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gan技術(shù)

基于生成對(duì)抗網(wǎng)絡(luò)(GAN)的框架

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為了進(jìn)一步提升深度圖像壓縮的質(zhì)量,開(kāi)發(fā)超越PSNR和MS-SSIM的新指標(biāo)非常重要。其中重點(diǎn)關(guān)注的是對(duì)抗損失,最近的成果表明它能捕捉到全局的語(yǔ)義信息和局...

2018-04-17 標(biāo)簽:神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)GAN 9567 0

通過(guò)單片GaN集成提高性能,同時(shí)減小尺寸和成本

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15 V 至 350 V 范圍內(nèi)的氮化鎵 (GaN) 異質(zhì)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)功率晶體管已被證明在功率轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和激光雷達(dá)脈沖光等應(yīng)用中在效率、尺寸、速度和成本...

2023-09-07 標(biāo)簽:emi雷達(dá)柵極 9559 0

用CycleGAN把《堡壘之夜》轉(zhuǎn)成《絕地求生》寫實(shí)風(fēng)

CycleGAN是加州大學(xué)伯克利分校研究人員提出的一種用于跨域圖到圖轉(zhuǎn)換的GAN,它可以把一類圖像的風(fēng)格(比如《堡壘之夜》)轉(zhuǎn)換成另一類圖像(比如《絕地...

2018-07-02 標(biāo)簽:神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)GAN深度學(xué)習(xí) 9392 0

淺析氮化鎵技術(shù)原理及技術(shù)突破路線

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 通過(guò)種種信息,我們應(yīng)該都能發(fā)現(xiàn),氮化鎵充電器目前已經(jīng)快要與普通充電器市場(chǎng)持平,而且,氮化鎵充電器是近幾年新開(kāi)發(fā)出來(lái)的,從剛開(kāi)始出現(xiàn)的30W到現(xiàn)在的14...

2023-02-03 標(biāo)簽:充電器氮化鎵GaN 9273 0

生成式人工智能背后的算法和原理

GAN的優(yōu)點(diǎn)是能夠生成高質(zhì)量的數(shù)據(jù),但其訓(xùn)練過(guò)程相對(duì)復(fù)雜,需要平衡生成器和判別器的性能,避免生成器落入局部最優(yōu)解。

2023-03-31 標(biāo)簽:神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)AIGaN 9229 0

使用寬帶隙技術(shù)最大限度地提高高壓轉(zhuǎn)換器的功率密度

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提高功率密度和縮小電源并不是什么新鮮事。預(yù)計(jì)這一趨勢(shì)將持續(xù)下去,從而實(shí)現(xiàn)新的市場(chǎng)、應(yīng)用和產(chǎn)品。這篇博客向設(shè)計(jì)工程師介紹了意法半導(dǎo)體(ST)的電源解決方案...

2023-11-16 標(biāo)簽:晶體管氮化鎵GaN 9118 0

氮化鎵 (GaN) 帶來(lái)電源管理變革的 3 大原因

作為提供不間斷連接的關(guān)鍵,許多數(shù)據(jù)中心依賴于日益流行的半導(dǎo)體技術(shù)來(lái)提高能效和功率密度。 氮化鎵技術(shù),通常稱為 GaN,是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料,越來(lái)越多地...

2023-06-16 標(biāo)簽:半導(dǎo)體電源管理德州儀器 9097 0

如何集成GaN功率級(jí)以實(shí)現(xiàn)高效的電池供電BLDC電機(jī)推進(jìn)系統(tǒng)

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電池供電的應(yīng)用,如協(xié)作機(jī)器人 (cobot)、電動(dòng)自行車、工業(yè)無(wú)人機(jī)和電動(dòng)工具等,都需要體積小、重量輕、功能強(qiáng)大的電機(jī)。無(wú)刷直流 (BLDC) 電機(jī)是一...

