碳化硅(SiC) 和氮化鎵 (GaN) 晶體管正迅速成為工業(yè)、消費類及其他電源應(yīng)用領(lǐng)域的首選器件。
2024-05-06 標簽:轉(zhuǎn)換器晶體管GaN 431 0
SiC與GaN 功率器件中的離子注入技術(shù)挑戰(zhàn)
碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體預(yù)計將在電力電子器件中發(fā)揮越來越重要的作用。與傳統(tǒng)硅(Si)設(shè)備相比,它們具有更高的效率、功率...
適用于自主駕駛車輛 LiDAR 的 GaN FET 快速指南
作者:Kenton Williston 激光探測及測距 (LiDAR) 的應(yīng)用包括自主駕駛車輛、無人機、倉庫自動化和精準農(nóng)業(yè)。在這些應(yīng)用中,大多都有人類...
如何利用 GaN 功率器件實現(xiàn)出色的中等功率電機變頻器
作者:Bill Schweber 對更高效利用能源的推動、更嚴格的法規(guī)要求以及低溫運行的技術(shù)優(yōu)勢,所有這些都為近來降低電機功耗的舉措提供了支持。雖然硅 ...
氮化鎵具有許多內(nèi)在材料優(yōu)勢,如寬能隙和高電子遷移率。當用作橫向高電子遷移率晶體管(HEMT)器件時,這些特性可用于獲得功率轉(zhuǎn)換性能優(yōu)勢,因為其無反向恢復(fù)...
在汽車、工業(yè)和逆變器應(yīng)用中,對在更高輸出功率水平下提高效率的需求日益增長。而在電動汽車 (EV) 領(lǐng)域,通過提高電機驅(qū)動效率和加快電池充電速度,此類優(yōu)化...
深度學(xué)習(xí)生成對抗網(wǎng)絡(luò)(GAN)全解析
GANs真正的能力來源于它們遵循的對抗訓(xùn)練模式。生成器的權(quán)重是基于判別器的損失所學(xué)習(xí)到的。因此,生成器被它生成的圖像所推動著進行訓(xùn)練,很難知道生成的圖像...
傳統(tǒng)的GaN異質(zhì)外延主要在藍寶石襯底、Si襯底或者SiC襯底,在剝離的過程中,如藍寶石就特別困難,會產(chǎn)生較大的材料損耗和額外成本,且剝離技術(shù)也有待進一步提高。
隨著現(xiàn)代電力電子的高速發(fā)展,SiC/GaN 功率器件的應(yīng)用越來越廣泛,工程師經(jīng)常要測量頻率高達數(shù)百 kHz,電流高達數(shù)十安培的功率電路。
襯底(substrate)是由半導(dǎo)體單晶材料制造而成的晶圓片,襯底可以直接進入晶圓制造環(huán)節(jié)生產(chǎn)半導(dǎo)體器件,也可以進行外延工藝加工生產(chǎn)外延片。
2024-03-08 標簽:GaN單晶硅半導(dǎo)體制造 1583 0
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