2023-03-07 標(biāo)簽:電機(jī)控制BLDCGaN 9053 0

碳化硅有哪些優(yōu)勢(shì)?能應(yīng)用在那些方面

電力電子朝向碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等寬能隙(WBG)材料發(fā)展,雖然硅仍然占據(jù)市場(chǎng)主流,但SiC與GaN器件很快就會(huì)催生新一代更高效的技術(shù)解決方案。

2020-10-17 標(biāo)簽:二極管MOSFETGaN 8833 0

GaN成為半導(dǎo)體界矚目的焦點(diǎn)

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2017-10-11 標(biāo)簽:GaN 8717 0

深度解析SiC/GaN功率轉(zhuǎn)換器驅(qū)動(dòng)

為了充分利用新型功率轉(zhuǎn)換技術(shù),必須在轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)中實(shí)施完整的 IC 生態(tài)系統(tǒng),從最近的芯片到功率開(kāi)關(guān)和柵極驅(qū)動(dòng)器。

2018-11-28 標(biāo)簽:功率轉(zhuǎn)換器SiCGaN 8639 0

GAN原理及其在半監(jiān)督學(xué)習(xí)中的意義

GAN有兩個(gè)網(wǎng)絡(luò)組成。第一個(gè)網(wǎng)絡(luò)創(chuàng)建世界的內(nèi)在版本(即通常房子是什么樣的):這稱為生成模型(G),基本上它基于一切數(shù)據(jù)學(xué)習(xí),因?yàn)樗恍枰獦?biāo)簽,只需要數(shù)據(jù)...

2018-09-24 標(biāo)簽:圖像GAN深度學(xué)習(xí) 8376 0

NV612X GaNFast? 功率半導(dǎo)體器件的熱處理

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GAN 網(wǎng)絡(luò)是近兩年深度學(xué)習(xí)領(lǐng)域的新秀,一時(shí)風(fēng)頭無(wú)兩。從計(jì)算機(jī)視覺(jué)頂會(huì)盛會(huì) CVPR 2018 接受的論文統(tǒng)計(jì)就可見(jiàn)一斑:根據(jù) Google Resea...

2018-09-18 標(biāo)簽:GAN機(jī)器學(xué)習(xí)深度學(xué)習(xí) 8120 0

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一起來(lái)看看更全面、更詳細(xì)的GaN產(chǎn)品介紹!

當(dāng)然,一項(xiàng)已經(jīng)持續(xù)發(fā)展60年的技術(shù)不會(huì)一夜之間被取代,但經(jīng)過(guò)多年的研究、實(shí)際驗(yàn)證和 可靠性測(cè)試,GaN定會(huì)成為解決功率密度問(wèn)題的最佳技術(shù)。德州儀器已經(jīng)在...

2018-11-15 標(biāo)簽:電源模塊GaN工業(yè)機(jī)器人 7998 0

深度解讀激光雷達(dá)系統(tǒng)設(shè)計(jì)的eToF激光驅(qū)動(dòng)器系列

作者:Maurizio Di Paolo Emilio 高效功率轉(zhuǎn)換(EPC)宣布了用于激光雷達(dá)系統(tǒng)設(shè)計(jì)的eToF激光驅(qū)動(dòng)器系列。新的氮化鎵(GaN)系...

2021-03-10 標(biāo)簽:GaN光學(xué)傳感器無(wú)人機(jī) 7988 0

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盡管 GAN 領(lǐng)域的進(jìn)步令人印象深刻,但其在應(yīng)用過(guò)程中仍然存在一些困難。本文梳理了 GAN 在應(yīng)用過(guò)程中存在的一些難題,并提出了最新的解決方法。

2019-02-22 標(biāo)簽:GaNModel 7948 0

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GaN 高電子遷移率晶體管 (GaN HEMT) 具有更低的驅(qū)動(dòng)損耗和更短的死區(qū)時(shí)間電路優(yōu)勢(shì),因?yàn)闁艠O顯著減少 與硅 MOSFET 相比,GaN 高電子...

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